IPA65R660CFD [INFINEON]
650V CoolMOS CFD Power Transistor; 650V CFD的CoolMOS功率晶体管型号: | IPA65R660CFD |
厂家: | Infineon |
描述: | 650V CoolMOS CFD Power Transistor |
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IPA65R660CFDXKSA1
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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INFINEON
IPA70R360P7S
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的最佳选择:Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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INFINEON
IPA70R600P7S
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的最佳选择:Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA70R900P7S
顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能,适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合,700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的最佳选择:Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA80R1K0CE
800V CoolMOS™CE 是英飞凌的高性能器件系列,可提供 800V 的击穿电压。CE产品专注于消费者电子应用以及照明产业。新推出的 800V 精选系列产品是专门为 LED 应用而设计的。英飞凌用这一特定 CoolMOS™ 系列,将长期以来作为行业领先的超结 MOSFET 供应商经验与顶级的创新很好地结合了起来。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA80R310CE
isc N-Channel MOSFET TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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ISC
IPA80R460CE
Isc N-Channel MOSFET TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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ISC
IPA90R1K0C3
CoolMOS Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA90R1K0C3XKSA1
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA90R1K2C3
CoolMOS Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA90R340C3
CoolMOS Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA90R340C3XKSA1
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA90R340C3XKSA2
Power Field-Effect Transistor,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA90R500C3
CoolMOS Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA90R500C3XKSA1
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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Power Field-Effect Transistor,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA90R800C3
CoolMOS Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPA90R800C3XKSA1
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 900V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPAN60R125PFD7S
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R125PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7 系列产品,可用于消费类应用。采用 TO-220 FullPAK 窄引脚封装的 IPAN60R125PFD7S 具有 125mOhm 的 RDS(on) ,降低了开关损耗。该产品配备了快速体二极管,可确保器件坚固耐用,进而为客户减少物料清单(BOM)。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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IPAN60R180P7S
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G),确保高效率。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 162
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