Q62702-P874 [INFINEON]
Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor; NEU ： NPN - Silizium - Fototransistor新： NPN硅光电晶体管
| 型号： | Q62702-P874 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Neu: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor |
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Neu: NPN-Silizium-Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor
SFH 310
SFH 310 FA
4.8
Area not flat
4.4
2.7
2.1
3.4
3.1
1.8
1.2
3.7
3.5
0.6
0.4
29.0
27.0
6.1
5.7
Chip position
Collector/
Cathode
GEX06710
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)
● Hohe Linearität
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 310) and of
880 nm (SFH 310 FA)
● High linearity
● 3 mm-Plastikbauform
● 3 mm plastic package
Anwendungen
Applications
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● “Messen/Steuern/Regeln”
03.96
1998-07-13
Semiconductor Group
1
SFH 310
SFH 310 FA
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 310
SFH 310-2
SFH 310-3
Q62702-P874
on request
on request
SFH 310 FA
SFH 310 FA-2
SFH 310 FA-3
Q62702-P1673
on request
on request
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 55 ... + 100
260
°C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
TS
°C
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
TS
300
°C
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
VCE
IC
70
V
Kollektorstrom
50
mA
mA
mW
K/W
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
ICS
100
165
450
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Ptot
RthJA
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Semiconductor Group
2
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 310
SFH 310 FA
880 nm
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
λ
780
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
470 ... 1070 740 ... 1070 nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
0.19
0.19
mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
L × B
L × W
0.65 × 0.65 0.65 × 0.65 mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
2.1 ... 2.7
2.1 ... 2.7
mm
H
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 25
± 25
Grad
deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
CCE
ICEO
10
10
pF
Dunkelstrom
5 (≤ 100)
5 (≤ 100)
nA
Dark current
VCE = 10 V, E = 0
Fotostrom
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCE = 5 V
IPCE
IPCE
≥ 0.4
4
≥ 0.4
–
mA
mA
Semiconductor Group
3
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-1
-2
-3
-4
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE
SFH 310:
0.4 ... 0.8 0.63 ... 1.25 1.0 ... 2.0 ≥ 1.6
mA
mA
Ev = 1000 Ix, Normlicht/
IPCE
2.1
5
3.4
7
5.4
8
8.6
12
standard light A, VCE = 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ
tr, tf
µs
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
VCEsat
150
150
150
150
mV
IC = IPCEmin1) × 0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
1)
I
PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1)
IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Directional characteristics S = f (ϕ)
rel
Semiconductor Group
4
1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
TA = 25 °C, λ = 950 nm
Rel.spectr. sensitivity SFH 310, S = f (λ)
Rel.spectr.sensitivitySFH310FA,S =f(λ) Photocurrent, I
= f (E ), V = 5 V
rel
rel
PCE e CE
OHF02331
100
Srel
%
80
60
40
20
0
400
600
800
1000 nm 1200
λ
Total power dissipation
Photocurrent
= f (V ), E = Parameter
Dark current
I = f (V ), E = 0
CEO
P
= f (T )
I
tot
A
PCE
CE
e
CE
OHF00871
200
mW
160
Ptot
120
80
40
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
TA
Dark current
= f (T ), V = 10 V, E = 0
Capacitance
Photocurrent I
V = 5 V, normalized to 25 C
CE
= f (T ),
PCE A
o
I
C
= f (V ), f = 1 MHz
CEO
A
CE
CE
CE
OHF01524
1.6
Ι PCE
Ι PCE25
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-25
0
25
50
75
C 100
TA
Semiconductor Group
5
1998-07-13
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