JANTXV2N6690 [ETC]

TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC ; 晶体管| BJT | NPN | 400V V（ BR ） CEO | 15A I（C ） | TO- 210AC

JANTXV2N6690


型号：	JANTXV2N6690
厂家：	ETC
描述：	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-210AC 晶体管\| BJT \| NPN \| 400V V（ BR ） CEO \| 15A I（C ） \| TO- 210AC 晶体晶体管
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相关型号：

JANTXV2N6691

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

MICROSEMI

JANTXV2N6693

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

MICROSEMI

JANTXV2N6756

TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14A)

INFINEON

JANTXV2N6756

HEXFET TRANSISTORS

NJSEMI

JANTXV2N6758

POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9A)

INFINEON

JANTXV2N6760

TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)

INFINEON

JANTXV2N6762

TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=4.5A)

INFINEON

JANTXV2N6764

TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A)

INFINEON

JANTXV2N6764

N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

MICROSEMI

JANTXV2N6764T1

Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254AA, 3 PIN

MICROSEMI

JANTXV2N6766

POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.085ohm, Id=30A)

INFINEON

JANTXV2N6766

N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543

MICROSEMI

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