| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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11274-001
中文翻译 品牌: ETC |
Programmable Line Lock Clock Generator IC 可编程线路锁定时钟发生器IC |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 光电二极管 | |||
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11274-901
中文翻译 品牌: ETC |
Programmable Line Lock Clock Generator IC 可编程线路锁定时钟发生器IC |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 光电二极管 | |||
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11565-801
中文翻译 品牌: ETC |
Motherboard Clock Generator IC 主板时钟发生器IC |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 光电二极管 | |||
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11565-811
中文翻译 品牌: ETC |
Motherboard Clock Generator IC 主板时钟发生器IC |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 光电二极管 | |||
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11575-801
中文翻译 品牌: ETC |
EEPROM Programmable 3-PLL Clock Generator IC EEPROM的可编程3 -PLL时钟发生器IC |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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11575-811
中文翻译 品牌: ETC |
EEPROM Programmable 3-PLL Clock Generator IC EEPROM的可编程3 -PLL时钟发生器IC |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 光电二极管 可编程只读存储器 电动程控只读存储器 电可擦编程只读存储器 | |||
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11640-101
中文翻译 品牌: ETC |
PLL Clock Generator IC with VCXO PLL时钟发生器IC与VCXO |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 石英晶振 压控振荡器 光电二极管 | |||
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11640-111
中文翻译 品牌: ETC |
PLL Clock Generator IC with VCXO PLL时钟发生器IC与VCXO |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 石英晶振 压控振荡器 光电二极管 | |||
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11640-828
中文翻译 品牌: ETC |
DUAL PLL CLOCK GENERATOR IC 双PLL时钟发生器IC |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 光电二极管 | |||
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11640-838
中文翻译 品牌: ETC |
DUAL PLL CLOCK GENERATOR IC 双PLL时钟发生器IC |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 光电二极管 | |||
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11825-808
中文翻译 品牌: ETC |
Three-PLL Clock Generator IC 三-PLL时钟发生器IC |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 光电二极管 | |||
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11825-818
中文翻译 品牌: ETC |
Three-PLL Clock Generator IC 三-PLL时钟发生器IC |
晶体 时钟发生器 外围集成电路 光电二极管 | |||
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1ED020I12-F
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single IGBT Driver IC 单IGBT驱动器IC |
驱动器 双极性晶体管 | ||
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1ED020I12FA
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single IGBT Driver IC 单IGBT驱动器IC |
驱动器 MOSFET驱动器 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 双极性晶体管 | ||
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1ED020I12FA2
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 汽车 - 电流隔离式单通道 IGBT 驱动器 IC | 驱动 双极性晶体管 驱动器 | ||
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1ED020I12FTA
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single IGBT Driver IC 单IGBT驱动器IC |
驱动器 MOSFET驱动器 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 双极性晶体管 | ||
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1ED21271S65F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 650 V high side single channel gate driver IC with a typical 4 A source and 4 A sink current in DSO-8 package for IGBTs, MOSFETs and SiC M | 驱动 双极性晶体管 | |||
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1ED2127S65F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 650 V high side single channel gate driver IC with a typical 4 A source and 4 A sink current in DSO-8 package for IGBTs, MOSFETs and SiC M | 驱动 双极性晶体管 | |||
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1ED21471S65F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 650 V high side single channel gate driver IC with a typical 4 A source and 4 A sink current in DSO-8 package for IGBTs, MOSFETs and SiC M | 驱动 双极性晶体管 | |||
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1ED2147S65F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 650 V high side single channel gate driver IC with a typical 4 A source and 4 A sink current in DSO-8 package for IGBTs, MOSFETs and SiC M | 驱动 双极性晶体管 | |||
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1ED44171N01B
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 25 V single-channel low-side non-inverting gate driver IC for MOSFETs or IGBTs with typical 2.6 A source and sink currents in a tiny 5-lea | 驱动 双极性晶体管 功率因数校正 | |||
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1EDC05I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
1200 V单边高侧栅极驱动器IC，具有UL认证的电流隔离、短路箝位和独立的汇/源输出 | 栅极驱动 双极性晶体管 光电二极管 接口集成电路 驱动器 | ||
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1EDC20H12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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1EDC20I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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1EDC60H12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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1EDC60I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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1EDI60H12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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1EDI60I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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2DD1766P-13
中文翻译 品牌: DIODES |
CE结击穿电压Vceo(V):32V;最大集电极电流Ic(mA):2A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):800mV @ 200mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):220MHz;元器件封装:TO-243AA; | |||
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2ED020I06-FI
中文翻译 品牌: INFINEON |
Dual IGBT Driver IC 双IGBT驱动器IC |
驱动器 MOSFET驱动器 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 双极性晶体管 |