SPLLG81-P [OSRAM]
Passiv gekuhlter SIRILAS Diodenlaser 15 W cw bei 808nm Conductively cooled SIRILAS㈢ Laser Diode Array 15 W cw at 808nm; Passiv gekuhlter SIRILAS Diodenlaser 15瓦CW贝808nm的传导冷却SIRILAS㈢激光二极管阵列为15 W CW ，在808nm的
| 型号： | SPLLG81-P |
| 厂家： | 
OSRAM GMBH |
| 描述： | Passiv gekuhlter SIRILAS Diodenlaser 15 W cw bei 808nm Conductively cooled SIRILAS㈢ Laser Diode Array 15 W cw at 808nm |
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Passiv gekühlter SIRILAS® Diodenlaser 15 W cw bei 808nm
Conductively cooled SIRILAS® Laser Diode Array 15 W cw at 808nm
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SPL LG81-P
Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Datasheet
Besondere Merkmale
Features
• Kostengünstige Strahlquelle für Dauerstrich-
und Pulsbetrieb
• Efficient radiation source for cw and pulsed
operation
• Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv
verspanntes Halbleiter-Material
• Reliable InGa(Al)As strained quantum-well
material
• Montage des Laserchips auf
• Mounting of laser bar on expansion matched
submount
• Compact package protecting the laser bar
• Beam dimensions at optical port (window) 7,0
mm x 0,3 mm
ausdehnungsangepasste Wärmesenke
• Kompaktes, den Laser schützendes Gehäuse
• Strahlabmessungen am optischen Austritt
(Fenster) 7,0 mm x 0,3 mm
• Verringerte vertikale Strahldivergenz durch
Verwendung einer internen Linse
• Reduced fast axis divergence by use of internal
lens
Anwendungen
Applications
• Pumpen von Festkörperlasern
• Direkte Materialbearbeitung
• Medizinische Anwendungen
• Erwärmen, Beleuchten
• Pumping solid state lasers (rod, fiber and disk
lasers)
• Direct material processing
• Medical
• Druckanwendungen
• Heating, Illumination
• Printing
Sicherheitshinweise
Safety Advices
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile Depending on the mode of operation, these
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- devices emit highly concentrated non visible
Strahlung, die gefährlich für das menschliche infrared light which can be hazardous to the
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile human eye. Products which incorporate these
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits- devices have to follow the safety precautions
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
werden
2007-10-24
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SPL LG81-P
Typ
Type
Wellenlänge1)
Wavelength1)
Bestellnummer
Ordering Code
SPL LG81-P
808 nm
Q65110A5307
1)
Andere Wellenlängen sind auf Anfrage erhältlich.
Other wavelengths are available on request.
Grenzwerte (20 °C heat sink temperature)
Maximum Ratings
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
max.
Ausgangsleistung1)
Output power1)
Popt
–
20
W
W
Spitzen-Ausgangsleistung (quasi-continous
wave, tp ≤200 µs, duty cycle ≤20%)1)
Peak output power(quasi-continous wave, tp ≤200
µs, duty cycle ≤20%)1)
Pqcw
–
50
Betriebstemperatur2)1)
Top
Tstg
Ts
+ 10
- 40
–
+ 50
+ 85
+ 260
° C
° C
° C
Operating temperature2)1)
Lagertemperatur2)1)
Storage temperature2)1)
Löttemperatur (tmax = 10 s)
Soldering temperature (tmax = 10 s)
1)
Kurzzeitiger Betrieb. Der Betrieb bei den Grenzwerten beeinflußt die Lebensdauer.
Short time operation. The operation at the maximum ratings influences the lifetime.
2)
Betauung des Moduls muss ausgeschlossen werden.
Bedewing of the module has to be excluded.
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2
SPL LG81-P
Dioden Kennwerte (20 °C heat sink temperature)
Diode Characteristics
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
804
typ.
max.
810
Zentrale Emissionswellenlänge1) 2)
Emission wavelength1) 2)
Spektrale Breite (Halbwertsbreite)1) 2)
Spectral width (FWHM)1) 2)
Ausgangsleistung im Betriebspunkt1)
Output power at operating point1)
λpeak
∆λ
807
nm
nm
W
–
–
3.0
15
1.10
9
–
–
Pop
ηd
Differentielle Effizienz
Differential efficiency
1.00
7
–
W/A
A
Schwellstrom
Threshold current
Ith
11
26
2.0
–
Betriebsstrom1)
Iop
–
24
1.8
5
A
Operating current1)
Betriebsspannung1) 3)
Operating voltage1) 3)
Vop
Rs
–
V
Differentieller Serienwiderstand
Differential series resistance
–
mΩ
%
Konversionseffizienz (elektrisch zu
optisch)1)
ηcon
–
40
–
Conversion efficiency (electrical to optical)1)
Charakteristische Temperatur (Schwelle)4)
Characteristic temperature (threshold)4)
T0
–
–
–
–
150
0.5
0.3
1.3
–
–
–
–
K
Temperaturkoeffizient des Betriebsstroms
Temperature coefficient of operating current
∂Iop / Iop∂T
∂λ/∂T
Rth JA
%/K
nm/K
K/W
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength
Thermischer Widerstand
(pn-Übergang →Wärmesenke)
Thermal resistance (junction →heat sink)
Wärmesenkentemperatur5)
Tfluid
+ 10
0.5
4
+ 20
0.8
6
+ 30 °C
Heat sink temperature5)
Strahldivergenz fast-axis (Vollwinkel 1/e2)
Beam divergence fast axis (full angle, 1/e2)
Strahldivergenz slow-axis (Vollwinkel 1/e2)
Beam divergence slow axis (full angle, 1/e2)
θ⊥
1.1
8
Grad
deg.
θ||
Grad
deg.
2007-10-24
3
SPL LG81-P
Dioden Kennwerte (20 °C heat sink temperature)
Diode Characteristics (cont’d)
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
-0.3
typ.
max.
0.3
Schielwinkel fast-axis
Tilt angle fast axis
ϕ⊥
0
Grad
deg.
Schielwinkel slow-axis
Tilt angle slow-axis
ϕ
-0.4
–
0
0.4
–
Grad
deg.
mm2
||
Strahlabmessungen am optischen Austritt
Beam dimensions at optical output
w × h
7.0 ×
0.4
TE Polarisation
TE Polarization
PTE
–
90
–
%
1)
Werte beziehen sich auf die Standardbetriebsbedingung 15W Ausgangsleistung, 20 °C Wärmesenkentemperatur
und 1,3 K/W Wärmewiderstand.
Values refer to standard operating conditions of 15W output power, 20 °C heat sink temperature and 1.3 K/W thermal
resistance.
2)
Die zentrale Emissionswellenlänge muss beim spezifizierten Strom kontrolliert werden. Liegt die Wellenlänge höher
als im Testprotokoll spezifiziert, so weist dies auf einen schlechten thermischen Kontakt und eine thermische
Überbelastung der Laserdiode hin. Bevor der Laserbetrieb weitergeführt wird, muss der thermische Kontakt
verbessert werden. Die zentrale Emissionswellenlänge schiebt mit 0.3 nm/K.
Check the emission wavelength at the specified current. A much longer wavelength than specified in the test protocol
indicates bad thermal contact and thermal overload of the diode laser. Then the thermal contact has to be improved
before continuing laser operation. The emission wavelength shifts with 0.3 nm/K.
3)
4)
Das Anlegen einer Spannung in Sperrrichtung der Laserdiode muss ausgeschlossen werden.
Reverse voltage applied to the laser diode has to be excluded.
Modell zur Bestimmung des thermischen Verhaltens bzgl. des Schwellstroms:
Model for the thermal behavior of threshold current:
Ith(T2) = Ith(T1) × exp (T2 – T1)/T0
5)
Wärmesenkentemperatur beeinflusst die Ausgangsleistung, die zentrale Emissionswellenlänge und die
Lebensdauer. Betauung muss ausgeschlossen werden.
Heat sink temperature influences output power, emission wavelength and lifetime. Condensation has to be excluded.
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4
SPL LG81-P
Ligth-current and voltage-current curves (cw,
20 °C)
Optical spectrum, relative intensity Irel vs.
wavelength λ (15 W cw, 20 °C)
OHW02504
OHW02730
100
2.0
V
25
W
%
Irel
P
V
out
80
60
40
20
0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
20
15
10
5
0
800
805
810
nm 815
0
10
20
A 30
λ
I
2007-10-24
5
SPL LG81-P
Maßzeichnung
Package Outlines
10 (0.394)
4.45 (0.175)
8.5 (0.335)
0.75 (0.030)
1.05 (0.041)
2.54 (0.100)
0.5 (0.020)
2.4 (0.094)
2.54 (0.100)
Optical
Output
Port
7.7 (0.303)
GEOY7015
Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch).
Allgemeine Toleranz: +/- 0.15 mm (0.006 inch) / General Tolerance: +/- 0.15 mm (0.006 inch)
Notes:
Der optische Strahlaustritt liegt 1.5 mm über der Unterseite der Gehäusegrundplatte.
Exit height of optical output beam is 1.5 mm referring to bottom side of package base plate.
Gehäusegrundplatte ist auf Anodenpotential.
Package base plate is on anode potential.
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
www.osram-os.com
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By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components 1 , may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS.
1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected
to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system.
2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain
and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered.
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