FF650R17IE4D_B2 [INFINEON]
PrimePACK™2 Modul und NTC; 的PrimePACK ™ 2 MODUL UND NTC
| 型号： | FF650R17IE4D_B2 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | PrimePACK™2 Modul und NTC |
| 文件： | 总9页 (文件大小：1244K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF650R17IE4D_B2
PrimePACK™2 Modul und NTC
PrimePACK™2 module and NTC
Vorläufige Daten / preliminary data
V†Š» = 1700V
I† ÒÓÑ = 650A / I†ç¢ = 1300A
Typische Anwendungen
Typical Applications
3-Level-Applications
Auxiliary Inverters
High Power Converters
Motor Drives
3-Level-Applikationen
Hilfsumrichter
••
••
••
••
••
••
Hochleistungsumrichter
Motorantriebe
Traktionsumrichter
Windgeneratoren
Traction Drives
Wind Turbines
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Erweiterte Sperrschichttemperatur TÝÎ ÓÔ
Große DC-Festigkeit
Extended Operation Temperature TÝÎ ÓÔ
High DC Stability
••
••
••
••
••
••
••
Hohe Stromdichte
High Current Density
Niedrige Schaltverluste
TÝÎ ÓÔ = 150°C
Low Switching Losses
TÝÎ ÓÔ = 150°C
Verstärkte Diode für Rückspeisebetrieb
niedriges V†ŠÙÈÚ
Enlarged Diode for regenerative operation
Low V†ŠÙÈÚ
Mechanische Eigenschaften
Mechanical Features
Gehäuse mit CTI > 400
Package with CTI > 400
••
••
••
••
••
Große Luft- und Kriechstrecken
Hohe Last- und thermische Wechselfestigkeit
Hohe Leistungsdichte
High Creepage and Clearance Distances
High Power and Thermal Cycling Capability
High Power Density
Kupferbodenplatte
Copper Base Plate
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: RH
approved by: MS
date of publication: 2009-09-18
revision: 2.0
material no: 33332
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF650R17IE4D_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
650
930
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
1300
4,15
A
kW
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 650 A, V•Š = 15 V
I† = 650 A, V•Š = 15 V
I† = 650 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
2,00 2,45
2,35 2,80
2,45
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 24,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
5,2
5,8
7,00
2,3
6,4
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
54,0
1,70
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 650 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,0 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,58
0,645
0,655
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 650 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,0 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,105
0,11
0,11
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 650 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 2,7 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
1,00
1,25
1,30
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 650 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 2,7 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,29
0,49
0,57
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 650 A, V†Š = 900 V, L» = 45 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 5800 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
180
260
280
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
R•ÓÒ = 1,0 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 650 A, V†Š = 900 V, L» = 45 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3200 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
140
205
230
mJ
mJ
mJ
R•ÓËË = 2,7 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 1000 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
2700
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
36,0 K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
15,0
K/kW
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF650R17IE4D_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1700
650
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
1300
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
105
100
kA²s
kA²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 650 A, V•Š = 0 V
IŒ = 650 A, V•Š = 0 V
IŒ = 650 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,70 2,15
1,70
1,70
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 650 A, - diŒ/dt = 5800 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
775
860
890
A
A
A
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 650 A, - diŒ/dt = 5800 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
175
300
335
µC
µC
µC
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 650 A, - diŒ/dt = 5800 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
86,0
155
180
mJ
mJ
mJ
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
52,5 K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
22,0
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
T† = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
4,0
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
33,0
33,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
19,0
19,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min. typ. max.
4,50
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/kW
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
18
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
0,30
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
175
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
150
150
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M5 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
-
6,00 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note
1,8
8,0
-
-
terminal connection torque
screw M4 - mounting according to valid application note
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M8 - mounting according to valid application note
10
Nm
g
Gewicht
weight
825
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
1300
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 20V
V•Š = 15V
V•Š = 12V
V•Š = 10V
V•Š = 9V
V•Š = 8V
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1 Â, R•ÓËË = 2.7 Â, V†Š = 900 V
1300
550
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
1200
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
200
400
600
800
1000
1200
I† [A]
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 650 A, V†Š = 900 V
1000
100
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ† : IGBT
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
1
i:
rÍ[K/kW]: 1,2
1
2
5,5
3
25,5 3,8
4
τÍ[s]:
0,0008 0,013 0,05 0,6
0,1
0,001
0
2
4
6
8
R• [Â]
10
12
14
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 2.7 Â, TÝÎ = 150°C
1400
1300
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1200
1200
1000
800
600
400
200
0
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
V†Š [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
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Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 1 Â, V†Š = 900 V
IŒ = 650 A, V†Š = 900 V
220
220
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
200
180
160
140
120
100
80
200
180
160
140
120
100
80
60
60
40
40
20
20
0
0
0
200
400
600
IΠ[A]
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
R• [Â]
6
7
8
9
10
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
1000
100000
ZÚÌœ† : Diode
RÚáÔ
100
10000
1000
100
10
i:
rÍ[K/kW]: 3,29
1
2
3
12,44 32,92 3,66
4
τÍ[s]:
0,0008 0,013 0,05 0,6
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
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date of publication: 2009-09-18
revision: 2.0
7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF650R17IE4D_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
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revision: 2.0
8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF650R17IE4D_B2
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
Terms & Conditions of usage
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product
data with respect to such application.
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the
product and its characteristics.
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact).
For those that are specifically interested we may provide application notes.
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey,
and that we may make delivery depended on the realization
of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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prepared by: RH
approved by: MS
date of publication: 2009-09-18
revision: 2.0
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相关型号：
FF650R17IE4VBOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 930A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
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