日本PFN启动新一代AI处理器开发：3D堆叠DRAM内存引领技术革新

近日，日本AI芯片企业Preferred Networks(以下简称PFN)宣布启动其新一代AI推理处理器MN-Core L1000的开发计划，目标于2026年交付。这一消息标志着AI处理器技术的又一重大进步，尤其是3D堆叠DRAM内存技术的应用，为解决当前AI加速器领域的带宽瓶颈问题提供了创新思路。

据悉，MN-Core L1000是PFN在其MN-Core系列AI处理器中的最新产品，专门针对大型语言模型等生成式AI推理场景进行了深度优化。预期该处理器的计算速度将达到传统GPU的十倍，这对于需要大规模并行处理和快速数据访问的高性能计算场景而言，无疑是一个巨大的飞跃。

3D堆叠DRAM内存是MN-Core L1000的核心亮点之一。传统的DRAM将存储单元横向排布在单个硅基晶圆平面上，而3D DRAM则通过将多个存储层垂直堆叠在一起，以形成更高的存储密度。这一创新设计不仅大幅缩短了逻辑计算单元与数据存储单元之间的物理距离，还优化了信号传输路径，从而显著提升了带宽上限。

与传统的2.5D封装DRAM内存方案，如被英伟达和AMD等厂商采用的高带宽内存(HBM)相比，3D堆叠DRAM内存具备更高的带宽和更大的存储密度。而与Cerebras和Groq等公司采用的SRAM缓存方案相比，3D堆叠DRAM内存则在满足大型模型推理需求的同时，减少了对昂贵的先进制程逻辑单元的占用面积。

PFN认为，MN-Core L1000采用的3D堆叠DRAM内存技术兼具了HBM方案的高容量和SRAM方案的高带宽两大优势。此外，其计算单元的高能效设计也成功应对了3D堆叠DRAM带来的热管理挑战。这一技术创新不仅解决了当前AI加速器面临的带宽瓶颈问题，还为AI领域的深度学习、自然语言处理等多种任务提供了强有力的技术支持。

MN-Core L1000的开发也得到了合作伙伴的大力支持。今年8月，PFN与日本金融巨头SBI Holdings共同组建了资本和商业联盟，致力于推进下一代AI半导体的开发与产品化。而早前的7月，三星电子也获得了PFN的2nm先进制程与I-Cube S先进封装的整体代工订单，进一步推动了MN-Core L1000在高端AI处理器市场的布局。

随着生成式AI技术的迅猛发展，市场对更强大的计算能力需求愈发迫切。尤其是在大语言模型和多模态AI的背景下，MN-Core L1000的推出具有重要意义。该处理器在实际应用中，不仅能显著提升智能设备的推理能力，还能显著优化用户体验，使AI技术在各行各业的渗透更加深入。

日本PFN此次推出的MN-Core L1000处理器不仅标志着AI处理器技术的又一重大进步，也预示着AI硬件发展的新方向。随着技术的不断演进，未来的AI处理器将不仅仅是计算单元，更将成为推动社会和经济发展的重要驱动力。我们有理由相信，在不久的将来，AI技术将不断重塑传统行业，带来更多的机遇和挑战。