UltraRAM 突破存储瓶颈，量产有望重塑行业格局

在当今数字化快速发展的时代，存储技术的革新一直是行业关注的焦点。近日，长期处于研发阶段的 UltraRAM 内存技术传来了商业化推进的重要喜讯。先进晶圆产品供应商 IQE plc 历经一年的专项项目攻关，成功开发出适配该技术的可扩展外延工艺。IQE 首席执行官 Jutta Meier 表示，这一成果是 UltraRAM 向工业化生产迈出的里程碑式一步，为这项备受业内期待的内存技术落地应用奠定了关键基础。

UltraRAM 融合了闪存和 RAM 的最佳元素。追溯其技术发展历程，它首次进入公众视野是在三年前的 TechSpot 平台。当时的信息显示，该技术旨在融合 RAM 与 NAND 两种主流存储介质的优势，同时规避二者短板。它追求与非易失性 DRAM 相近的读写速度，还致力于实现更出色的耐用性与能效表现。从原型机测试数据来看，UltraRAM 的数据保留时间可达 1000 年，编程 / 擦除（P/E）周期突破 1000 万次，这一耐用性指标较当前市场主流的闪存产品提升约 100 倍。凭借 “高速、非易失、高耐用” 的综合特性，UltraRAM 被部分行业人士赞誉为 “通用内存”，其技术潜力引发了广泛关注。

事实上，将 RAM 与闪存的优势整合到单一产品中的尝试并非 UltraRAM 首创。近年来，全球存储领域的头部企业均在这一方向进行了探索，但市场反响未达预期。英特尔此前推出的 Optane 平台基于 3D XPoint 技术，主打高性能与非易失性存储特性，初期在数据中心、高端消费电子等领域有一定应用。然而，由于制造成本偏高、与现有硬件生态兼容性不足等因素，Optane 平台的市场渗透率始终难以突破，英特尔最终于 2022 年终止该业务线。

英特尔退出后，三星升级了其 Z-NAND 产品系列。三星 Z-NAND 采用独特的 3D 堆叠架构，在读写速度与耐用性上较传统 TLC、QLC NAND 闪存有明显提升，主要面向数据中心对高性能存储的需求场景。但从市场反馈来看，Z-NAND 的成本仍显著高于主流 NAND 产品，难以大规模普及，未能实现 “通用内存” 的市场定位。

除了英特尔和三星，Kioxia（原东芝存储）与西部数据的合作也在该领域留下了重要印记。2020 年，双方联合研发推出 XL-FLASH 技术，对标英特尔 Optane，聚焦高性能非易失性存储市场。今年 5 月的 Computex 展会上，基于 XL-FLASH 技术的定制化 PCIe 5.0 SSD 亮相，性能数据突出：随机读取 IOPS（每秒输入输出操作）达到 350 万，远超传统高端 NVMe SSD 水平。同期，InnoGrit 基于该技术开发的 N3X SSD，实现了 14 GB/s 的持续顺序读取速度、12 GB/s 的持续顺序写入速度，随机写入 IOPS 达 70 万，读取延迟仅 13 微秒，延迟表现已接近部分 DRAM 产品。不过，行业分析指出，XL-FLASH 本质上仍属于 NAND 闪存的技术优化升级，与 UltraRAM 所追求的 “通用内存” 技术路径存在差异。

目前，UltraRAM 制造商 Quinas 正积极与全球代工厂及战略合作伙伴对接，推进试生产工作。但行业普遍认为，UltraRAM 要实现市场落地仍面临多重挑战。首先是量产稳定性，实验室阶段的技术参数需在大规模生产中保持一致，IQE 此次开发的外延工艺，其良率控制将直接影响产品成本与产能释放节奏。其次是成本控制，若量产成本无法与现有 DRAM、NAND 产品形成竞争优势，将难以打开市场空间。最后是生态适配，UltraRAM 需兼容当前主流的芯片组、操作系统及软件平台，才能顺利进入消费级、企业级等不同应用场景。

从市场需求层面来看，UltraRAM 若能成功量产，潜在应用场景广泛。在数据中心领域，它可实现高性能缓存与长期存储的一体化，减少数据在 DRAM 与 NAND 之间的迁移损耗，提升数据处理效率。在消费电子领域，能为智能手机、笔记本电脑等设备带来更快的开机与应用加载速度，同时延长存储部件使用寿命。在工业控制、汽车电子等领域，其高耐用性与长数据保留时间能满足极端环境下的稳定存储需求。

尽管目前无法确定 UltraRAM 技术最终能否成功落地，但业内人士认为这一商业化进展传递出积极信号。随着全球数据量持续增长、各类计算场景对存储性能要求不断提升，市场对高性能、非易失性存储技术的需求将长期存在，这为 UltraRAM 等创新技术提供了发展空间。未来，若 Quinas 能顺利完成试生产并解决成本、适配等关键问题，UltraRAM 有望为存储行业带来新的技术选择，推动通用内存技术探索进入新阶段。