重磅！三星电子正式终止1z制程8Gb LPDDR4生产

全球记忆体市场正经历一场深刻的结构性调整。据业内权威消息透露，三星电子已向客户发出正式通知，将于2025年4月停止采用1z制程的8Gb LPDDR4记忆体生产(EOL)，并要求客户在6月前完成最后订单(LBO)，预计所有出货最迟将在10月前完成。这一重大决策标志着DRAM产业正式进入新一轮产品迭代周期。

市场分析师指出，三星此举主要基于两大战略考量：一方面，中国大陆低阶手机采用的LPDDR4记忆体市场已被长江存储等陆系厂商以价格优势占据；另一方面，三星需要集中资源抢占更具成长性的高阶记忆体市场。这一转变不仅影响供应链格局，也将重塑全球记忆体产业的竞争态势。

产业升级加速：韩系厂商全面转向HBM与DDR5

三星停产LPDDR4的决定，实质上宣告了DRAM产品结构的大规模重组。韩国记忆体巨头正全力将产能转向技术含量更高、利润更丰厚的高频宽记忆体(HBM)与DDR5产品线。这种战略转向反映了全球记忆体产业从传统产品向高性能计算应用的快速迁移。

行业内部人士透露，三星考虑调整DDR4产品线已有数月之久，主要基于以下关键因素：

1.资源优化配置：HBM与DDR5的毛利率显著高于传统DDR4产品

2.市场竞争压力：中国厂商持续扩大DDR4产能并采取激进定价策略

3.技术领先优势：在HBM领域保持技术壁垒是维持市场领导地位的关键

值得注意的是，这一产业升级趋势不仅限于三星。据此前报道，美光和SK海力士也可能在今年底前逐步停止DDR3和DDR4的生产，全面转向DDR5和HBM。

台系厂商迎转单机遇 陆厂加速技术追赶

在这一轮产业调整中，台湾记忆体厂商有望获得显著转单效益。由于台厂主力产品仍集中在DDR4领域，随着韩系厂商退出，预计将承接部分中高阶DDR4市场需求。特别是那些对"中国制造"有顾虑的客户，可能将订单转向台系供应商。

与此同时，中国大陆记忆体制造商正呈现"双轨并进"的发展态势：

●低阶市场：已通过价格战成功夺取大量LPDDR4市场份额

●高阶市场：正加大研发投入，试图突破HBM和DDR5技术壁垒

这种发展模式正在改变全球记忆体产业的传统格局，对韩国主导的产业秩序构成实质性挑战。

地缘政治与市场风险加剧行业不确定性

当前全球记忆体市场面临的地缘政治风险显著升高。美国总统特朗普于4月9日启动对等关税机制，拟对台湾出口至美国的记忆体模组与SSD等产品课征32%关税。虽然HBM、DDR与NAND裸晶不在课税清单中，但终端模组需求可能受到抑制。

根据研究机构最新预测，在中立情境下，2025年全球记忆体位元需求年增率，将自原先预估的12.8％下修至4.8％；而熊市情境更下探至3.5％。

NAND市场方面，尽管现货价格已接近成本线，但主要厂商通过10%-20%的产能调节，暂时维持了价格稳定和基本获利能力。

市场展望：短期维稳与长期挑战并存

综合业界观点，记忆体市场短期内将呈现以下特征：

1.价格支撑：备货需求与供给收缩将支撑市场价格

2.分化明显：DDR4与HBM/DDR5市场表现将显著分化

3.转单效应：台厂有望获得部分中高阶DDR4转单

然而，中长期来看，行业面临多重挑战：

●中国大陆记忆体厂商的产能扩张速度

●美国关税政策的后续发展

●主要厂商资本支出策略调整

●DDR4供应缺口可能影响入门级电子产品生产

特别值得关注的是，随着三大原厂逐步退出DDR4生产，2025年中可能出现DDR4供应紧张局面，这既带来市场机会，也可能制约部分消费电子产品的生产。

全球记忆体产业正站在技术升级与市场重构的关键转折点，厂商的战略选择与应对能力将决定其在新时代竞争格局中的位置。