如何巧用运放设计过流保护电路的方法
在电子电路设计中,保护电路对于一个成功的设计而言至关重要。过流保护电路常用于电源电路,其主要作用是限制电源的输出电流。“过流” 指的是负载上的电流超过了电源的供给限度,这种情况不仅危险,还极有可能对电源造成损害。因此,工程师们常常会采用过流保护电路,将负载与电源的连接断开,从而保护电源和负载两者。
接下来,我们详细介绍如何使用运放打造过流保护电路,该设计可以很方便地加入到你的设计方案中。此设计加入了可调的过流阈值,同时具备失效时自动重启功能。由于这是一个基于运放的过流保护电路,所以我们选用了常见的 LM358 作为驱动运放。LM358 的引脚图如下:
从上图可以看出,在这个 IC 内有两个运放通道,但我们仅需使用其中一个。运放需要通过 MOSFET 来闭合(断开)输出负载,这里我们采用 N 通道的 MOSFET IRF540N。如果负载电流大于 500mA,建议使用合适的 MOSFET 散热器。IRF540N 的引脚图如下:
为了给运放和电路供电,还用到了 LM7809 线性稳压器。它是一个 9V 1A 的线性稳压器,输入电压范围广,其引脚图如下:
该过流保护电路所需的元件包括:
・至少 12V 的电源
・LM358
・IRF540N
・100uf/25V 的电容
・散热器
・50kΩ 电位计
・精度 1% 的 1kΩ 和 100kΩ 电阻
・1MΩ 电阻
・1Ω 分流电阻,额定功率为 2W
过流保护电路的设计思路是利用运放感知电路是否发生过流,然后基于感知结果驱动 MOSFET 将负载与电源相连或断开。其电路图如下:
过流保护电路的工作原理如下:MOSFET IRF540N 在正常与过流情况下控制负载的连接与关断。在关闭负载之前,检测负载电流至关重要。检测电流的方法是通过分流电阻 R1(一个 1Ω 2W 的分流电阻),这种测量电流的方法被称为分流电阻检流。当 MOSFET 导通时,负载电流从 MOSFET 的漏极流向源极,最后通过分流电阻导向 GND。基于负载电流,分流电阻会产生一个压降,我们可以使用欧姆定律进行计算。例如,假设负载电流为 1A,则分流电阻上的压降为 1V(因为 V = I x R)。将该电压与使用运放时的预设电压相比,就可以检测到过流并改变 MOSFET 的状态,从而切断负载。
在这个电路中,LM358 被配置为比较器。该比较器会比较两个值的大小,第一个值是分流电阻间的压降大小,第二个值是用可调电阻或电位计 RV1 生成的预设电压(参考电压)。RV1 起到分压器的作用,分流电阻间的压降导入比较器的反向引脚,而参考电压则连接到比较器的同向引脚。如果感应电压小于参考电压,比较器会在输出生成正电压(接近比较器的 VCC),反之则为负电压(接地,此处为 0V),这个电压足以控制 MOSFET 的开关。
不过,当大负载与电源断开连接时,瞬间的改变会在比较器上产生一个线性区间,这会造成一个循环,导致比较器无法正常开关负载,且运放会变得不稳定。例如,假设用电位计将 1A 设置为 MOSFET 关断的阈值,当比较器检测到分流电阻间的压降为 1.01V 时,比较器会断开负载。暂态响应提高了参考电压,迫使比较器在一个线性区间工作。
解决该问题的最佳方法是在比较器上使用稳定的电源,使瞬态改变不会影响比较器的输入电压和参考电压。此外,比较器上需要加入额外的滞后。在该电路中,我们使用线性稳压器 LM7809 和滞后电阻 R4(100kΩ 的电阻)。LM7809 为比较器提供了合理的电压,使电源线上的暂态改变不会影响比较器。C1(100uF 电容)用于输出电压的滤波。滞后电阻 R4 将小部分输入导入到运放输出上,从而在低阈值(0.99V)和高阈值(1.01V)间创造了一个电压差。这样,达到阈值后比较器不会立即改变状态,要使状态从高到低,检测电压应低于低阈值(如 0.97V 而不是 0.99V);要从低到高,检测电压应高于高阈值(如 1.03 而不是 1.01V)。这将提升比较器的稳定性,并减少错误触发的情况。R2 和 R3 用于控制 MOSFET 栅极,R3 是 MOSFET 栅极下拉电阻。
最后,为大家提供一些设计建议:
・输出端的 RC 缓冲电路可以有效提高 EMI 性能。
・在特殊情况下,可以使用更大的散热器及特定的 MOSFET。
・完善的 PCB 板可以提升电路的稳定性。
・分流电阻额定功率需要根据功率定律和负载电流进行调整。
・为了实现小封装,可以采用 mΩ 级的低阻值电阻,但其压降会变少,为了补偿压降可以增加一个合适增益的放大器。
・如果要提高检流精度,建议使用独立的检流放大器。
通过以上的介绍,相信大家对如何用运放打造过流保护电路有了更深入的了解。在实际设计中,我们需要根据具体的应用场景和需求,合理选择元件和参数,以确保电路的稳定性和可靠性。

热门文章
- 三星成功逆袭,揽获 Switch 2 芯片代工订单 2025-06-17
- 2024年TOREX(特瑞仕)产品选型手册(中文版) 2024-09-20
- LPDDR6 内存标准正式登场,性能、能效与安全全面升级 2025-07-11
- 业界首款!湖北发布高性能车规级芯片DF30 2024-11-11
- 百度成功点亮昆仑芯三代万卡集群,引领AI算力新时代 2025-02-05
- AI 芯片新势力:ASIC 改写 GPU 主导规则? 2025-08-21
- RTX 5090与RTX 5080首发供应量紧张,加价购买或成普遍现象 2025-01-20
- 中国科大在触觉传感器研究中取得重要进展 2024-11-26
- 三星计划2026年推出超400层V-NAND,2027年0a DRAM将采用VCT结构 2024-10-30
- CTS Temperature Solutions - 泳池和水疗产品手册(英文版) 2024-09-19