黄仁勋：三星将成功制造HBM芯片

在近日的一次公开场合，英伟达(Nvidia)的联合创始人兼首席执行官黄仁勋表示，他坚信三星将在高带宽内存(HBM)芯片制造方面取得成功。这一言论不仅展示了黄仁勋对三星技术能力的信任，同时也突显了HBM芯片在人工智能领域的重要性。

黄仁勋是在美国消费性电子展(CES)期间发表这一看法的。他指出，三星和SK海力士是英伟达的两个最大供应商，尽管三星在HBM芯片与英伟达的合作方面目前落后于SK海力士，但黄仁勋认为三星的等待并不会太久。

HBM内存被黄仁勋称为“一个技术奇迹”，它非常复杂且附加值高，是人工智能处理器的关键组件。英伟达正在对三星的HBM芯片进行资格认证，并计划在未来开始使用这些芯片。黄仁勋强调，HBM不仅可以提高处理速度，还能提升能源效率，这对于耗电的人工智能芯片来说至关重要，有助于推动世界变得更加可持续。

三星一直在努力追赶其竞争对手SK海力士。SK海力士已经率先量产了下一代HBM芯片HBM3E，并将其供应给英伟达。与此同时，三星也宣布开发出业界首款12堆栈HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，这是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示，将于今年上半年开始量产该芯片。

然而，三星的HBM芯片之路并非一帆风顺。此前，三星的HBM芯片曾出现质量问题，并导致英伟达在供应人工智能芯片方面遇到延迟。这一问题一度给三星的盈利带来压力，并促使其在2024年11月撤换了芯片部门的一些高管，同时任命芯片部门CEO为联席CEO，并让他直接管理陷入困境的存储芯片业务。

尽管如此，黄仁勋对三星的未来仍然充满信心。他表示，三星和SK海力士的升级周期令人难以置信，一旦英伟达开始增长，这两家公司就会与英伟达一起成长。黄仁勋还补充道，他非常重视英伟达与SK海力士和三星的合作关系。

HBM已成为人工智能热潮的重要组成部分。与传统存储芯片相比，HBM提供了更快的处理速度，这对于满足人工智能应用对高性能计算的需求至关重要。市场研究公司TrendForce预测，HBM销售额占DRAM总营收的比重将从2022年的2.6%上升至2023年的8.4%，并有望进一步上升。

随着AI半导体市场的扩大，HBM的产能也在大幅增加。三星电子和SK海力士的HBM芯片产量预计将在今年实现显著增长，以满足市场对高性能AI芯片的需求。此外，三星还在开发第六代HBM4产品，计划从明年下半年开始批量生产。

黄仁勋的言论不仅为三星的HBM芯片制造之路增添了信心，也突显了英伟达在人工智能领域的领导地位。英伟达与三星、SK海力士等合作伙伴的紧密关系，将有助于推动人工智能技术的进一步发展，并为用户带来更高效、更智能的解决方案。