英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆：20μm厚，基板电阻降低50%

10月29日消息，英飞凌科技公司(Infineon Technologies AG)宣布了一项半导体行业的重大突破——成功推出全球最薄的硅功率晶圆，其厚度仅为20μm。这一创新不仅标志着英飞凌在半导体处理技术上的领先地位，也为未来智能能源的应用奠定了坚实基础。

据悉，这款硅功率晶圆的直径为30mm，厚度相当于人类头发丝的四分之一。与目前市场上主流的40到60μm厚度的晶圆相比，英飞凌此次发布的晶圆在技术上实现了显著的突破。这一创新使得晶圆在保持高性能的同时，实现了更小的体积和更低的能耗。

英飞凌官方表示，通过将晶圆厚度减半，可以显著降低基板电阻，降幅达到50%。这一改进使得功率系统中的功率损耗减少了15%以上。对于高端AI服务器应用来说，这一改进尤为重要。随着电流的增大，能源需求也会相应上升，因此，将电压从230V降低到1.8V以下的处理器电压对于功率转换来说至关重要。英飞凌的超薄晶圆技术正是通过降低功耗和提高效率，满足了这一迫切需求。

此外，超薄晶圆技术还大大促进了垂直功率传输设计的发展。这种设计能够实现与AI芯片处理器的高度集成，从而在减少功率损耗的同时提高了整体效率。据英飞凌介绍，这一技术已被应用于集成智能功率级(直流-直流转换器)中，并已交付给首批客户。

英飞凌预测，在未来三到四年内，现有的传统晶圆技术将被用于低压功率转换器的替代技术所取代。这一预测不仅基于英飞凌在半导体技术上的领先地位，也反映了市场对高效、节能和小型化半导体产品的迫切需求。

英飞凌科技公司此次推出的全球最薄硅功率晶圆，不仅是一次半导体技术的重大突破，更是推动智能能源进步的重要一步。随着技术的不断发展与应用，我们有理由相信，未来的能源系统将会更加高效、更加智能，为全球可持续发展的目标实现提供有力支持。

英飞凌表示，公司计划在2024年慕尼黑国际电子元器件博览会上公开展示这款超薄硅晶圆产品。届时，全球各地的客户和合作伙伴将有机会近距离感受这一创新技术的魅力，并探讨其在各个领域的应用前景。