| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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CEB110P06
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : -60; @10V : 7.2; @4.5V : 9; ID(A) : -113; @4.5V(typ) : 89; Pd(W) : 166; Configuration : Single; Polarity : P; | ||||
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CEB115N08
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 80; @10V : 5.7; ID(A) : 115; @10V(typ) : 47; Pd(W) : 129; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB1165
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB1175
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB1188SA
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 850; @10V : 720; ID(A) : 7.8; @10V(typ) : 17; Pd(W) : 119; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB1194
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 900; @10V : 3500; ID(A) : 4; @10V(typ) : 31; Pd(W) : 139; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB1195
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB1195A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 900; @10V : 3000; ID(A) : 5; @10V(typ) : 29; Pd(W) : 164; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB11N65S
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 650; @10V : 420; ID(A) : 11; @10V(typ) : 19; Pd(W) : 125; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB11P10
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : -100; @10V : 270; ID(A) : -9; @10V(typ) : 16; Pd(W) : 44.6; Configuration : Single; Polarity : P; | ||||
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CEB120N085
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 85; @10V : 5.3; ID(A) : 120; @10V(typ) : 74; Pd(W) : 138; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB120N20
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 200; @10V : 10.4; ID(A) : 117; @10V(typ) : 90; Pd(W) : 227; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB125N15
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 150; @10V : 7.2; ID(A) : 125; @10V(typ) : 67; Pd(W) : 215; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB12N5
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB12N6
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB12N65A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 650; @10V : 750; ID(A) : 12; @10V(typ) : 33; Pd(W) : 250; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB12N6A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 600; @10V : 700; ID(A) : 12; @10V(typ) : 33; Pd(W) : 198; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB12P10
中文翻译 品牌: CET |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor P沟道增强型场效应晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
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CEB1310S
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 100; @10V : 8.4; ID(A) : 83; @10V(typ) : 38; Pd(W) : 104; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB1310SL
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 100; @10V : 7.5; ID(A) : 88; @4.5V(typ) : 22; Pd(W) : 104; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB13N07
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB13N10
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB13N10L
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB13N5
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB13N5B
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 500; @10V : 460; ID(A) : 13.5; @10V(typ) : 38; Pd(W) : 208; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB13N65S
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 650; @10V : 320; ID(A) : 13.8; @10V(typ) : 25; Pd(W) : 160; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB140N10
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 100; @10V : 7.5; ID(A) : 137; @10V(typ) : 231; Pd(W) : 208; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB145N10S
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 100; @4.5V : 4.5; ID(A) : 143; @10V(typ) : 71; Pd(W) : 166; Configuration : Single; Polarity : N; | ||||
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CEB14A04
中文翻译 品牌: CET |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N沟道增强型网络场效晶体管 |
晶体 晶体管 | |||
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CEB14A04A
中文翻译 品牌: CET |
Package : TO-263; BVDSS(V) : 40; @10V : 2.6; ID(A) : 163; @10V(typ) : 139; Pd(W) : 125; Configuration : Single; Polarity : N; |
CET是什么品牌：华瑞成立于1984年，是国内最具竞争力之功率半导体元件制造厂。本公司已取得多项产品发明专利，并经ISO14001、QS9000、ISO9001认证。
华瑞是台湾第一家自行研发、生产、销售Power MOSFETs自有品牌的公司。从元件设计、晶圆加工、封装、特性分析、测试全程作业以及客户服务，行销全球。本公司产品已被广泛应用于M/B、NB、UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor…等领域。
华瑞拥有非常齐全的功率金氧半晶体管的产品线及高压闸极绝缘双极性晶体管产品，也可以依客户需求客制化制作产品。华瑞拥有二十多年IC封装经验以及台湾功率半导体元件经验最丰富、最悠久的设计团队。未来将以此为基础，开发更先进之产品，以客户服务为导向，提供最佳的质量与交期，以期满足客户之需求。