NTE5593 [NTE]

Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications; 可控硅整流器的相位控制应用
NTE5593
型号: NTE5593
厂家: NTE ELECTRONICS    NTE ELECTRONICS
描述:

Silicon Controlled Rectifier for Phase Control Applications
可控硅整流器的相位控制应用

可控硅整流器
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NTE5587, NTE5589, NTE5593  
Silicon Controlled Rectifier  
for Phase Control Applications  
Features:  
D Low On–State Voltage  
D High di/dt  
D High dv/dt  
D Excellent Surge and I2t Ratings  
Applications:  
D Power Supplies  
D Battery Chargers  
D Motor Controls  
Absolute Maximum Ratingsand Electrical Characteristics:  
Repetitive Peak Voltages, VDRM & VRRM  
NTE5587 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V  
NTE5589 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V  
NTE5593 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V  
RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A  
Average On–State Current, IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350  
Peak One–Cycle, Non–Repetitive On–State Surge Current, ITSM  
50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9100A  
60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10,000A  
Critical Rate–of–Rise of On–State Current, di/dt  
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150A/µs  
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800A/µs  
I2t fo Fusing (8.2ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 416,000A2sec  
Peak Gate Power Dissipation, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16W  
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W  
Peak On–State Voltage (ITM = 625A, TJ = +25°C), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4V  
Peak Forward Leakage Current (At VDRM, TJ = +125°C), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA  
Peak Reverse Leakage Current (At VRRM, TJ = +125°C), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA  
Gate Current to Trigger (VD = 12V, TJ = +25°C), IGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA  
Gate Voltage to Trigger (VD = 12V, TJ = +25°C), VGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V  
Non–Triggering Gate Voltage (At VDRM, TJ = +125°C), VGDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.15V  
Absolute Maximum Ratingsand Electrical Characteristics (Cont’d):  
Peak Forward Gate Current, IGTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A  
Peak Reverse Gate Voltage, VGRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Typical TurnOff Time, tq  
(IT = 250A, diR/dt = 25A/µs, reapplied, dv/dt = 20V/µs, linear to 0.8VDRM, TJ = +125°C) 150µs  
Typical TurnOn Time (VD = 100V, IT = 100A), ton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7µs  
Minimum Critical dv/dt exponential to VDRM (TJ = +125°C), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V/µs  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40° to +125°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40° to +150°C  
Maximum Thermal Resistance, JunctiontoCase, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.10°C/W  
Maximum Thermal Resistance, CasetoSink (Lubricated), RthCS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.05°C/W  
Mounting Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360in.lb.  
Mounting Torque (Lubricated) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400kgcm  
1.750  
(44.45)  
Across  
Flats  
.146 (3.71) Dia (2 Holes)  
.730 (18.5)  
Cathode Potential (Red)  
.343 (8.71) Dia  
Gate (White)  
9.660  
(245.4)  
Cathode (Red)  
10.06  
(255.5)  
2.740  
(69.6)  
1.410  
(35.8)  
.780 (19.8)  
3/416 UNF2A (Terminal 4)  
Anode  
1.060 (26.9)  

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