F4-50R12MS4 [INFINEON]
EconoDUAL™2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC; EconoDUAL ™ 2 MODUL MIT schnellem IGBT2献给hochfrequentes Schalten UND NTC
| 型号： | F4-50R12MS4 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | EconoDUAL™2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC |
| 文件： | 总9页 (文件大小：1209K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R12MS4
EconoDUAL™2 Modul mit schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten und NTC
EconoDUAL™2 module with the fast IGBT2 for high-frequency switching and NTC
V†Š» = 1200V
I† ÒÓÑ = 50A / I†ç¢ = 100A
Typische Anwendungen
Hochfrequenz-Anwendungen
Typical Applications
High Frequency Switching Application
••
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
••
Kurzschlussstrom
High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
Circuit Current
Niedrige Schaltverluste
••
Low Switching Losses
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten
••
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
Package with CTI > 200
Isolated Base Plate
Standard Housing
Gehäuse mit CTI > 200
••
Isolierte Bodenplatte
••
Standardgehäuse
••
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
material no: 29010
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R12MS4
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 70°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I† ÒÓÑ
I†
50
70
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
100
355
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 50 A, V•Š = 15 V
I† = 50 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
3,20 3,75
3,85
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 2,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
4,5
5,5
0,60
5,0
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
3,40
0,21
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
I†Š»
I•Š»
tÁ ÓÒ
1,0 mA
400 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 13 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,12
0,13
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 13 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,05
0,06
µs
µs
tØ
tÁ ÓËË
tË
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 13 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,31
0,36
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 13 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,02
0,03
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 50 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH
V•Š = ±15 V, di/dt = 1400 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓÒ = 13 Â
TÝÎ = 25°C
3,30
6,00
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 50 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH
V•Š = ±15 V, du/dt = 7000 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓËË = 13 Â
TÝÎ = 25°C
1,70
2,50
mJ
mJ
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V
IȠ
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C
300
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,35 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,12
K/W
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R12MS4
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒ
1200
50
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
IŒç¢
I²t
100
1250
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 50 A, V•Š = 0 V
IŒ = 50 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2,00 2,55
1,70
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 50 A, - diŒ/dt = 1400 A/µs (TÝÎ=125°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
28,0
41,0
A
A
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 50 A, - diŒ/dt = 1400 A/µs (TÝÎ=125°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
3,00
8,50
µC
µC
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 50 A, - diŒ/dt = 1400 A/µs (TÝÎ=125°C)
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,10
3,10
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,70 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,24
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R12MS4
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
Alè0é
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
12,0
14,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,4
14,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 200
min. typ. max.
0,02
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
30
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
2,20
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M5 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
3,0
-
-
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
terminal connection torque
Gewicht
weight
200
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R12MS4
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 125°C
V•Š = 15 V
100
100
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
V•Š = 8V
V•Š = 9V
V•Š = 10V
V•Š = 12V
V•Š = 15V
90
90
80
70
60
50
40
30
20
10
80
V•Š = 20V
70
60
50
40
30
20
10
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V†Š [V]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 13 Â, R•ÓËË = 13 Â, V†Š = 600 V
100
18
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
90
16
80
70
60
50
40
30
20
10
0
14
12
10
8
6
4
2
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
I† [A]
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R12MS4
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 50 A, V†Š = 600 V
22
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
20
18
16
14
12
10
8
0,1
6
4
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,021 0,1155 0,112 0,1015
4
τÍ[s]:
0,01 0,02
0,05 0,1
2
0
0,01
0,001
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
R• [Â]
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 13 Â, TÝÎ = 125°C
120
100
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
90
100
80
60
40
20
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
VΠ[V]
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R12MS4
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 50 A, V†Š = 600 V
R•ÓÒ = 13 Â, V†Š = 600 V
4,0
4,0
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IΠ[A]
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
1
100000
ZÚÌœ† : Diode
RÚáÔ
10000
1000
100
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,042 0,231 0,224 0,203
4
τÍ[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R12MS4
Schaltplan / circuit diagram
ϑ
Gehäuseabmessungen / package outlines
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
F4-50R12MS4
Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application
Notes bereit.
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen
zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro
in Verbindung.
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
data with respect to such application.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the
product and its characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).
For those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
Changes of this product data sheet are reserved.
prepared by: MK
approved by: RO
date of publication: 2009-08-12
revision: 3.1
9
相关型号：
F4-75R06W1E3
EasyPACK module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC
INFINEON
F4-75R12KS4_B11
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACKAGE-24
INFINEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明