F3L30R06W1E3_B11 [INFINEON]
EasyPACK module with Trench/Feldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC; EasyPACK模块海沟/ Feldstopp IGBT3和发射极控制二极管3和压接/ NTC
| 型号： | F3L30R06W1E3_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | EasyPACK module with Trench/Feldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC |
| 文件： | 总10页 (文件大小：574K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L30R06W1E3_B11
EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC
EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC
ϑ
V†Š» = 600V
I† ÒÓÑ = 30A / I†ç¢ = 60A
Typische Anwendungen
Typical Applications
3-Level-Applikationen
Solar Anwendungen
USV-Systeme
3-Level-Applications
Solar Applications
UPS Systems
•
•
•
•
•
•
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Niederinduktives Design
Niedrige Schaltverluste
Niedriges V†ŠÙÈÚ
Low inductive design
Low Switching Losses
Low V†ŠÙÈÚ
•
•
•
•
•
•
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
AlèOé Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
AlèOé Substrate with Low Thermal Resistance
•
•
Kompaktes Design
Compact design
•
•
•
•
•
•
PressFIT Verbindungstechnik
PressFIT Contact Technology
Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: DK
approved by: MB
date of publication: 2010-09-09
revision: 3.0
material no: 34072
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L30R06W1E3_B11
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
30
45
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
60
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
150
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 30 A, V•Š = 15 V
I† = 30 A, V•Š = 15 V
I† = 30 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,55 2,00
1,70
1,80
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 0,30 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
4,9
5,8
0,30
0,0
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 600 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
1,65
0,051
nF
nF
mA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
400 nA
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 30 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 15 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,025
0,025
0,025
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 30 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 15 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,012
0,015
0,016
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 30 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 15 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,17
0,19
0,20
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 30 A, V†Š = 300 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 15 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,06
0,08
0,09
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 30 A, V†Š = 300 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 2200 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
0,18
0,28
0,31
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
R•ÓÒ = 15 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 30 A, V†Š = 300 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 4100 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
0,75
0,95
1,00
mJ
mJ
mJ
EÓËË
R•ÓËË = 15 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 360 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
t« ù 8 µs, TÝÎ = 25°C
t« ù 6 µs, TÝÎ = 150°C
210
150
A
A
IȠ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,90 1,00 K/W
0,85 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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revision: 3.0
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L30R06W1E3_B11
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒ
600
30
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
IŒç¢
I²t
60
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
90,0
82,0
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 30 A, V•Š = 0 V
IŒ = 30 A, V•Š = 0 V
IŒ = 30 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,60 2,00
1,55
1,50
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 30 A, - diŒ/dt = 2200 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
44,0
50,0
53,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 30 A, - diŒ/dt = 2200 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,30
2,40
2,80
µC
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 30 A, - diŒ/dt = 2200 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
0,37
0,67
0,76
mJ
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
1,25 1,40 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
1,05
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
Diode D5 - D6 / Diode D5 - D6
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒ
600
30
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
tÔ = 1 ms
IŒç¢
I²t
60
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
135
125
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 30 A, V•Š = 0 V
IŒ = 30 A, V•Š = 0 V
IŒ = 30 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,60 2,00
1,55
1,50
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 30 A, - diŒ/dt = 2200 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
44,0
50,0
53,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 30 A, - diŒ/dt = 2200 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,30
2,40
2,80
µC
µC
µC
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 30 A, - diŒ/dt = 2200 A/µs (TÝÎ=150°C)
Vç = 300 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
0,37
0,67
0,76
mJ
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
1,00 1,10 K/W
0,90 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L30R06W1E3_B11
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
deviation of Ræåå
-5
5
Verlustleistung
T† = 25°C
20,0 mW
power dissipation
B-Wert
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
B-value
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
B-value
B-Wert
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
kV
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
11,5
6,3
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
5,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
LÙ†Š
> 200
min. typ. max.
15
Modulinduktivität
stray inductance module
nH
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
2,00
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
F
175
°C
°C
°C
N
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
20
150
125
50
Lagertemperatur
storage temperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
-
Gewicht
weight
G
24
g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
60
60
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19 V
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
V•Š = 17 V
V•Š = 15 V
V•Š = 13 V
V•Š = 11 V
V•Š = 9 V
0
0
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 15 Â, R•ÓËË = 15 Â, V†Š = 300 V
60
2,0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
1,8
1,6
1,4
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
6
12 18 24 30 36 42 48 54 60
I† [A]
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revision: 3.0
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 30 A, V†Š = 300 V
4,0
10
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ™ : IGBT
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
1
i:
rÍ[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58
τÍ[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
1
2
3
4
0,1
0,001
0
20
40
60
80
R• [Â]
100 120 140 160
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 15 Â, TÝÎ = 150°C
70
60
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
60
50
40
30
20
10
0
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800
V†Š [V]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VΠ[V]
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revision: 3.0
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L30R06W1E3_B11
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 30 A, V†Š = 300 V
R•ÓÒ = 15 Â, V†Š = 300 V
1,2
1,2
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
6
12 18 24 30 36 42 48 54 60
IΠ[A]
0
20
40
60
80
R• [Â]
100 120 140 160
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ™ = f (t)
Durchlasskennlinie der Diode D5 - D6
forward characteristic of Diode D5 - D6
IŒ = f (VŒ)
10
60
ZÚÌœ™: Diode
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
1
i:
rÍ[K/W]: 0,29
τÍ[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
1
2
3
4
0,495 0,894 0,622
0,1
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VΠ[V]
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7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F3L30R06W1E3_B11
Schaltverluste Diode D5 - D6
switching losses Diode D5 - D6
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode D5 - D6
switching losses Diode D5 - D6
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 30 A, V†Š = 300 V
R•ÓÒ = Â, V†Š = 300 V
1,2
1,2
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
1,1
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0
6
12 18 24 30 36 42 48 54 60
IΠ[A]
0
20
40
60
80
R• [Â]
100 120 140 160
Transienter Wärmewiderstand Diode D5 - D6
transient thermal impedance Diode D5 - D6
ZÚÌœ™ = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
10
100000
ZÚÌœ™: Diode
RÚáÔ
10000
1000
100
1
i:
rÍ[K/W]: 0,215 0,396 0,752 0,537
τÍ[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
1
2
3
4
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
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8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in
Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
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departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
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This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is
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Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact). For
those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
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