超越EUV！下一代光刻技术来了

挪威初创公司Lace Lithography AS正在开发一项颠覆性的光刻技术，有望彻底改变半导体制造行业。这家总部位于卑尔根的公司采用了一种前所未有的方法——使用原子而非光来定义芯片特征，其分辨率甚至超越了当前最先进的极紫外(EUV)光刻技术的物理极限。

这项被称为BEUV（Beyond Extreme Ultraviolet）的技术由卑尔根大学Bodil Holst教授与首席技术官Adria Salvador Palau博士共同研发，并于2023年7月正式创立公司。与传统EUV系统使用13.5nm波长光通过复杂的光学系统在晶圆上形成图案不同，Lace Lithography的技术实现了直接无掩模图案化，突破了传统光刻技术受波长限制的瓶颈。

技术原理与突破性优势

Lace Lithography的核心创新在于使用中性氦原子束替代光子束进行图案刻写。根据Holst教授和Salvador Palau博士发表在《物理评论A》上的研究论文《利用中性氦原子进行真实尺寸表面映射》，这项技术源自他们开发的立体氦显微镜原理。通过精确控制原子束的发射和定位，能够在硅片上创造出比传统EUV更精细的结构。

"通过使用原子代替光，我们为芯片制造商提供了领先当前技术15年的功能，而且成本更低、能耗更低。"公司官网上的这一声明揭示了BEUV技术的三大核心优势：超高分辨率、更低成本和更高能效。这对于延续摩尔定律、推动晶体管持续小型化具有决定性意义。

欧盟支持与研发进展

这项突破性技术已获得欧盟高度重视。FabouLACE项目作为欧盟重点资助的研发计划，专门支持Lace Lithography开发基于色散力掩模的氦原子光刻技术。该项目于2023年12月1日启动，将持续至2026年11月30日，预算达250万欧元，由欧洲创新委员会提供资金支持。

FabouLACE项目采用亚稳态原子和基于色散力的掩模技术，目标实现2纳米工艺节点。欧盟委员会已授权Lace Lithography在2031年前将该技术商业化。为确保技术可靠性，世界顶尖的IMEC研究机构将全程参与技术验证与性能监测。

值得注意的是，Lace Lithography的技术基础源自更早期的NanoLACE研究项目。该项目于2019年启动，2024年12月31日结束，共获得336万欧元资助（总预算365万欧元），为BEUV技术奠定了坚实的理论基础。

公司背景与融资情况

Lace Lithography AS由Bodil Holst教授和Adria Salvador Palau博士于2023年7月共同创立。Holst教授担任公司CEO，而获得卑尔根大学博士学位的Salvador Palau博士作为CTO，目前主要在西班牙巴塞罗那运营技术研发工作。

成立之初，公司便成功筹集了约45万欧元的种子轮融资，投资方阵容强大，包括Runa Capital、Vsquared Ventures、Future Ventures等知名风投，以及欧洲创新委员会、挪威创新局和挪威研究委员会等政府机构支持。这充分体现了市场和技术界对这一突破性技术的信心。

行业影响与未来展望

Lace Lithography的BEUV技术有望解决半导体行业面临的关键挑战。随着传统EUV光刻技术逐渐接近物理极限，芯片制造商迫切需要下一代解决方案来维持摩尔定律的有效性。原子光刻技术不仅提供了更高的分辨率，其无掩模特性还能显著降低生产成本和复杂度。

据行业分析，如果Lace Lithography能够按计划在2031年前实现技术商业化，将可能重塑全球半导体制造格局，使欧洲在尖端芯片制造装备领域获得重要话语权。对于台积电、三星和英特尔等芯片制造巨头而言，这项技术可能成为维持竞争优势的关键。

随着FabouLACE项目的推进和IMEC的独立验证，Lace Lithography的BEUV技术有望在未来几年内从实验室走向产业化，为后摩尔时代的芯片制造开辟全新路径。这家挪威初创公司的创新实践，或将书写半导体制造史的新篇章。