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EPROM
图片 型号 文档 类别 描述 品牌 供应商
27C64-20/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-20/J EPROM EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28
27C64-20/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-20/KB EPROM EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC32
27C64-20E/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-20E/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-20I/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 200 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-20I/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 200 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-20I/KA EPROM EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC32
27C64-20I/KB EPROM EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC32
27C64-25/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-25/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 250 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-25B/XX EPROM IC,EPROM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC
27C64-25E/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-25E/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 250 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-25I/J EPROM 8K X 8 UVPROM, 250 ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
27C64-25I/K EPROM 8K X 8 UVPROM, 250 ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
27C64-25I/KB EPROM EPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CQCC32
27C64A-12FA EPROM EPROM, 8KX8, 120ns, CMOS, CDIP28
27C64A-90FA EPROM EPROM, 8KX8, 90ns, CMOS, CDIP28
27C64A/BUA-20 EPROM UVPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CQCC32
27C64A/BUA-35 EPROM UVPROM, 8KX8, 350ns, CMOS, CQCC32
27C64A/BXA-20 EPROM UVPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28
27C64A/BXA-25 EPROM UVPROM, 8KX8, 250ns, CMOS, CDIP28
27C64A/BXA-35 EPROM UVPROM, 8KX8, 350ns, CMOS, CDIP28
27C64AA15FA EPROM EPROM, 8KX8, 150ns, CMOS, CDIP28
27C64AA20FA EPROM EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28
27C64AI12FA EPROM EPROM, 8KX8, 120ns, CMOS, CDIP28,
27C64AI20FA EPROM EPROM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDIP28
27CX010L-55 EPROM UVPROM, 128KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
Total:6001234567891011...20
总600条记录,每页显示30条记录分20页显示。

什么是EPROM

    EPROM是一种是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的(非挥发性)。EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明,它是一组浮栅晶体管,被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。 EPROM其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入。其基本单元电路(存储细胞),常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路,简称为FAMOS。它与MOS电路相似,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。