长飞先进武汉基地首批设备搬入，预计明年5月量产通线

近日，长飞先进半导体有限公司武汉基地迎来了首批设备的搬入仪式，标志着这一总投资超过200亿元的重大项目进入了工艺验证的新阶段，量产通线正式进入倒计时。该项目聚焦第三代半导体功率器件的研发与生产，计划于2025年5月实现量产通线。

长飞先进武汉基地项目于2023年8月25日正式落户武汉新城的光谷科学岛，7天后项目正式启动建设。2024年6月，项目主体结构全面封顶，从打下第一根桩到实现结构封顶，厂房建设耗时不到10个月，创造了百亿级投资项目建设的新速度。此次首批设备的搬入，较原定计划大幅提前，展现了项目推进的高效和顺利。

据悉，本次搬入的设备涵盖了芯片制造的各个环节，包括薄膜淀积、离子注入、光刻、刻蚀等，将为武汉基地构建全链条生产能力、加速通线量产奠定坚实根基。长飞先进总裁陈重国在仪式上表示，首批设备的进驻标志着武汉基地项目正式进入产能建设新阶段，接下来还将面临工艺验证、产品通线等更多、更难的挑战。目前，长飞先进武汉基地项目正加快推进建设并对设备进行安装调试，以确保按计划实现量产通线。

长飞先进武汉基地项目一期总投资80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。该项目不仅符合当前全球半导体行业的发展趋势，更是顺应了新能源汽车、光伏储能、电力电网、轨道交通等领域对第三代半导体功率器件的迫切需求。我国作为第三代化合物半导体的最大应用市场，发展这一产业对于提升国际竞争力具有重大意义。

光谷科学岛作为项目的所在地，具备设计、制造、封装、测试等半导体全产业链条，拥有成熟的产业环境和大量产业人才。长飞先进在武汉招聘了数百名人才，他们目前在长飞先进芜湖基地的碳化硅产线上积累工作经验。随着生产设备搬入，部分产业人才将分批回到武汉，参与武汉基地的设备调试和量产通线工作。

长飞先进半导体有限公司的前身是长飞光纤，成立于1988年。近年来，公司通过收购与整合，形成了从设计、外延、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。公司在短时间内引进了近百名拥有半导体国际大厂背景的核心团队成员，平均拥有15年以上的行业经验，并成功实现了由“Foundry”到“IDM+Foundry”的业务转型。

在技术创新方面，长飞先进已形成了从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的完整产业链布局，拥有专业的SiC晶圆代工服务体系以及完整的650V-3300V SiC产品矩阵、自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台。公司的15mohm产品比导通电阻(Ron,sp)已达3.4mQ-mm²，已跻身国际先进水平。

长飞先进武汉基地项目的顺利推进，不仅展示了公司在半导体领域的实力和决心，也为我国第三代半导体产业的发展注入了新的动力。面对日益激烈的市场竞争和技术挑战，长飞先进将持续加大研发投入力度，力争早日实现量产通线，将武汉基地打造成世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。