三星发力 HBM 芯片：招聘专家改进技术，追赶 SK 海力士步伐

在半导体行业竞争日益激烈的当下，三星电子正积极采取行动，力求重夺行业领导地位。目前，三星电子正加紧招聘经验丰富的高带宽存储器 (HBM) 专家，寄希望于在疲软的第二季度后，随着市场的反弹，能够在 HBM 领域取得重大突破。

此次招聘的重点是在下一代半导体和芯片封装技术领域有丰富经验的工程师，特别是掌握混合键合技术的专业人才。混合键合技术被视为提升人工智能和其他计算应用性能的关键，它无需使用凸块（目前在 HBM 生产中用于堆叠 DRAM 芯片的微型连接器），而是将芯片直接连接在一起。这种技术对于制造 16 层或更多 DRAM 层的产品至关重要，因为它可以减少 HBM 堆栈的厚度并降低发热量，从而提高产品性能。

相比之下，三星正在缩减其表现不佳的晶圆代工部门的资深招聘规模，这突显了其对 HBM 领域的高度专注。目前，三星在 HBM 领域落后于本土竞争对手 SK 海力士。据三星电子周二消息，负责公司半导体业务的设备解决方案 (DS) 部门计划在其九个主要业务部门中的六个部门招聘经验丰富的专业人员，包括存储芯片业务、晶圆代工、半导体研究中心、全球制造和基础设施、测试和系统封装以及人工智能中心。三星下半年招聘申请截止日期为 8 月 19 日，虽然该公司拒绝透露目标员工人数，但行业观察人士预计招聘规模将大幅扩大，这也表明存储芯片市场正在复苏。三星预计，在 HBM 产品的推动下，下半年盈利将出现反弹。

具体而言，三星正在寻找能够为先进 HBM 设计新架构的封装开发专家，以及负责与对定制 HBM 感兴趣的客户进行沟通的产品规划人员。定制 HBM 是指垂直堆叠 DRAM 产品的一种版本，其底层（作为芯片大脑的底层）配备了客户指定的功能。预计三星最早将于明年将定制 HBM 推向市场，以缩小与 HBM 先驱 SK 海力士的差距。

值得注意的是，三星电子将其下一代高带宽内存 (HBM) 芯片的量产推迟至 2026 年。该公司最初计划在 2025 年下半年开始量产基于 10nm 级第六代 1c DRAM 的 12 英寸 HBM4 模块，但据韩国出版物 Deal Site 报道，三星打算在 2025 年第三季度向主要客户交付早期样品，预计在第四季度全面投入生产。此次延期是因为三星致力于提升其重新设计的 1c DRAM 芯片的性能和良率。截至 7 月初，少量晶圆的良率已达到约 65%，不过这些样品并非专门为 HBM 应用设计，量产后的实际良率可能会有所不同。

与此同时，三星将在今年下半年停止系统大规模集成电路（DS）业务的资深员工招聘。该部门负责开发 Exynos 应用处理器和图像传感器等非内存产品，其第二季度的亏损进一步扩大，拖累了三星季度业绩。三星 DS 部门第二季度营业利润为 4000 亿韩元（2.88 亿美元），创下自 2023 年第四季度 2 万亿韩元营业亏损以来的最低水平。

与三星不同，SK 海力士大力押注人工智能热潮，希望推动其在 2025 年下半年持续增长。该公司预计，在大规模人工智能模型训练、自主人工智能项目和新产品发布的推动下，强劲的需求将持续下去。SK 海力士计划在 2025 年将 HBM 的销量翻一番，得益于其已投入量产的 HBM3E 芯片的强劲需求。此外，该公司还在为下一代产品 HBM4 做准备，目标是在今年 3 月分发早期样品后，于 2026 年实现商业化上市。

除了 HBM 之外，SK 海力士还计划在今年晚些时候开始出货基于 LPDDR 的服务器模块，并通过推出一款新的 24Gb 芯片来扩展其用于 AI 显卡的 GDDR7 产品线。在 NAND 内存方面，该公司将保持谨慎的投资策略，优先考虑盈利能力和基于 QLC 的企业级固态硬盘 (SSD) 的扩展。SK 海力士已确认其 M15X 制造工厂将于第四季度按计划投产，包括 HBM 在内的生产预计将于明年开始。龙仁 Cluster 1 制造工厂预计将于 2027 年第二季度竣工。该公司还表示，其 2025 年的资本支出预计将超过此前的预测。

在半导体行业的激烈竞争中，三星和 SK 海力士都在积极布局 HBM 领域，未来谁能在这个市场中占据主导地位，值得我们拭目以待。