SK 海力士有望2月启动业界最先进1c nm制程DRAM量产

据最新消息，SK海力士有望在2024年2月正式启动业界最先进的1c纳米(nm)制程DRAM量产。这一消息标志着SK海力士在内存技术领域的又一次重大突破，并有望在全球内存市场中占据领先地位。

SK海力士在近期成功完成了内存业界最先进1c纳米制程DRAM的批量产品认证。连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到了要求，为量产奠定了坚实基础。在完成量产交接手续后，SK海力士计划于2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。这一时间节点不仅体现了SK海力士在技术上的快速推进，也符合DRAM内存行业的一般新制程量产时间表。

早在2024年8月末，SK海力士就已宣布成功实现了1c纳米工艺的16Gb DDR5-8000 DRAM内存的开发。从开发成功到量产的约半年时间，SK海力士展现了其高效的技术转化能力。与此同时，SK海力士的竞争对手三星电子和美光目前尚未官宣第六代10纳米级DRAM内存，这使得SK海力士在最新节点世代上占据明显先发优势。

1c纳米制程，也称为1-gamma纳米制程，标志着内存技术迈入了第六个10+纳米制程世代。这一技术代际的命名方式采用了数字+后缀的方式，以区别于之前的命名规则。例如，三星之前对1b纳米制程的称呼是“12纳米级别”。随着制程技术的飞速发展，内存行业已经步入了20至10纳米工艺阶段，而SK海力士和三星电子在这一阶段中扮演着领头羊的角色。

据悉，SK海力士计划将1c工艺技术应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等最先进DRAM主力产品群。这些产品将受益于1c纳米制程带来的密度和能效方面的改进，从而为用户提供更高效、更可靠的内存解决方案。

在即将量产的1c纳米DRAM中，SK海力士还计划使用32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。这一举措将进一步提升HBM4E内存的带宽、密度和能效，为AI等应用创造更多可能性。根据SK海力士技术人员的介绍，HBM4E内存有望在带宽上提升40%、密度提升30%，同时能效也提高30%。

SK海力士的量产计划不仅体现了其在技术上的领先地位，也反映了其对市场机遇的敏锐捕捉。为了迅速满足微软、亚马逊等重量级客户的需求，SK海力士正在积极筹备，并计划在通过行业严格验证后立即向这些客户供货。这一战略举措无疑将大大增强SK海力士在全球内存市场的竞争地位。

展望未来，随着1c纳米制程DRAM的量产，SK海力士和三星电子将进一步提升EUV光刻技术的使用频率。这种先进的技术在减小线宽、提升速率的同时，还能带来显著的能效提升。美光公司也已在1-gamma纳米节点首次引入EUV技术，并预计于2025年实现量产。与此同时，台湾的南亚科技也在积极研发首代DDR5内存产品，并有望在年内推向市场。这一系列的技术进步与创新将引领全球内存市场迈向一个全新的发展高峰。