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EPROM
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图片 型号 文档 类别 描述 品牌 供应商
27C512-25I/KA EPROM EPROM, 64KX8, 250ns, CMOS, CQCC32
27C512-90/J EPROM 64K X 8 UVPROM, 90 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C512-90E/J EPROM 64K X 8 UVPROM, 90 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C512-90FA EPROM EPROM, 64KX8, 90ns, CMOS, CDIP28
27C512-90I/J EPROM 64K X 8 UVPROM, 90 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C512-90I/K EPROM 64K X 8 UVPROM, 90 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C512A15FA EPROM EPROM, 64KX8, 150ns, CMOS, CDIP28
27C64-12/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 120 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-12/KA EPROM EPROM, 8KX8, 125ns, CMOS, CQCC32
27C64-12E/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-12E/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 120 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-12I/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-12I/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 120 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-15/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-15/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 150 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-15/KB EPROM EPROM, 8KX8, 150ns, CMOS, CQCC32
27C64-15E/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-15E/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 150 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-15I/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 150 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-15I/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 150 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-15I/KA EPROM EPROM, 8KX8, 150ns, CMOS, CQCC32
27C64-15I/KB EPROM EPROM, 8KX8, 150ns, CMOS, CQCC32
27C64-17/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 170 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-17/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 170 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-17/KA EPROM EPROM, 8KX8, 170ns, CMOS, CQCC32
27C64-17/KB EPROM EPROM, 8KX8, 170ns, CMOS, CQCC32
27C64-17E/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 170 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-17E/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 170 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-17I/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 170 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-17I/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 170 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
Total:6001234567891011...20
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EPROM 热门型号

什么是EPROM

    EPROM是一种是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。 EPROM其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
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