| 品牌 | 图片 | 型号 | 描述 | 用途标签 | 供应商 | |
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1ED020I12-F
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single IGBT Driver IC 单IGBT驱动器IC |
驱动器 双极性晶体管 | ||
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1ED020I12FA
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single IGBT Driver IC 单IGBT驱动器IC |
驱动器 MOSFET驱动器 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 双极性晶体管 | ||
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1ED020I12FA2
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 汽车 - 电流隔离式单通道 IGBT 驱动器 IC | 驱动 双极性晶体管 驱动器 | ||
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1ED020I12FTA
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single IGBT Driver IC 单IGBT驱动器IC |
驱动器 MOSFET驱动器 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 双极性晶体管 | ||
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1ED21271S65F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 650 V high side single channel gate driver IC with a typical 4 A source and 4 A sink current in DSO-8 package for IGBTs, MOSFETs and SiC M | 驱动 双极性晶体管 | |||
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1ED2127S65F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 650 V high side single channel gate driver IC with a typical 4 A source and 4 A sink current in DSO-8 package for IGBTs, MOSFETs and SiC M | 驱动 双极性晶体管 | |||
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1ED21471S65F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 650 V high side single channel gate driver IC with a typical 4 A source and 4 A sink current in DSO-8 package for IGBTs, MOSFETs and SiC M | 驱动 双极性晶体管 | |||
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1ED2147S65F
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 650 V high side single channel gate driver IC with a typical 4 A source and 4 A sink current in DSO-8 package for IGBTs, MOSFETs and SiC M | 驱动 双极性晶体管 | |||
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1ED44171N01B
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 25 V single-channel low-side non-inverting gate driver IC for MOSFETs or IGBTs with typical 2.6 A source and sink currents in a tiny 5-lea | 驱动 双极性晶体管 功率因数校正 | |||
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1EDC05I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
1200 V单边高侧栅极驱动器IC，具有UL认证的电流隔离、短路箝位和独立的汇/源输出 | 栅极驱动 双极性晶体管 光电二极管 接口集成电路 驱动器 | ||
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1EDC20H12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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1EDC20I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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1EDC60H12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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1EDC60I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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1EDI60H12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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1EDI60I12AH
中文翻译 品牌: INFINEON |
Single channel IGBT gate driver IC in wide body package | 双极性晶体管 | ||
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2DD1766P-13
中文翻译 品牌: DIODES |
CE结击穿电压Vceo(V):32V;最大集电极电流Ic(mA):2A;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):800mV @ 200mA, 2A;最大耗散功率Pd(W):1W;最大工作温度(℃): 150°C ;变换频率ft(MHz):220MHz;元器件封装:TO-243AA; | |||
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2ED020I06-FI
中文翻译 品牌: INFINEON |
Dual IGBT Driver IC 双IGBT驱动器IC |
驱动器 MOSFET驱动器 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 双极性晶体管 | ||
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2ED020I12-F
中文翻译 品牌: EUPEC |
Dual IGBT Driver IC for eupec Low and Medium Power IGBT Modules 双IGBT驱动器IC EUPEC中小功率IGBT模块 |
驱动器 接口集成电路 光电二极管 双极性晶体管 | |||
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2ED020I12-FI
中文翻译 品牌: INFINEON |
Dual IGBT Driver IC 双IGBT驱动器IC |
驱动器 MOSFET驱动器 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 双极性晶体管 PC | ||
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2ED020I12FA
中文翻译 品牌: INFINEON |
Dual IGBT Driver IC 双IGBT驱动器IC |
驱动器 MOSFET驱动器 驱动程序和接口 接口集成电路 光电二极管 双极性晶体管 | ||
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2ED1322S12M
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER™ 1200 V half-bridge gate driver IC with typical 2.3 A source, 4.6 A sink current and cross conduction prevention in DSO-16 (300mils) packag | 驱动 双极性晶体管 | |||
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2ED1324S12P
中文翻译 品牌: INFINEON |
EiceDRIVER? 1200 V half-bridge gate driver IC with 2.3 A source, 2.3 A sink current and cross conduction prevention in the sufficient creepage, cleara | 驱动 双极性晶体管 | |||
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2ED28073J06F
中文翻译 品牌: INFINEON |
600 V半桥栅极驱动IC集成自举二极管，具有典型的0.02 A拉电流和0.08 A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动包括快速体二极管CoolMOS PFD7超结MOSFET和IGBT在内的MOSFET。 | 栅极驱动 双极性晶体管 二极管 | |||
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2N5401S-RTK/P
中文翻译 品牌: KEC |
CE结击穿电压Vceo(V):150V;最大集电极电流Ic(mA):600mA;类型:PNP;最大耗散功率Pd(W):350mW; | ||||
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2N5488
中文翻译 品牌: NJSEMI |
IC=5.0AMPS | 晶体 晶体管 功率双极晶体管 | |||
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2N5769
EDA模型
中文翻译 品牌: ONSEMI |
CE结击穿电压Vceo(V):15V;最大集电极电流Ic(mA):200mA;类型:NPN;CE结饱和压降Vce(sat):500mV @ 10mA, 100mA;最大耗散功率Pd(W):350mW;最大工作温度(℃): 150°C ;元器件封装:TO-226-3; | |||
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2N6312
中文翻译 品牌: MOSPEC |
IC (A):5; VCBO (V):40; VCEO (V):40; PD (W):75; PACKAGE:TO-66; HFE (Min/Max):25/100; IC/VCE (A/V):1.5/2.0; VCE(SAT) (V):0.7; IC / IB (A/mA):1.5/150; | 光电二极管 | |||
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2PA1576S,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):150mA;类型:PNP;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C（TJ）;变换频率ft(MHz):100MHz;元器件封装:SOT-323; | |||
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2PC4081Q,115
中文翻译 品牌: NEXPERIA |
CE结击穿电压Vceo(V):50V;最大集电极电流Ic(mA):150mA;类型:NPN;最大耗散功率Pd(W):200mW;最大工作温度(℃):150°C（TJ）;变换频率ft(MHz):100MHz;元器件封装:SOT-323; |