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高通第二代骁龙 8 至尊版芯片:告别三星,台积电代工成定局

时间:2025-07-07 13:12:26 浏览:46

近日,有博主在 X 平台发布推文爆料,高通已取消了三星的 2 纳米工艺代工计划,不再委托其生产第二代骁龙 8 至尊版芯片。在半导体产业竞争激烈的当下,这一消息无疑引发了广泛关注。

高通内部列表中,此前对第二代骁龙8至尊版芯片(基础型号编号 SM8850),有2个版本:一种是台积电制造的3纳米版本(编号为 8850-T),另一种是三星基于2纳米技术制造的版本(编号为 8850-S)。

骁龙8 Elite 2是高通下一代旗舰移动处理器,预计于2025年9月底发布。其采用台积电第三代3纳米(N3P)工艺,CPU为第二代自研Oryon架构,2+6全大核设计,主频达4.4GHz。GPU为Adreno 840,独立缓存16MB,图形性能提升约30%。它还支持SME等指令集,AI性能强劲。整体性能相比上一代显著提升,有望由小米16系列首发搭载。

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而最新消息称高通内部已不再区分版本,只剩下基础的SM8850型号,推测指的是台积电制造的3纳米芯片。

科技媒体Android Headline观点,认为从种种迹象表明,高通第二代骁龙8至尊版可能完全依赖台积电代工。高通上调了第二代骁龙8至尊版芯片原型的价格,现在对感兴趣的公司来说,成本高达15000美元。消息源还透露高通正在研发SM8845芯片,预估为骁龙8s Gen 5芯片,但目前尚不清楚具体规格细节。

另外,三星将代工生产部分高通骁龙8 Elite 2芯片,工艺升级为2纳米制程的三星SF2,套片报价比台积电3纳米版本更低,或将于明年上线。

三星对其2纳米工艺已有完整布局,包括SF2、SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等多个节点。其中,SF2为首个实现量产的2纳米工艺节点。相比上一代,该工艺在性能方面提升12%,能效提升25%。同时,SF2采用了GAA技术,中文名称为“全环绕栅极”晶体管架构。相关信息表明,GAA架构在性能和制造良率方面正在不断成熟。

然而,三星在先进制程的推进上并非一帆风顺。其原定于今年第二季度动工的 1.4 纳米测试线建设计划已被推迟,预计投资将延后至今年年底或最早明年上半年。这一调整意味着三星原计划于明年开始提供的 1.4 纳米工艺服务可能会延期,业界预计其量产时间可能推迟至 2028 年左右。推迟投资决策的主要原因是三星晶圆代工业务面临的市场低迷,今年第一季度,三星晶圆代工部门录得约 2 万亿韩元的亏损。由于客户订单减少和销售额下滑,三星已将其年初约 10 万亿韩元的年度设备投资计划削减至约 5 万亿韩元,采取更为保守的投资和管理策略。面对市场压力,三星电子现阶段将重心转向 “强化内部结构”,集中人力和投资资源于计划于今年年底量产的 2 纳米工艺上。

三星 2 纳米制程已进入关键节点,为 Galaxy S26 系列定制的 Exynos 2600 芯片已启动原型量产,目标是在不牺牲性能的前提下将良率提升至 50% 以上。若达成这一目标,三星计划于 2026 年初开启全面量产。值得注意的是,三星 2 纳米工艺的良率提升颇具挑战性。今年初的初始测试量产中,其良率仅约 30%,目前的良率已达到 40%,而此次 50% 的目标若实现,将较初期提升 20 个百分点。这一进展被视为三星 Foundry 的重要里程碑,尤其是对比其 3 纳米工艺,即便量产三年,良率仍徘徊在 50% 左右。作为三星 2 纳米技术的 “试金石”,Exynos 2600 的性能与良率将直接影响业界对其下一代制程的信心。若能成功量产,三星有望凭借 Exynos 芯片重新与高通骁龙形成竞争,进一步控制成本。

尽管台积电当前良率领先,但三星正通过技术迭代缩小差距。三星寄望于 3 纳米 GAA 架构的经验积累,加速 2 纳米良率提升,并挖角台积电前高管韩美玲(Margaret Han)执掌晶圆代工部门,试图复制台积电的管理经验。而台积电则凭借成熟的良率和客户信任度,巩固其龙头地位。

业内分析指出,2 纳米制程的竞争不仅关乎技术实力,更直接影响半导体产业链的话语权。三星若能将良率稳定在 50% 以上,有望以成本优势吸引 NVIDIA、高通等客户作为备选供应商,而台积电则凭借更高良率和产能保障,继续占据主流订单。随着两家巨头在 2025 年下半年陆续投产 2 纳米,一场围绕高性能芯片的 “代工大战” 已一触即发。