品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: NXP |
PowerMOS transistor Avalanche energy rated 功率MOS晶体管额定雪崩能量 |
晶体 晶体管 | |||
![]() |
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: STMICROELECTRONICS |
N - CHANNEL 400V - 0.75 ohm - 5.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.75欧姆 - 5.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: INTERSIL |
5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET 5.5A , 400V , 1.000 Ohm的N通道功率MOSFET |
||||
![]() |
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: FAIRCHILD |
N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V N沟道功率MOSFET , 5.5A , 350 V / 400V |
|||
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: INFINEON |
SMPS MOSFET 开关电源MOSFET |
开关 | |||
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: ROCHESTER |
5.5A, 400V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | ||||
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: NJSEMI |
Trans MOSFET N-CH 400V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | ||||
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: ISC |
N-channel mosfet transistor N沟道场效应晶体管的晶体管 |
晶体 晶体管 场效应晶体管 | |||
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: SUNTAC |
POWER MOSFET 功率MOSFET |
||||
![]() |
![]() |
IRF730
EDA模型
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power MOSFET 功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 | ||
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: DCCOM |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL POWER MOSFET N沟道功率MOSFET技术规格 |
||||
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: A-POWER |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET N沟道增强型功率MOSFET |
||||
![]() |
IRF730
中文翻译 品牌: FOSHAN |
TO-220 | ||||
![]() |
IRF730-007
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
![]() |
IRF730-007PBF
中文翻译 品牌: VISHAY |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | 局域网 晶体管 | |||
![]() |
![]() |
IRF7301
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.050ohm) 功率MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(ON) = 0.050ohm ) |
|||
![]() |
IRF73016
中文翻译 品牌: MOTOROLA |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 局域网 晶体管 | |||
![]() |
![]() |
IRF7301PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 PC | ||
![]() |
IRF7301TR
中文翻译 品牌: UMW |
种类:N+N-Channel;漏源电压(Vdss):20V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):5.7A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:40mΩ@4.5V | ||||
![]() |
IRF7301TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |
|||||
![]() |
![]() |
IRF7301TR
中文翻译 品牌: INFINEON |
最小工作温度(℃):0;最大工作温度(℃):; | |||
![]() |
![]() |
IRF7301TRPBF
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, | 开关 脉冲 光电二极管 晶体管 | ||
![]() |
![]() |
IRF7303
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm) 功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.050ohm ) |
|||
![]() |
![]() |
IRF7303PBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050ヘ ) HEXFET功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS ( ON) = 0.050ヘ) |
|||
![]() |
IRF7303Q
中文翻译 品牌: INFINEON |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SOP-8 | ||||
![]() |
IRF7303QPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFET Power MOSFET HEXFET功率MOSFET |
||||
![]() |
IRF7303QPBF_10
中文翻译 品牌: INFINEON |
HEXFETPOWERMOSET HEXFETPOWERMOSET |
||||
![]() |
![]() |
IRF7303QTRPBF
中文翻译 品牌: INFINEON |
元器件封装:8-SOIC; | |||
![]() |
IRF7303TR
EDA模型
中文翻译 品牌: INFINEON |
Generation V Technology 第五代技术 |
晶体 晶体管 功率场效应晶体管 开关 脉冲 光电二极管 | |||
![]() |
IRF7303TR
中文翻译 品牌: VBSEMI |