FS8205A
2025-09-12 10:35:35
摘要：FS8205A 是一款 双 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），通常用于 电池保护电路（尤其是锂电池保护板 BMS）。它将两只低导通电阻 MOSFET 集成在一颗 SOP-8 封装中，可用于充放电切换和电流保护，广泛应用于锂离子/聚合物电池组。
描述
FS8205A 由 Fortune Semiconductor 等厂家生产，是电池保护板中常见的 MOS 管方案。它设计紧凑，具有 低导通电阻、低驱动电压、快速开关速度 等优点，能够满足单节和多节锂电池保护 IC 的配套需求。与保护 IC（如 DW01、FS312F 等）配合使用，可以实现过充、过放、过流和短路保护功能。
产品图片
规格参数
| 产品型号 | FS8205A |
| 制造商 | EVVO |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | MOSFET - 阵列 20V 6A（Ta） 2W（Ta） 表面贴装型 SOT-23-6 |
| 包装类型 | 卷带（TR），剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N 沟道，共漏 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17.6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 910pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
主要特点
集成双 N 沟道 MOSFET，节省 PCB 空间
低导通电阻，降低功耗，提高效率
小封装（SOP-8），适合便携式设备
逻辑电平驱动，兼容常见保护 IC
可靠性高，适合电池长期使用
开关速度快，响应及时
典型应用
单节/多节锂离子电池保护板（BMS）
移动电源（Power Bank）
蓝牙耳机、可穿戴设备
电动工具电池组
笔记本、平板电脑电池模组
各类便携式电子设备电源管理
工作原理
充电状态：当保护 IC 控制栅极导通时，MOSFET 导通，允许电流进入电池进行充电；
放电状态：当栅极控制导通时，电池能向外部负载供电；
保护状态：当检测到过充、过放或过流情况时，保护 IC 会关断 MOSFET，使电路断开，从而保护电池和负载。
替代型号
8205A（不同厂家封装兼容型号）
FS8205 / DW8205（同类双 MOSFET）
AO4407 / AO4413（相似应用的 MOSFET）
8205S（兼容型号）
8205B（性能相近的替代产品）