SSM6G18NU [TOSHIBA]

TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-2Y1A, UDFN-6, FET General Purpose Small Signal;


型号：	SSM6G18NU
厂家：	TOSHIBA
描述：	TRANSISTOR 2000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, 2-2Y1A, UDFN-6, FET General Purpose Small Signal 开关光电二极管晶体管
文件：	总8页 (文件大小：284K)
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SSM6G18NU

東芝複合素子シリコン P チャネルMOS形＋エピタキシャルショットキバリア形

SSM6G18NU

パワーマネージメントスイッチ

•

Pch MOSFET とショットキバリアダイオードを1パッケージに内蔵

単位: mm

• 低 R 、低V のため低損失:

DS (ON)

= 261 mΩ (最大) (@V

= 185 mΩ (最大) (@V

= 143 mΩ (最大) (@V

= -1.5V)

= -1.8 V)

= -2.5 V)

= -4.5 V)

DS(ON)

2.0 0.1

= 112 mΩ (最大) (@V

絶対最大定格 Ta = 25°C MOSFET部

(

)

～

0.05

項

目

記号

定

格

単位

0.13

−20

±8

ドレイン・ソース間電圧

ゲート・ソース間電圧

DSS

*BOTTOM VIEW

0.65

0.95

GSS

(注1)

−2.0

ドレイン電流

パルス

(注1)

(注2)

−4.0

許

チ

容

損

失

度

t ＜10s

0.3

0.075

°C

ャ

ネ

ル

温

150

0.05

0.65 0.075

0.05

4. ソース

5. ゲート

6. カソード

1. アノード

2. NC

絶対最大定格(Ta = 25°C) ショットキバリアダイオード部

3. ドレイン

項

目

記号

定

格

単位

UDFN6

1.0

5.0

150

逆

平

電

圧

流

JEDEC

―

均

整

流

電

JEITA

ピーク 1 サイクルサージ電流 (10ms)

FSM

TOSHIBA

2-2Y1A

°C

接

合

温

度

質量: 8.5 mg (標準)

共通絶対最大定格 (Ta = 25°C)

項

存

目

温

記号

定

格

単位

保

度

stg

−55 ~ 150

°C

注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電

流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。

弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ

び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。

注 1:

注 2:

チャネル温度が150℃を超えることのない放熱温度でご使用ください。

FR4 基板実装時

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645mm²)

2010-09-30

SSM6G18NU

MOSFET部

電気的特性 (Ta = 25°C)

項

目

記号

測定条件

最小

標準

最大

単位

= -1 mA, V

= 0 V

= 5 V

-20

-15

⎯

(BR) DSS

(BR) DSX

ドレイン･ソース間降伏電圧

ドレインしゃ断電流

(注 4)

= -20 V, V

= ± 8 V, V

= 0 V

⎯

-1

μA

DSS

ゲ

ー

ト

漏

れ

電

流

= 0 V

⎯

±1

GSS

ゲートしきい値電圧

順方向伝達アドミタンス

= -3 V, I = -1 mA

-0.3

2.7

⎯

-1.0

⎯

⏐Y ⏐

= -3 V, I = -1.0 A

(注 3)

5.4

= -1.0 A, V

= -0.6 A, V

= -0.4 A, V

= -0.2 A, V

= -4.5 V

= -2.5 V

= -1.8 V

= -1.5 V

112

143

185

261

⎯

107

128

148

270

ドレイン･ソース間オン抵抗

mΩ

DS (ON)

⎯

入

出

帰

総

力

還

ー

容

電

量

⎯

iss

= -10 V, V

= 0 V, f = 1 MHz

⎯

oss

rss

⎯

ゲ

ト

荷

⎯

4.6

0.4

0.9

⎯

= −10 V, I = −2.0 A

ゲート・ソース間電荷量

ゲート・ドレイン間電荷量

gs1

⎯

= −4.5 V

⎯

ターンオン時間

スイッチング時間

off

= -10 V, I = -1.0 A

⎯

ターンオフ時間

= 0 ~ -2.5 V, R = 4.7 Ω

⎯

ドレイン･ソース間ダイオード順電圧

= 2.0 A, V

= 0 V

(注 3)

⎯

0.86

1.2

DSF

注 3:

パルス測定

注 4: ゲート･ソース間に正バイアスを印加した場合、V(BR)DSX モードとなり、ドレイン･ソース間の耐圧が低下しますので

ご注意ください。

スイッチング特性測定条件

(b) 入力波形

(a) 測定回路

0 V

90%

= −10 V

= 4.7 Ω

出力

10%

入力

−2.5 V

Duty 1%

−2.5 V

入力: t , t < 5 ns

ソース接地

DS (ON)

90%

10%

10 μs

Ta = 25°C

off

使用上の注意

V とは、ある低い動作電流値 (本製品においてはI = -1mA) になるときのゲート･ソース間電圧で表されます。

通常のスイッチング動作の場合、V

はV より十分高い電圧、V

はV より低い電圧にする必要があ

GS (on)

GS (off)

ります。(V

ご使用する際には十分注意願います。

< V < V

)

GS (off)

GS (on)

2010-09-30

SSM6G18NU

ショットキバリアダイオード部

電気的特性 (Ta = 25°C)

項

目

記号

測定条件

= 100 mA

最小

標準

最大

単位

⎯

0.31

0.36

0.38

0.48

⎯

F (1)

F (2)

F (3)

F (4)

= 200 mA

= 500 mA

= 1000 mA

順

電

圧

0.45

0.58

逆

端

電

間

流

量

= 30 V

⎯

μA

子

容

= 0 V, f = 1 MHz

120

⎯

使用上の注意

本製品はショットキバリアダイオードを使用しており、他のスイッチングダイオードに比べ逆方向漏れ電流が大き

くなっております。そのためテクニカルシート記載の絶対最大定格及び動作温度範囲を越えてのご使用の場合、熱暴

走を生じ破壊に至る場合があります。順方向および逆方向の損失を考慮し熱設計および安全設計の上ご使用ください。

取り扱い上の注意

この製品のMOSFET 部は構造上静電気に弱いため製品を取り扱う際、作業台･人･はんだごてなどに対し必ず静電

対策を講じてください。

熱抵抗 R

および許容損失 P は、ご使用になる基板材料、面積、厚さ、Pad 面積など使用環境により異な

th (ch-a)

ります。ご使用の際は放熱を十分考慮していただきますようお願いします。

現品表示(Top View)

内部接続(Top View)

ピン配置(Top View)

KE2

極性判別マーキング

極性判別マーキング (表面)

*電極は裏面です

2010-09-30

SSM6G18NU

・MOSFET 部

– V

-5

-4

-10

-1

ソース接地

= -3 V

-4.5 V

-2.5 V -1.8 V

= -1.5 V

パルス測定

Ta = 100 °C

-3

-2

-0.1

-0.01

25 °C

-25 °C

-1

-0.001

ソース接地

Ta = 25 °C

パルス測定

-0.0001

-1.0

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-2.0

ドレイン・ソース間電圧

(V)

ゲート・ソース間電圧

(V)

– I

– V

DS (ON)

400

300

200

= -1.0 A

ソース接地

Ta = 25°C

パルス測定

300

200

-1.5 V

-1.8 V

25 °C

-2.5 V

Ta = 100 °C

100

= -4.5 V

-25 °C

-2

-4

-6

-8

-1.0

-2.0

-3.0

-4.0

ゲート・ソース間電圧

(V)

ドレイン電流

(A)

– Ta

DS (ON)

400

-1.0

ソース接地

パルス測定

ソース接地

= -3 V

= -1 mA

300

200

100

-0.4 A / -1.8 V

-0.6 A / -2.5 V

-0.2 A / -1.5 V

-0.5

= -1.0 A / V

= -4.5 V

100

−50

100

150

−50

150

周囲温度 Ta (°C)

2010-09-30

SSM6G18NU

– V

|Y | – I

ソース接地

= 0 V

パルス測定

ソース接地

= -3 V

Ta = 25°C

パルス測定

-25 °C

0.1

Ta =100 °C

25 °C

0.3

0.1

0.01

0.001

-1

-0.1

-10

0.5

1.0

1.5

-0.01

ドレイン電流

(A)

ドレイン・ソース間電圧

(V)

C – V

t – I

1000

10000

1000

100

ソース接地

= -10 V

= 0 ~ -2.5 V

off

Ta = 25 °C

= 4.7Ω

300

100

iss

oss

ソース接地

Ta = 25 °C

f = 1 MHz

rss

= 0 V

-0.1

-1

-10

-100

-0.001

-0.01

-0.1

-1

-10

ドレイン・ソース間電圧

(V)

ドレイン電流

(A)

ダイナミック入力特性

-8

-6

-4

-2

ソース接地

= -2.0 A

Ta = 25°C

= - 10 V

= - 16 V

ゲート電荷量 Qg (nC)

2010-09-30

SSM6G18NU

– Ta

r_th– t_w

1400

1200

1000

800

1000

100

a. FR4 基板実装時

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm²)

b. FR4 基板実装時

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 2.13 mm²)

600

400

単発パルス

a. FR4 基板実装時

200

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm²)

b. FR4 基板実装時

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 2.13 mm²)

0.001

100

1000

-40 -20

20 40

60 80 100 120 140 160

0.01

0.1

パルス幅 t_w(s)

周囲温度 Ta (°C)

2010-09-30

SSM6G18NU

ショットキバリアダイオード部

I_F-V_F

I_R-V_R

1000

100

Ta=75℃

50℃

25℃

0℃

0.1

25℃

-25℃

0.01

0.001

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

順電圧ꢀV (V)

逆電圧ꢀV (V)

C_T- V_R

1000

100

f=1MHz

Ta=25℃

逆電圧ꢀV (V)

2010-09-30

SSM6G18NU

製品取り扱い上のお願い

• 本資料に掲載されているハードウェア、ソフトウェアおよびシステム（以下、本製品という）に関する情

報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。

• 文書による当社の事前の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。また、文書による当社の事前の承諾を

得て本資料を転載複製する場合でも、記載内容に一切変更を加えたり、削除したりしないでください。

• 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品は一般に誤作動または故障する場合があります。

本製品をご使用頂く場合は、本製品の誤作動や故障により生命・身体・財産が侵害されることのないよう

に、お客様の責任において、お客様のハードウェア・ソフトウェア・システムに必要な安全設計を行うこ

とをお願いします。なお、設計および使用に際しては、本製品に関する最新の情報（本資料、仕様書、デー

タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど）および本製品が使用される機器の

取扱説明書、操作説明書などをご確認の上、これに従ってください。また、上記資料などに記載の製品デー

タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する

場合は、お客様の製品単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断し

てください。

• 本製品は、一般的電子機器（コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家

電機器など）または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、

特別に高い品質・信頼性が要求され、またはその故障や誤作動が生命・身体に危害を及ぼす恐れ、膨大な

財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下“特定用途”とい

う）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、

航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各

種安全関連機器、昇降機器、電力機器、金融関連機器などが含まれます。本資料に個別に記載されている

場合を除き、本製品を特定用途に使用しないでください。

• 本製品を分解、解析、リバースエンジニアリング、改造、改変、翻案、複製等しないでください。

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情報の正確性の保証、第三者の権利の非侵害保証を含むがこれに限らない。）をしておりません。

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るいはその他軍事用途の目的で使用しないでください。また、輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易法」、

「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続を行っ

てください。

• 本製品のRoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本

製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制するRoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十分

調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生じ

た損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。

2010-09-30

SSM6G18NU [TOSHIBA]

相关型号：

SSM6G18NU(TE85L)

SSM6J06FU

SSM6J06FU(TE85L,F)

SSM6J06FU_07

SSM6J07FU

SSM6J07FU(TE85L)

SSM6J07FU(TE85L,F)

SSM6J07FU_07

SSM6J08FU

SSM6J08FU_07

SSM6J205FE

SSM6J205FE(TE85L,F)