FDS4435
2025-09-17 10:37:42
摘要：FDS4435 是由 Fairchild Semiconductor（现为 安森美 onsemi）生产的一款 P 沟道功率 MOSFET，采用 SOT-223 封装，适用于低压大电流的开关电路。它广泛用于 电源管理、负载开关、电池保护和 DC-DC 转换器 等场景。
描述
FDS4435 具有 低导通电阻（Rds(on)） 和 快速开关特性，可在低压电路中提供高效的功率转换。作为 P 沟道 MOSFET，它常用于 高端开关（high-side switch）电路中，能直接由单片机、逻辑电路或 PWM 信号控制。
产品概述
| 产品型号 | FDS4435 |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 8.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
产品图片
FDS4435产品图片
规格参数
| 零件状态 | 停用 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 8.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1604 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） |
主要特点
P 沟道增强型 MOSFET
低导通电阻，降低功耗
开关速度快，适合高频应用
栅极驱动电压需求低，便于单片机直接控制
体二极管内置，支持感性负载应用
SOT-223 小封装，适合空间受限场合
典型应用
DC-DC 转换器高端开关
电池保护电路（锂电池充放电控制）
电机驱动中的高端开关
笔记本电脑、平板等便携式设备电源管理
USB / 电源负载开关
引脚图及功能
工作原理
栅极电压控制：当栅源电压小于阈值时，MOSFET 导通，电流从源极流向漏极；
高端开关：作为 P 沟道器件，FDS4435 常用于电源正极开关；
开关特性：凭借低电容与低 Rds(on)，能快速响应 PWM 信号，实现高效开关；
保护特性：内置体二极管可吸收感性负载的反向电动势。
替代型号
AO4435（Alpha & Omega，功能与封装相似）
IRLML6402（P 沟道 MOSFET，小封装版）
Si4435（Vishay 出品，对应型号）
FDN306P（低压 P 沟道 MOSFET，适用于小电流场景）