拆解 Tesla Model 3 逆变器:芯片技术与系统架构解读
在电动汽车领域,逆变器作为关键部件,其性能和设计直接影响着车辆的动力输出和能源转换效率。本次,我们依托名古屋大学电力电子研究项目,对 Tesla Model 3 车型的逆变器进行了详细拆解,深入探究其内部结构和所使用的芯片。
逆变器整体结构特点
与此前拆解过的同类产品相比,Tesla Model 3 逆变器的核心特点在于结构简洁。从视频呈现角度来看,虽无复杂的外观设计,但简洁的结构恰恰体现了其工程优化思路。逆变器原顶部设有盖子,为便于拆解与展示,已提前移除。整体可初步划分为控制板、栅极驱动板、电流传感器、耐热片、绝缘片、薄膜电容器、汇流排、功率半导体及冷却 fins 等核心部件,各部件布局清晰,组装逻辑明确。
值得一提的是,特斯拉 Model 3 把 PCB 做成了一个美国地图的形状,这种独特的设计不仅增加了产品的趣味性,也可能在一定程度上优化了电路布局和信号传输。
图:逆变器整体外观
此外,我们还可以看到三相母线、直流母线和功率半导体等关键部件的细节。
图:三相母线
图:直流母线
图:功率半导体
关键部件功能与设计解析
1.薄膜电容器
生产厂商为 Nichicon(尼吉康),主滤波功能额定电压 430VDC、容量 550μF,搭配 2 个 0.68μFY 电容,用于抑制电磁干扰、稳定直流电压。电池正负极输入后,经电容平滑处理的电流分为正、负两路输出;底部汇流排先与功率半导体(SiCFETs)连接,再叠加铜制汇流排强化导通,最终通过端子转化为三相输出,形成完整的电能传输链路。
图:薄膜电容器
2.汇流排
类型与材质:包含三相输出汇流排与直流汇流排,均为高纯度铜制,其中负极侧汇流排铜含量95.26%,三相输出汇流排铜含量95.14%,低杂质比例确保电流传输低损耗。
连接与扩展设计:采用焊接方式与SiC FETs连接,保障导电稳定性;部分端子旁预留未连接区域,拆除覆盖汇流排后可直接焊接扩展,满足未来电流容量升级需求,体现模块化设计思维。
图:汇流排
3.功率半导体与驱动系统
SiC FETs(碳化硅场效应晶体管):采用STGK026,具备高频开关特性与低导通损耗,24颗器件按教科书式布局排列,清晰划分正极接入、交流输出、负极回流区域,适配高压大电流工况。
门驱动器(Gate Drivers):6颗STGAP1AS驱动IC,表面涂层虽影响型号识别,但功能明确——单颗驱动4颗SiC FETs,因自身输出能力不足,额外增加缓冲器强化驱动信号;电路严格区分上桥臂(HIGH side,板标“HI”)与下桥臂(LOW side,板标“LO”),确保功率器件有序开关。
图:SiC FETs
5.控制与检测系统
微控制器(MCU):采用TI TMS320F28377DPTPQ,作为逆变器控制核心,整合电能转换算法、故障诊断、通信管理等功能,是实现精准控制的“大脑”。
电流检测:三相输出路径上搭载Broadcom ACPL-C87BT-000E高压感应器,仅检测两相电流(通过算法推算第三相),简化硬件设计同时保证检测精度;传感器核心带切口,可与汇流排区域精准适配,搭配2个霍尔传感器强化信号采集。
温度检测:控制板配备TI LMV844温度放大器,搭配2个温度传感器(预留1个安装位),传感器嵌入汇流排凹槽并填充导热硅,确保实时捕捉关键区域温度,避免器件过热损坏。
通信与存储:通过2颗TI SN65HVD1040A CAN收发器与1颗NXP TJA1021 LIN收发器,实现逆变器与整车控制器的信息交互;Microchip 25LC256E EEPROM用于存储校准数据、故障日志,保障系统参数稳定。
图:微控制器
5.电源与冷却系统
Infineon TLF35584QVVS2 DC/DC与TDK VGT22EPC-222S6A12 DC/DC变压器配合,将高压电池电压转换为低压信号,为控制板、传感器等低压部件供电,确保辅助系统稳定运行。
冷却结构:功率半导体附着的铝材背面设有椭圆形冷却fins,原盖子预留进水口与出水口形成水循环;采用“银烧结”技术连接半导体与冷却fins,热导率极高,可快速导出Si CFETs工作热量。
图:冷却系统
拆解总结与展望
Tesla Model 3 逆变器以 “简洁即最优” 为设计核心。一方面,通过简化部件布局(如两相电流检测、模块化汇流排)降低生产与维护成本;另一方面,精选高性能元器件(如 ST SiC FETs、TI MCU)与高效冷却技术,保障高压工况下的可靠性。尤其 PCB 板采用美国地图造型,虽无功能性提升,却体现了研发团队的创意设计,为工业产品增添趣味性。
最后,为大家附上 Tesla Model 3 逆变器核心电子元器件的参数与配置:
◆碳化硅场效应晶体管SiC FETs:24颗ST GK026
◆门驱动器Gate Drivers:6颗ST GAP1AS
◆微控制器单元MCU:1颗TI TMS320F28377DPTPQ
◆解析器放大器Resolver Amp:1颗ON Semi TCA0372BDW
◆温度放大器Temp Amp:1颗TI LMV844
◆电可擦写只读存储器EEPROM:1颗Microchip 25LC256E
◆CAN Transceiver:2颗TI SN65HVD1040A
◆LIN Transceiver:1颗NXP TJA1021
◆高压感应器HV Sense:1颗Broadcom ACPL-C87BT-000E
◆DC-DC Power:1颗Infineon TLF35584QVVS2
◆DC-DC Transformer:1颗TDK VGT22EPC-222S6A12
的真实性如本站文章和转稿涉及版权等问题,请作者及时联系本站,我们会尽快处理。
网址:https://www.icpdf.com/design/2253.html

热门文章
- RTX 5090移动GPU将率先采用单颗3GB GDDR7显存 2025-01-02
- 思特威正式发布子品牌飞凌微,首发M1系列智驾视觉处理芯片 2024-08-14
- 解析双电源电路图及其工作原理 2024-08-14
- 黑芝麻智能A2000芯片:引领智能驾驶与人形机器人的算力革命 2025-04-28
- NPU 局限性凸显,GPGPU 或成未来 AI 芯片首选 2025-07-24
- 神玑 NX9031:全球首款 5nm 车规芯片全行业开放引关注 2025-07-07
- 隔离式电压检测技术:优化功率转换与电机控制效率的关键 2025-02-25
- Chiplet 技术解构:区分市场炒作与技术现实 2025-07-23
- CTS 温度解决方案 - 产品目录(英文版) 2024-09-19
- 0.7nm 芯片路线图升级:Forksheet 架构助力芯片性能提升 2025-06-13