突破 90%！台积电 2nm 芯片良率提升，开启芯片制造新征程

就在行业还在热烈讨论 3nm 工艺量产进展之时，台积电已经悄然将 2nm 技术推进到了关键节点。根据《经济日报》的最新报道，台积电目前 2nm 芯片的良品率已成功突破 90%。这一令人瞩目的进展，关键在于架构上的重大变革。

能取得这样的进展，关键在于架构上的变革。2nm工艺不再使用过去3nm和5nm常见的FinFET（鳍式场效应晶体管）架构，而是采用了基于GAA（环绕式栅极）技术的MBCFET结构。通俗点说，原本像“单行道”的电流通道被升级成了“立体立交桥”，有效解决了制程微缩带来的漏电难题。

此外，台积电在纳米片堆叠技术上的多年深耕，再加上极紫外光（EUV）设备的加持，使得2nm制程的整体良率在短时间内实现大幅提升。去年7月刚启动2nm风险试产时，良率还只有60%左右，如今短短半年已攀升至90%以上，成长速度惊人。

供应链消息指出，台积电可能在今年下半年正式启动2nm的量产准备。目前，其在新竹宝山区建设的四座超级晶圆厂（占地超过90公顷）也已进入冲刺阶段，预计将在2025年全面量产。

从订单情况来看，2nm芯片市场的前景已经被验证。台积电目前收到的2nm订单数量已是当年5nm初期的四倍。作为配套，晶圆切割厂商 Kinik 已紧急扩充研磨工具产能至每月5万片，为2nm芯片的推进全力配合。

在海外，台积电位于美国亚利桑那州的 N4 制程工厂也在加快发展步伐。当前该厂月产能已达 1.5 万片，未来还将提升至 2.4 万片，基本处于满载状态。苹果、英伟达、高通、博通等美国科技公司都是该厂的主要客户，英伟达的 AI 芯片就在此处进行工艺验证，预计将在年底前实现量产。

不过，美国本土制造成本较高，已有传闻称，亚利桑那工厂的代工报价或将上涨 30%。即便如此，客户依然愿意为先进制程买单。台积电总裁魏哲家曾总结，制程每推进一代，芯片性能可提升 30%-40%，能耗则下降 20%-30%，这种提升是当前算力增长不可替代的路径。

除了 2nm 之外，台积电也早已精心布局 1.4nm 乃至更先进的技术路线图。可以说，随着 2nm 良率的突破，芯片制造正迈入一个以 “高质量” 为导向的全新阶段。