旋律IC - 型号起始 - 晶体管; 总记录数：6176

品牌	图片	型号	描述	用途标签	PDF	供应商
		1ED020I12-F 中文翻译品牌: INFINEON	Single IGBT Driver IC 单IGBT驱动器IC	驱动器双极性晶体管
		1ED020I12FA 中文翻译品牌: INFINEON	Single IGBT Driver IC 单IGBT驱动器IC	驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管
		1ED020I12FA2 中文翻译品牌: INFINEON	EiceDRIVER™ 汽车 - 电流隔离式单通道 IGBT 驱动器 IC	驱动双极性晶体管驱动器
		1ED020I12FTA 中文翻译品牌: INFINEON	Single IGBT Driver IC 单IGBT驱动器IC	驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管
		1ED44171N01B 中文翻译品牌: INFINEON	EiceDRIVER™ 25 V single-channel low-side non-inverting gate driver IC for MOSFETs or IGBTs with typical 2.6 A source and sink currents in a tiny 5-lea	驱动双极性晶体管功率因数校正
		1EDC05I12AH 中文翻译品牌: INFINEON	1200 V单边高侧栅极驱动器IC，具有UL认证的电流隔离、短路箝位和独立的汇/源输出	栅极驱动双极性晶体管光电二极管接口集成电路驱动器
		1EDC20H12AH 中文翻译品牌: INFINEON	Single channel IGBT gate driver IC in wide body package	双极性晶体管
		1EDC20I12AH 中文翻译品牌: INFINEON	Single channel IGBT gate driver IC in wide body package	双极性晶体管
		1EDC60H12AH 中文翻译品牌: INFINEON	Single channel IGBT gate driver IC in wide body package	双极性晶体管
		1EDC60I12AH 中文翻译品牌: INFINEON	Single channel IGBT gate driver IC in wide body package	双极性晶体管
		1EDI60H12AH 中文翻译品牌: INFINEON	Single channel IGBT gate driver IC in wide body package	双极性晶体管
		1EDI60I12AH 中文翻译品牌: INFINEON	Single channel IGBT gate driver IC in wide body package	双极性晶体管
		2DD1766P-13 中文翻译品牌: DIODES	CE结击穿电压Vceo(V):32V;最大集电极电流Ic(mA):2A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):800mV @ 200mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):220MHz;元器件封装:TO-243AA;
		2ED020I06-FI 中文翻译品牌: INFINEON	Dual IGBT Driver IC 双IGBT驱动器IC	驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管
		2ED020I12-F 中文翻译品牌: EUPEC	Dual IGBT Driver IC for eupec Low and Medium Power IGBT Modules 双IGBT驱动器IC EUPEC中小功率IGBT模块	驱动器接口集成电路光电二极管双极性晶体管
		2ED020I12-FI 中文翻译品牌: INFINEON	Dual IGBT Driver IC 双IGBT驱动器IC	驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管 PC
		2ED020I12FA 中文翻译品牌: INFINEON	Dual IGBT Driver IC 双IGBT驱动器IC	驱动器 MOSFET驱动器驱动程序和接口接口集成电路光电二极管双极性晶体管
		2ED1322S12M 中文翻译品牌: INFINEON	EiceDRIVER™ 1200 V half-bridge gate driver IC with typical 2.3 A source, 4.6 A sink current and cross conduction prevention in DSO-16 (300mils) packag	驱动双极性晶体管
		2ED1324S12P 中文翻译品牌: INFINEON	EiceDRIVER? 1200 V half-bridge gate driver IC with 2.3 A source, 2.3 A sink current and cross conduction prevention in the sufficient creepage, cleara	驱动双极性晶体管
		2ED28073J06F 中文翻译品牌: INFINEON	600 V半桥栅极驱动IC集成自举二极管，具有典型的0.02 A拉电流和0.08 A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动包括快速体二极管CoolMOS PFD7超结MOSFET和IGBT在内的MOSFET。	栅极驱动双极性晶体管二极管
		2N5401S-RTK/P 中文翻译品牌: KEC	CE结击穿电压Vceo(V):150V;最大集电极电流Ic(mA):600mA;类型:PNP;最大耗散功率Pd(W):350mW;
		2N5488 中文翻译品牌: NJSEMI	IC=5.0AMPS	晶体晶体管功率双极晶体管
		2N5769 EDA模型中文翻译品牌: ONSEMI	CE结击穿电压Vceo(V):15V;最大集电极电流Ic(mA):200mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 10mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):350mW;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:TO-226-3;
		2N6312 中文翻译品牌: MOSPEC	IC (A):5; VCBO (V):40; VCEO (V):40; PD (W):75; PACKAGE:TO-66; HFE (Min/Max):25/100; IC/VCE (A/V):1.5/2.0; VCE(SAT) (V):0.7; IC / IB (A/mA):1.5/150;	光电二极管
		2PA1576S,115 中文翻译品牌: NEXPERIA	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):150mA;类型:PNP;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C（TJ）;变换频率ft(MHz):100MHz;元器件封装:SOT-323;
		2PC4081Q,115 中文翻译品牌: NEXPERIA	CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):150mA;类型:NPN;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C（TJ）;变换频率ft(MHz):100MHz;元器件封装:SOT-323;
		2SA1015 中文翻译品牌: TYSEMI	High voltage and high current VCEO:=-50V(min.),IC=-150mA(max.) Low niose: NF=1dB(Typ.) at f=1KHz 高电压和高电流VCEO ： = - 50V （分钟）， IC = -150mA （最大值）低nio	晶体晶体管
		2SA1162 中文翻译品牌: TYSEMI	High voltage and high current: VCEO = -50 V, IC = 150 mA (max) 高电压和高电流： VCEO = -50 V， IC = 150 MA（最大）	晶体晶体管光电二极管
		2SA1314 中文翻译品牌: TYSEMI	Low Saturation Voltage VCE(sat) = -0.5V (max) (IC = -2A, IB = -50mA) Small Flat Package 低饱和电压VCE （SAT） = -0.5V （最大值）（ IC = -2A ， IB = -50mA ）小型扁平封	晶体晶体管放大器
		2SA1363 中文翻译品牌: TYSEMI	High hFE : hFE = 150 to 800 High Collector Current (IC = -2A) 高的hFE ：的hFE = 150 〜800高集电极电流（ IC = -2A ）	晶体晶体管

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