台积电美国工厂预计2028年启动2纳米工艺量产

近日，台积电向美国商务部递交的资料显示，其位于美国亚利桑那州的晶圆厂正在按计划顺利推进，并有望于2028年启动2纳米(nm)工艺的量产。这一消息引发了全球半导体产业的广泛关注，标志着台积电在美国的生产布局取得了重大进展。

根据台积电的计划，亚利桑那州的晶圆厂将分阶段建设。第一期工程预计于2025年上半年开始生产4纳米节点制程，而第二座晶圆厂则预计在2028年启动2纳米制程技术的量产。此外，台积电还计划在该地区建设第三座晶圆厂，预计将在21世纪20年代底(约2030年前)采用2纳米或更先进的制程技术进行生产。

为了吸引台积电等先进芯片制造商赴美投资，美国政府出台了“芯片法案”，并为台积电的亚利桑那州工厂提供了高达66亿美元的补贴。这项政策不仅展示了美国对半导体产业自主生产能力的重视，也旨在减少对外依赖，增强国内供应链的韧性。

台积电在美国亚利桑那州的晶圆厂项目被称为Fab 21，总投资额约为650亿美元。该项目的实施不仅能够有效提升美国本土的半导体生产能力，还将吸引更多高科技企业进驻该地区，进一步推动相关行业的发展。预计，随着台积电美国工厂的建设和投产，将创造超过6000个制造业的直接工作岗位，并增加超过20000个建筑相关岗位，为当地劳动力市场注入新的活力。

台积电在全球半导体市场的强大技术实力使其成为行业标杆。此次美国工厂的生产工艺计划引入A16和N2系列(包括N2、N2P及N2X)工艺，标志着台积电加速推进2纳米制程节点的量产。这一技术革新将大幅提升芯片性能，并有助于推动下一代电子产品的开发。

台积电在美国的扩张不仅体现了公司对多元化布局的战略考量，也展示了其应对复杂全球市场环境的决心。尽管台积电在台湾的生产效率和技术水准持续领先，但此次美国工厂的设立将使其能够更好地服务全球客户，并进一步巩固其在半导体行业的领先地位。

随着全球半导体产业的竞争日益激烈，台积电在美国的生产布局将对行业格局产生深远影响。未来，随着新技术的不断引入和研发进程的加快，预计台积电将为全球市场带来更多创新和变革。