国产两大存储巨头双雄携手，共拓 HBM 技术新领域

在电子存储行业的发展进程中，一则消息引发了广泛关注。据韩媒 ZDNet Korea 报道，长江存储正在和长鑫存储展开合作，计划联合开发 DRAM 和 HBM 产品。这一合作举措被视为存储产业链上的一次重大突破，有望为国产存储技术带来新的发展契机。

按照目前的合作方案，长鑫存储将发挥其在 DRAM 领域的优势，提供相关产品；而长江存储则凭借其在混合键合方面的技术专长，为合作项目贡献关键技术。这种工艺极有可能被应用到下一代 HBM 产品中，从而提升产品的性能和竞争力。

长江存储长期专注于 NAND 闪存领域，经过多年的技术积累和研发投入，在该领域拥有深厚的技术底蕴和丰富的生产经验。长鑫存储则在 DRAM 的研发和生产方面表现出色，是国内 DRAM 领域的重要企业。二者的合作实现了优势互补，为国产存储技术的发展注入了强大动力。

尤其是在 HBM 这一高性能存储方向上，混合键合技术是关键突破口。与传统的焊球连接方式相比，混合键合技术能够实现芯片层与层之间直接铜对铜连接，这种连接方式不仅可以减小封装厚度，还能有效提升性能和散热效果。早在五年前，长江存储就已经在 NAND 闪存中率先应用这种技术，并将其发展成了自家的 Xtacking 工艺。目前，该工艺已经在 X2、X3、X4 等一系列 NAND 产品中实现了成熟量产。如今将其与 DRAM 进行结合，无疑具有巨大的发展潜力。

业内猜测，此次长江存储和长鑫存储的合作，与 8 月 31 日特朗普颁布的豁免令密切相关。8 月 31 日，特朗普宣布三星和 SK 海力士将不被允许向中国工厂运送新的美国制造设备。这一举措使得这两家公司在中国生产芯片面临更大的困难，从另一个角度看，也为中国本土的 DRAM 和 HBM 市场提供了一个难得的发展窗口期。长江存储和长鑫存储的合作正好抓住了这个时机，有望借此加快缩小与海外厂商在 HBM 领域的技术差距。

目前的 HBM 市场基本呈现三足鼎立的格局。三星、SK 海力士和美光三家长期垄断该市场，其中 SK 海力士因为和英伟达的深度合作，占据了超过一半的市场份额。三星、SK 海力士受限后，美光也借机拓展市场。近期美光宣布将其 DRAM 市场份额提升至 21.5%，并计划到 2025 年底将市场份额扩大到 25%。

对国内厂商来说，这也是一个难得的突破口。目前长鑫存储已准备在明年量产第四代 HBM3 芯片，虽然和三星、SK 海力士的 HBM3E 产品相比还有一定差距，但差距缩小的速度比外界预期的更快。与此同时，华为也在存储硬件领域持续发力，推出了面向高性能数据中心的 AI 固态硬盘，进一步丰富了国内高性能存储的生态。未来，国产存储厂商在 HBM 领域有望取得更大的进展，逐步打破海外厂商的垄断局面，推动国产存储技术走向世界前列。