纳微发布全新4.5kW服务器电源方案，引领AI数据中心高效能时代

加利福尼亚州托伦斯，2024年8月1日 —— 下一代GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件的行业领导者纳微半导体(纳斯达克股票代码：NVTS)今日正式发布了其全新CRPS185 4.5kW AI数据中心服务器电源方案。该方案以超高的功率密度和效率，为全球AI数据中心的增长功率需求提供了创新解决方案。

这款全新电源方案围绕纳微旗下的GaNSafe™高功率氮化镓功率芯片和GeneSiC™第三代快速碳化硅功率器件精心打造，实现了前所未有的137W/in³超高功率密度和超过97%的效率，这在全球范围内均处于领先地位。纳微半导体通过这一创新技术，不仅满足了下一代AI GPU如英伟达Blackwell B100和B200等高功率计算需求，还极大地提升了数据中心的整体能效。

据了解，下一代AI GPU在进行高功率计算时，通常需要超过1kW的功率支持，是传统CPU的三倍之多。为了满足这一需求，每个数据中心机柜的功率规格预计将从目前的30-40kW提升至100kW。纳微半导体的全新4.5kW电源方案正是在此背景下应运而生，它通过氮化镓和碳化硅技术的混合设计，实现了在最小尺寸下为每个搭载AI GPU的机柜提升三倍功率的壮举。

该方案的核心在于碳化硅技术和氮化镓技术的完美结合。其中，碳化硅技术部署在交错CCM图腾柱PFC上，与搭载了氮化镓技术的全桥LLC拓扑结构相结合，充分发挥了每种半导体技术的独特优势。这种混合设计不仅实现了最高的频率和最低的运行温度，还显著提升了电源的可靠性和鲁棒性，进而达到了最高的功率密度和效率。

纳微的650V第三代快速碳化硅MOSFETs采用了先进的“沟槽辅助平面栅”技术，能够在不同温度下为实际应用带来最高系统效率和可靠性。而运用在LLC拓扑中的650V GaNSafe氮化镓功率芯片，则凭借其高度集成的功率、保护、控制和驱动功能，以及出色的散热性能和坚固耐用的TOLL封装，成为了大功率应用的理想选择。

此外，GaNSafe氮化镓功率芯片还具备极低的开关损耗和高达800V的瞬态电压性能，以及低门极电荷、低输出电容和无反向恢复损耗等高速开关优势。这些特性进一步降低了电源中被动元件的尺寸、重量和成本，提高了系统的整体能效。

纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“飞速发展的AI正在显著提升数据中心、处理器以及未来几十年内AI相关领域的功率需求，这给功率半导体行业带来了重大挑战。纳微半导体通过最新的GaNSafe技术和第三代快速碳化硅技术的结合，成功打造了世界上功率密度和效率最高的电源解决方案，为AI数据中心的发展提供了强有力的支持。”

目前，纳微的3.2kW和4.5kW电源方案已经引起了市场的高度关注，已有超过30个数据中心客户项目正在研发中。预计在未来一到两年内，这些方案将为纳微氮化镓和碳化硅的营收带来数百万美元的增长。

纳微半导体将继续以其领先的技术和创新的解决方案，推动AI数据中心和高性能计算领域的发展，为全球客户提供更加高效、可靠的电源解决方案。