FDS9435A
2025-11-27 10:18:21
摘要：FDS9435A 是 Fairchild（现属 onsemi）生产的 P 沟道 PowerTrench MOSFET，采用 8-SOIC 封装，具备低导通电阻和快速开关特性，常用于低压电源开关、电池保护电路和负载切换应用。
描述
FDS9435A 适用于需要高效率、低损耗开关控制的场景，其稳定可靠的特性使其在消费电子、电池管理与嵌入式设备中得到广泛采用。
产品概述
| 产品型号 | FDS9435A |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 基本产品编号 | FDS9435 |
产品图片
FDS9435A产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 50 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 528 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
主要特点
P-Channel MOSFET
低 Rds(on)：适合高效率开关和负载控制
快速开关速度
低栅极驱动需求，工作电压范围宽
8-SOIC 散热能力好，适合中小功率应用
典型应用
笔记本电脑、电池供电设备的负载开关
DC-DC 模块的反向保护电路
低压侧高效开关
消费电子和工业控制中各种 MOSFET 通用应用
电池管理系统（BMS）
引脚图及功能
工作原理
FDS9435A 作为 P 沟道 MOSFET，在栅极电压 低于源极 时导通，利用其低 Rds(on) 控制电流流通。常用于高端（high-side）负载开关场景，通过控制栅极相对源极的电压，实现电源的通断切换。
替代 / 替换型号
实际替代需对比 Vds、Id、Rds(on)、封装等参数
AO4407 / AO4407A（AOS）
SI4435DY（Vishay）
IRLML6402（Infineon）
FDN306P（onsemi）
BSS84（低功率应用）