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EPROM
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图片 型号 文档 类别 描述 品牌 供应商
27C128-20/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-20/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-20/KA EPROM EPROM, 16KX8, 200ns, CMOS, CQCC32
27C128-20E/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-20E/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-20I/J EPROM 16KX8 UVPROM, 200ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-20I/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-20I/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-20I/KA EPROM EPROM, 16KX8, 200ns, CMOS, CQCC32
27C128-25/K EPROM 16KX8 UVPROM, 250ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-25/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 250 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-25/KA EPROM EPROM, 16KX8, 250ns, CMOS, CQCC32
27C128-25E/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-25E/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 250 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-25I/J EPROM 16K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C128-25I/K EPROM 16K X 8 UVPROM, 250 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C128-25I/KB EPROM EPROM, 16KX8, 250ns, CMOS, CQCC32
27C16Q-45 EPROM UVPROM
27C16Q-55 EPROM UVPROM
27C16Q450/883 EPROM 2KX8 UVPROM, 450ns, CDIP24, WINDOWED, CERAMIC, DIP-24
27C210-12FA EPROM EPROM, 64KX16, 120ns, CMOS, CDIP40
27C210-20FA EPROM EPROM, 64KX16, 200ns, CMOS, CDIP40
27C216-15IA EPROM UVPROM, 1MX16, 150ns, CMOS, CDIP44
27C220-150V10 EPROM UVPROM, 128KX16, 150ns, CMOS, CDIP40, WINDOWED, CERDIP-40
27C220-200V10 EPROM UVPROM, 128KX16, 200ns, CMOS, CDIP40, WINDOWED, CERDIP-40
27C240-15IA EPROM EPROM, 256KX16, 150ns, CMOS, CDIP40
27C240-20IA EPROM UVPROM, 256KX16, 200ns, CMOS, CDIP40,
27C240-20IA EPROM EPROM, 256KX16, 200ns, CMOS, CDIP40
27C256-10/K EPROM 32K X 8 UVPROM, 100 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C256-15/D EPROM EPROM, 32KX8, 150ns, CMOS, CDIP28
Total:6001234567891011...20
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EPROM 热门型号

什么是EPROM

    EPROM是一种是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。 EPROM其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
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