DBFS450R12KE320 [ETC]
IGBT Module ; IGBT模块\n
| 型号： | DBFS450R12KE320 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | IGBT Module
|
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25° C
VCES
1200
V
450
600
A
A
Tc= 80°C
Tc= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
IC, nom
IC
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, Tc= 80°C
ICRM
900
2
A
kW
V
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Ptot
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
VGES
+/- 20
450
900
35
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
IFRM
A
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
I²t
k A²s
kV
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
VISOL
2,5
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
-
typ.
1,7
2,0
max.
2,15
IC= 450A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
VCEsat
VGE(th)
QG
collector emitter saturation voltage
IC= 450A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
-
t.b.d.
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 18mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
5,0
5,8
4,3
32
1,5
-
6,5
V
Gateladung
gate charge
V
GE= -15V...+15V
µC
nF
nF
mA
nA
-
-
-
-
-
-
-
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Cres
-
Kollektor Emitter Reststrom
V
V
GE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 600V
CE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
ICES
5
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
IGES
-
400
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Wilhelm Rusche
date of publication: 2002-10-28
revision: 2.0
DB_FS450R12KE3_2.0
2002-10-28
1 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
typ.
max.
IC= 450A, VCC= 600V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
td,on
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C
IC= 450A, VCC= 600V
-
-
0,25
0,30
-
-
µs
µs
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
tr
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 25°C
-
-
0,09
0,10
-
-
µs
µs
V
GE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C
IC= 450A, VCC= 600V
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
td,off
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 25°C
-
-
0,55
0,65
-
-
µs
µs
V
GE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C
IC= 450A, VCC= 600V
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
tf
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 25°C
-
-
0,13
0,16
-
-
µs
µs
V
GE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C
IC= 450A, VCC= 600V, Lσ= 80nH
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C
IC= 450A, VCC= 600V, Lσ= 80nH
VGE= ±15V, RG= 1,6Ω, Tvj= 125°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Eon
Eoff
-
-
-
-
-
33
65
-
-
-
-
-
mJ
mJ
A
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
t
P ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C
CC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt
Kurzschlussverhalten
SC data
ISC
1800
20
V
Modulinduktivität
stray inductance module
LσCE
nH
mΩ
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
Tc= 25°C
RCC´/EE´
1,1
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
IF= 450A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
-
-
1,65
1,65
2,15
V
V
Durchlassspannung
VF
forward voltage
IF= 450A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
t.b.d.
IF= 450A, -diF/dt= 5200A/µs
Rückstromspitze
IRM
A
A
-
-
315
405
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
IF= 450A, -diF/dt= 5200A/µs
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
µC
µC
-
-
45
85
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
IF= 450A, -diF/dt= 5200A/µs
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
Erec
mJ
mJ
-
-
21
39
-
-
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
DB_FS450R12KE3_2.0
2002-10-28
2 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Tc= 25°C
R25
-
5
-
kΩ
%
rated resistance
Abweichung von R100
deviation of R100
Tc= 100°C, R100= 493Ω
Tc= 25°C
-5
-
-
-
5
20
-
∆R/R
P25
Verlustleistung
power dissipation
mW
K
B-Wert
B-value
R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)]
B25/50
-
3375
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Innerer Wärmewiderstand; DC
-
-
-
-
0,060
0,100
K/W
K/W
RthJC
RthCK
Tvj max
Tvj op
Tstg
thermal resistance, junction to case; DC
Diode Wechselrichter / diode inverter
pro Modul / per module
λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
-
0,005
-
K/W
°C
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
-
-
-
-
150
125
125
Betriebstemperatur
operation temperature
-40
-40
°C
Lagertemperatur
storage temperature
°C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
Al2O3
12,7
10,0
225
-
internal insulation
Kriechstrecke
creepage distance
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
Schraube / screw M5
M
M
G
3
3
6
6
Nm
Nm
g
mounting torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
Anschlüsse / terminals M6
-
terminal connection torque
Gewicht
weight
910
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the
belonging technical notes.
DB_FS450R12KE3_2.0
3 (8)
2002-10-28
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
IC= f(VCE)
VGE= 15V
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
900
750
600
450
300
150
0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
VCE [V]
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
T= 125°C
900
Vge=19V
Vge=17V
Vge=15V
Vge=13V
750
Vge=11V
Vge=9V
600
450
300
150
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VCE [V]
DB_FS450R12KE3_2.0
2002-10-28
4 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
IC= f(VGE)
VCE= 20V
900
Tvj=25°C
Tvj=125°C
750
600
450
300
150
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VGE [V]
IF= f(VF)
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
900
750
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
600
450
300
150
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
VF [V]
DB_FS450R12KE3_2.0
2002-10-28
5 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Switching losses (typical)
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
VGE=±15V, RG=1,6Ω, VCE=600V, Tvj=125°C
140
120
100
80
Eon
Eoff
Erec
60
40
20
0
0
150
300
450
600
750
900
IC [A]
Switching losses (typical)
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
VGE=±15V, IC=450A, VCE=600V, Tvj=125°C
180
160
140
120
100
80
Eon
Eoff
Erec
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
RG [Ω]
DB_FS450R12KE3_2.0
2002-10-28
6 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
1
0,1
Zth : IGBT
Zth : Diode
0,01
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
t [s]
i
1
2
3
4
ri [K/kW] : IGBT
τi [s] : IGBT
25,22
30,23
3,42
1,13
6,499E-02
42,03
6,499E-02
2,601E-02
50,43
2,601E-02
2,364E-03
5,67
2,364E-03
1,187E-05
1,87
1,187E-05
ri [K/kW] : Diode
τi [s] : Diode
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE=±15V, RG=1,6 Ω, Tvj=125°C
1200
1050
900
750
600
450
300
150
0
IC,Chip
IC,Chip
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
VCE [V]
DB_FS450R12KE3_2.0
2002-10-28
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS450R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
DB_FS450R12KE3_2.0
2002-10-28
8 (8)
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