DBFS20R06XL420 [ETC]
IGBT Module ; IGBT模块\n
| 型号： | DBFS20R06XL420 |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | IGBT Module
|
| 文件： | 总8页 (文件大小：189K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj = 25 °C
VCES
600
V
IC,nom.
IC
20
26
A
A
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
TC = 70 °C
TC =
25 °C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, TC =
ICRM
70 °C
40
89
A
W
V
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C, Transistor
Ptot
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
VGES
+20
20
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
IFRM
40
A
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
RMS, f= 50Hz, t= 1min
I²t
73
A²s
kV
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
VISOL
2,5
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
-
typ.
1,95
2,20
max.
2,55
-
V
GE= 15V, Tvj= 25°C, IC= IC,nom
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
VCEsat
VGE(th)
QG
collector emitter saturation voltage
VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC= IC,nom
-
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
VCE= VGE, Tvj= 25°C, IC=
0,5 mA
4,5
5,5
0,11
0,9
0,08
-
6,5
V
Gateladung
gate charge
V
GE= -15V...+15V
µC
nF
nF
mA
nA
-
-
-
-
-
-
-
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Cres
-
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
VCE
=
V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
ICES
600
5
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
V
CE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
IGES
-
400
prepared by: P. Kanschat
approved: M. Hierholzer
date of publication:
revision: 2.0
2002-12-17
1 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
typ.
max.
A, VCC
=
=
=
=
=
IC=
300 V
20
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
VGE = ±15V, RG =
VGE = ±15V, RG =
td,on
Ω, Tvj= 25°C
13
13
-
-
20
21
-
-
ns
ns
Ω, Tvj= 125°C
A, VCC
IC=
300 V
20
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
V
GE = ±15V, RG =
GE = ±15V, RG =
tr
Ω, Tvj= 25°C
13
13
-
-
7
8
-
-
ns
ns
V
Ω, Tvj= 125°C
A, VCC
IC=
300 V
20
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
V
GE = ±15V, RG =
VGE = ±15V, RG =
A, VCC
td,off
Ω, Tvj= 25°C
13
13
-
-
80
-
-
ns
ns
Ω, Tvj= 125°C
110
IC=
300 V
20
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
VGE = ±15V, RG =
VGE = ±15V, RG =
tf
Ω, Tvj= 25°C
13
13
-
-
18
25
-
-
ns
ns
Ω, Tvj= 125°C
A, VCC
IC=
300 V
20
13
20
13
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Eon
Eoff
-
-
-
-
-
0,65
0,45
90
-
-
-
-
-
mJ
mJ
A
Ω, Tvj = 125°C, Lσ =
RG =
IC=
15 nH
15 nH
A, VCC
=
300 V
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Ω, Tvj = 125°C, Lσ =
RG =
t
P ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, Tvj= 125°C,
Kurzschlussverhalten
SC data
ISC
V, VCEmax=VCES -LσCE ·|di/dt|
= 360
VCC
Modulinduktivität
stray inductance module
LσCE
25
nH
mΩ
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
Tc= 25°C
RCC´/EE´
8
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
IF =
IF =
IF =
20
20
20
-
-
1,35
1,30
1,9
-
V
V
Durchlassspannung
forward voltage
VF
A, -diF/dt =
2700
A/µs
Rückstromspitze
V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
IRM
VR = 300
VR = 300
-
-
51
53
-
-
A
A
peak reverse recovery current
A, -diF/dt =
IF =
2700
A/µs
20
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
Qr
VR = 300
VR = 300
-
-
1,3
2,0
-
-
µC
µC
A, -diF/dt =
IF =
2700
A/µs
20
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
V, VGE= -10V, Tvj= 25°C
V, VGE= -10V, Tvj= 125°C
Erec
VR = 300
VR = 300
-
-
0,40
0,55
-
-
mJ
mJ
2 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Tc= 25°C
R25
-
5
-
kΩ
%
rated resistance
Abweichung von R100
deviation of R100
Tc= 100°C, R100= 493Ω
Tc= 25°C
-5
-
-
-
5
20
-
∆R/R
P25
Verlustleistung
power dissipation
mW
K
B-Wert
B-value
R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)]
B25/50
-
3375
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Transistor Wechselr. / transistor inverter
-
-
-
-
-
1,40
2,30
-
K/W
K/W
K/W
Innerer Wärmewiderstand; DC
RthJC
thermal resistance, junction to case; DC
Diode Wechselrichter / diode inverter
Transistor Wechselr. / transistor inverter
1,65
Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to heatsink; DC
RthJH
Diode Wechselrichter / diode inverter
-
2,75
-
K/W
λ
Paste = 1 W/m*K / λ grease = 1 W/m*K
Transistor Wechselr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
-
-
0,45
0,75
-
-
K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand, DC
thermal resistance, case to heatsink, DC
RthCH
λ
Paste = 1 W/m*K / λ grease = 1 W/m*K
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Tvjmax
-
-
-
-
150
125
125
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
Top
-40
-40
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Innere Isolation
Al2O3
225
20..50
25
internal insulation
CTI
comperative tracking index
Anpresskraft pro Feder
mounting force per clamp
F
N
Gewicht
weight
G
g
Anschluss - Kühlkörper
terminal to heatsink
Anschluss - Anschluss
terminal to terminal
Kriechstrecke
10,5
5
mm
mm
mm
mm
creepage distance
Anschluss - Kühlkörper
terminal to heatsink
Anschluss - Anschluss
terminal to terminal
Luftstrecke
clearance distance
9
5
3 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
VGE= 15V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
40
30
20
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
output characteristic (typical)
IC= f(VCE)
Tvj= 125°C
VGE = 20V
40
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
30
20
10
0
VGE = 9V
VGE = 8V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VCE [V]
4 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten
preliminary data
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
IC= f(VGE)
VCE= 20V
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
30
20
10
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE [V]
IF= f(VF)
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward characteristic of inverse diode (typical)
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
30
20
10
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
5 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten
preliminary data
Eon = f(IC), Eoff = f(IC), Erec = f(IC)
VGE= ±15V, RGon=RGoff= 13Ω, VCE= 300V, Tvj= 125°C
Schaltverluste (typisch)
switching losses (typical)
Eon
Eoff
3
Erec
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC [A]
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
VGE= ±15V, IC= 20A, VCE= 300V, Tvj= 125°C
Schaltverluste (typisch)
switching losses (typical)
Eon
Eoff
2
Erec
1
0
0
20
40
60
RG [Ω]
80
100
120
6 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten
preliminary data
Transienter Wärmewiderstand
transient thermal impedance
ZthJH = f (t)
10,00
1,00
Zth:IGBT
Zth:Diode
0,10
0,001
0,01
0,1
1
10
t (s)
i
1
2
3
4
ri [K/kW]: IGBT
99,0
330,0
924,0
297,0
0,17410
495,0
τi [s]: IGBT
ri [K/kW]: Diode
τi [s]: Diode
0,00043
0,00942
550,0
0,00508
0,11831
1540,0
0,10706
165,0
0,00031
0,14371
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
reverse bias safe operation area (RBSOA)
VGE=15V, Tj=125°C, RG = 13 Ω
40
20
IC, Chip
IC, Modul
0
0
200
400
VCE [V]
600
7 (8)
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS20R06XL4
vorläufige Daten
preliminary data
Schaltbild
circuit diagram
ϑ
Gehäusemaße
package outline
Bohrplan
drilling layout
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
8 (8)
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