NSR0320MW2T1G
摘要：NSR0320MW2T1G 是 onsemi（安森美半导体）推出的一款 低正向压降肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），专为便携式设备、电源管理电路及高速开关应用设计。器件具有极低的正向压降和快速反向恢复特性，可在低压高效率的系统中有效降低损耗、提高整体能效。
描述
NSR0320MW2T1G 采用先进的肖特基工艺制造，具有 高效率、低功耗、小封装、稳定性强 等优点。其正向压降极低，非常适合作为低电压整流、反向电流保护、OR-ing 电路及电源路径控制。
器件采用 SOD-323 微型封装，尺寸小、散热良好，适用于智能穿戴、无线设备、移动设备等空间受限的系统。
产品概述
| 产品型号 | NSR0320MW2T1G |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，二极管，整流器 |
| 描述 | 二极管 20 V 1A 表面贴装型 SOD-323 |
| 包装类型 | 卷带（TR）、剪切带（CT） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
产品图片
NSR0320MW2T1G产品图片
规格参数
| 零件状态 | 在售 |
| 技术 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 20 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 500 mV @ 900 mA |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 15 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 29pF @ 5V，1MHz |
主要特点
肖特基结构，超低正向压降
快速开关速度，适合高频电路
极低反向漏电流，提高系统效率
高可靠性，小封装（SOD-323）
适用于便携式设备及节能设计
正向连续电流支持数百 mA（典型）
工作温度范围宽，适配多种环境
典型应用
电源反接保护（Reverse Polarity Protection）
OR-ing 二极管 / 电源切换
DC-DC 转换器整流
充电器和移动电源
高速开关电路
小型电源模块
便携式电子设备、无线设备
电源轨防回流（Backflow Prevention）
引脚图及功能
工作原理
NSR0320MW2T1G 基于 金属—半导体结（Schottky Junction） 工作，其特点包括：
正向导通时电压极低：
肖特基势垒比普通 PN 结小，因此 Vf 明显更低，可减少传输损耗，提升电源效率。
反向截止时反向恢复速度极快：
不存在少数载流子存储过程，使得开关速度远快于普通二极管。
反向漏电流小：
在高温或高压工作环境下保持良好稳定性。
因此非常适用于低压、大电流、高效能的电源电路。
替代型号
可兼容或功能相近的替代器件包括：
NSR0320ET3G（onsemi 同系列）
RB520S-30（ROHM）
BAT54S / BAT54W（常见低 Vf 肖特基）
SS14 / SS12 小电流型号（需确认电流指标）
MBR0520 / MBR0530 系列（肖特基二极管）
PMEG2010 / PMEG4002 系列（NXP 超低 Vf 方案）
替代需确认 Vf、电流、封装、漏电流等关键参数是否匹配。