三星芯片借 HBM 发力，力图扭转局势反超

在半导体行业竞争日益激烈的当下，三星电子近期的一系列动作备受关注。据报道，三星电子结束了一年一度的全球战略会议，其设备解决方案（DS）机构部门着重探讨了增强高带宽存储器（HBM）和代工等领域竞争力的措施。三星电子全球战略会议分别于每年 6 月和 12 月举行，各地区法人代表广泛参与其中，按机构部门和地区分享议题，并深入探讨营销战略。

22 日，业内人士透露，DS 机构部门在 18 日的战略会议上，将 HBM 作为主要议题。具体讨论了向 NVIDIA 供应第五代 HBM（HBM3E）12 层的战略、第六代 HBM（HBM4）的量产计划，以及 DRAM 设计的改进等内容。近年来，三星电子的内存部门竞争力有所下滑。今年第一季度，其 DRAM 市场第一的位置时隔 33 年首次被 SK 海力士夺走。与此同时，美国美光公司和中国的长鑫存储（CXMT）也在迅速追赶，使得三星电子的危机感日益加剧。

目前，业界普遍认为三星电子 DRAM 竞争力和市场份额的下滑，主要源于 HBM 业务的失误。不过，13 日三星电子正式向美国科技巨头 AMD 交付升级版 HBM3E 12 层产品，这充分证明了其技术实力。同时，这也引发了关于三星电子试图打入尚未进入的 NVIDIA 供应链的讨论。当前，三星电子向 AMD 供应的 HBM3E 产品正在接受 NVIDIA 的严格质量测试。此外，三星电子还审查了下半年采用 10 纳米第六代（1c）DRAM 量产 HBM4 的计划。随着近期通用 1c DRAM 良率的显著提高，用于 HBM 的 1c DRAM 的良率和性能也在加速提升。

从代工业务来看，三星电子的晶圆代工部门每季度亏损高达数万亿韩元。据市调机构 TrendForce 数据显示，今年第一季度三星电子晶圆代工市场份额为 7.7%，较上一季度下降 0.4 个百分点，与行业龙头台积电（67.6%）的差距有所扩大，而与中国中芯国际（6%）的差距有所缩小。因此，为了保住市场份额，争取更多客户至关重要。

在系统 LSI 方面，双方正在就三星电子下个月即将推出的折叠式智能手机 “Galaxy Z7 系列” 中将采用的应用处理器（AP）“Exynos 2500” 等下一代产品进行深入讨论。

值得一提的是，三星电子正积极投资下一代 DRAM 生产，以 HBM 为中心寻求复苏。此前，由于人工智能半导体高带宽存储器 (HBM) 市场面临挑战，三星电子在第一季度被 SK 海力士抢占了 DRAM 市场主导地位。不过，在下一代 DRAM 良率大幅提升后，三星迅速进入量产阶段，展现出重夺 “内存霸主” 地位的决心。据业界消息人士 7 月 19 日透露，三星电子上个月在 10 纳米级第六代 DRAM 晶圆的性能测试中，实现了 50 - 70% 的良品率，相比去年同类产品不到 30% 的良品率有了实质性进步。

改进的关键在于重新设计。三星的研究团队实施了各种新的结构改进，以提高芯片效率和生产率。尽管最初计划去年年底开始量产 10 纳米级第六代 DRAM，但三星还是冒险重新设计了芯片，尽管这可能会延迟一年以上。这一决定最终被证明是正确的，并带来了重大的技术进步。

三星不失时机地投资大规模生产线，采取提前准备生产线的策略，以便在最终测试完成后立即投产。三星雄厚的现金储备和工艺专长促成了这一快速决策。一位业内人士评论道：“与 SK 海力士和美光科技相比，三星电子拥有更丰富的有形和无形资源。他们能否复制过去的战略，利用‘规模经济’来提升成本竞争力，并通过规模效应向竞争对手施加压力，还有待观察。”

此次 DRAM 的量产预计将显著提升三星计划于年内量产的第 6 代 HBM（HBM4）的竞争力。此次投资的平泽 4 号工厂 DRAM 生产线生产的产品将供应移动（LPDDR）和服务器应用。用于生产 HBM4 的 10 纳米级第六代 DRAM 生产线位于平泽 3 号工厂。一位业内人士表示：“DRAM 的核心 —— 存储单元的核心结构，在移动 / 服务器 DRAM 和 HBM 之间非常相似，因此这将对 HBM 用 DRAM 的完成产生积极影响。” 基于此次 DRAM 的成功量产，三星可能会在平泽 3 号工厂进一步加大对 HBM4 工艺的投资。

与三星的积极态度不同，SK 海力士采取了更为谨慎的做法。SK 海力士于去年 8 月完成了 10nm 级第六代 DRAM 的开发，测试良率平均超过 80%，最高可达 90%，但预计不会立即开始量产。最初计划从今年下半年开始为京畿道利川的 M14 工厂配备必要的设备，这一计划已被推迟到明年年初，而且即使是这个时间表，预计也会比较保守。这一决定被解读为一项战略举措，旨在专注于生产 10nm 级第五代 DRAM，这种 DRAM 用于目前占主导地位的第五代高带宽存储器（HBM3E）。由于今年的生产计划已经确定，SK 海力士似乎正在优先完成现有订单。他们已经在 HBM 领域占据了相当大的市场份额，似乎更专注于整合，而不是快速扩张。另一位业内人士解释说：“SK 海力士似乎认为 10 纳米级第六代 DRAM 市场尚未成熟，而三星似乎渴望重新夺回其技术‘霸主地位’，并积极进行投资。”

三星电子此次在芯片领域的一系列布局和行动，展现出其谋求反超的坚定决心。未来，三星电子能否凭借 HBM 和代工等领域的发力，重新夺回市场主导地位，值得业界持续关注。