DBFS35R12KE3G30_技术文档

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3 G

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

collector emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1200

V

35

55

A

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_c= 80°C

T_c= 25°C

I_{C, nom}

I_C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_c= 80°C

I_CRM

70

200

+20

35

A

W

V

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

T_c= 25°C; Transistor

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

A

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

t_p= 1ms

I_FRM

70

A

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

I²t

300

2,5

A²s

kV

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

-

typ.

1,7

2,0

max.

2,15

-

I_C= 35A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter saturation voltage

I_C= 35A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

-

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 1,5mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

5,0

5,8

0,33

2,5

0,09

-

6,5

V

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

µC

nF

mA

nA

-

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

-

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

I_CES

5

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

I_GES

-

400

prepared by: Mod-D2; M. Münzer

approved: SM TM; Robert Severin

date of publication: 2002-09-03

revision: 3.0

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2002-09-03

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3 G

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

max.

I_C= 35A, V_CC= 600V

V_GE= ±15V, R_G= 27Ω, T_vj= 25°C

_GE= ±15V, R_G= 27Ω, T_vj= 125°C

Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn on delay time (inductive load)

t_d,on

-

0,09

-

µs

V

I_C= 35A, V_CC= 600V

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

t_r

V_GE= ±15V, R_G= 27Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 27Ω, T_vj= 125°C

I_C= 35A, V_CC= 600V

-

0,03

0,05

-

µs

Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn off delay time (inductive load)

t_d,off

V_GE= ±15V, R_G= 27Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 27Ω, T_vj= 125°C

I_C= 35A, V_CC= 600V

-

0,42

0,52

-

µs

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

t_f

V_GE= ±15V, R_G= 27Ω, T_vj= 25°C

V_GE= ±15V, R_G= 27Ω, T_vj= 125°C

I_C= 35A, V_CC= 600V, L_σ= 70nH

-

0,07

0,09

-

µs

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn on energy loss per pulse

E_on

E_off

-

3,5

4,8

140

19

-

mJ

A

V

_GE= ±15V, R_G= 27Ω, T_vj= 125°C

I_C= 35A, V_CC= 600V, L_σ= 70nH

_GE= ±15V, R_G= 27Ω, T_vj= 125°C

_P≤ 10µs, V_GE≤ 15V, T_Vj≤ 125°C

V_CC= 900V, V_CEmax= V_CES- L_σCE·di/dt

Ausschaltverlustenergie pro Puls

turn off energy loss per pulse

V

t

Kurzschlussverhalten

SC data

I_SC

Modulinduktivität

stray inductance module

L_σCE

nH

mΩ

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip

lead resistance, terminal-chip

T_c= 25°C

R_CC´/EE´

2,5

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter

I_F= 35A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

-

1,65

2,15

-

V

Durchlassspannung

forward voltage

V_F

I_F= 35A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F= 35A, -di_F/dt= 1500A/µs

Rückstromspitze

I_RM

A

-

49

51

-

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F= 35A, -di_F/dt= 1500A/µs

peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

Q_r

µC

-

3,7

6,8

-

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F= 35A, -di_F/dt= 1500A/µs

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

E_rec

mJ

-

1,4

2,7

-

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 600V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

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IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3 G

Charakteristische Werte / characteristic values

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

min.

typ.

max.

Nennwiderstand

rated resistance

T_c= 25°C

R₂₅

-

5

-

kΩ

%

Abweichung von R₁₀₀

deviation of R₁₀₀

T_c= 100°C, R₁₀₀= 493Ω

T_c= 25°C

-5

-

5

20

-

∆R/R

P₂₅

Verlustleistung

power dissipation

mW

K

B-Wert

B-value

R₂= R₁exp[B(1/T₂- 1/T₁)]

B_25/50

-

3375

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Transistor Wechelr. / transistor inverter

Innerer Wärmewiderstand; DC

-

0,60

0,95

K/W

R_thJC

R_thCK

T_{vj max}

T_{vj op}

T_stg

thermal resistance, junction to case; DC

Diode Wechselrichter / diode inverter

pro Modul / per module

λ_Paste= 1W/m*K / λ_grease= 1W/m*K

Übergangs Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

-

0,02

-

K/W

°C

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

maximum junction temperature

-

150

125

Betriebstemperatur

operation temperature

-40

°C

Lagertemperatur

storage temperature

°C

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation

Al₂O₃

10

internal insulation

Kriechstrecke

creepage distance

mm

Luftstrecke

7,5

225

-

clearence distance

CTI

comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

Schraube /screw M5

M

G

3

6

Nm

g

mounting torque

Gewicht

weight

180

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften

zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with

the belonging technical notes.

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IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3 G

Ausgangskennlinie (typisch)

output characteristic (typical)

I_C= f(V_CE)

V_GE= 15V

70

65

60

Tvj = 25°C

55

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

Tvj = 125°C

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

V_CE[V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch)

output characteristic (typical)

I_C= f(V_CE)

T_vj= 125°C

70

65

60

VGE=19V

VGE=17V

55

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

VGE=15V

VGE=13V

VGE=11V

VGE=9V

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

V_CE[V]

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IGBT-Module

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FS35R12KE3 G

Übertragungscharakteristik (typisch)

transfer characteristic (typical)

I_C= f(V_GE)

V_CE= 20V

70

65

60

Tvj=25°C

55

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

Tvj=125°C

0

4

5

6

7

8

9

10

11

12

V_GE[V]

I_F= f(V_F)

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)

forward caracteristic of inverse diode (typical)

70

65

60

55

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

0

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

2,0

2,2

2,4

V_F[V]

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IGBT-Module

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FS35R12KE3 G

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f(I_C), E_off= f(I_C), E_rec= f(I_C)

V_GE=±15V, R_G= 27Ω, V_CE= 600V, T_vj= 125°C

10

8

Eon

Eoff

Erec

6

4

2

0

10

20

30

40

50

60

70

I_C[A]

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f (R_G) , E_off= f (R_G) , E_rec= f (R_G)

V_GE=±15V, I_C= 35A, V_CE= 600V, T_vj= 125°C

10

8

Eon

Eoff

Erec

6

4

2

0

20

40

60

80

100

R_G[Ω]

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IGBT-Module

IGBT-Modules

FS35R12KE3 G

Transienter Wärmewiderstand

Transient thermal impedance

Z_thJC= f (t)

1

0,1

Zth : IGBT

Zth : Diode

0,01

0,001

0,01

0,1

1

t [s]

i

1

2

3

4

r_i[K/W] : IGBT

6,769E-02

2,345E-03

9,674E-02

3,333E-03

1,052E-01

2,820E-01

6,249E-01

3,429E-02

2,709E-01

2,820E-02

1,800E-01

1,294E-01

1,523E-01

1,128E-01

5,701E-02

7,662E-01

τ [s] : IGBT

i

r_i[K/W] : Diode

τ [s] : Diode

i

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA)

V_GE=±15V, R_G=27Ω, T_vj=125°C

80

70

60

IC,Chip

IC,Modul

50

40

30

20

10

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

V_CE[V]

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FS35R12KE3 G

Gehäusemaße / Schaltbild

Package outline / Circuit diagram

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型号：	DBFS35R12KE3G30
厂家：	ETC
描述：	IGBT Module IGBT模块\n 双极性晶体管
文件：	总8页 (文件大小：174K)
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DBFS35R12KE3G30 [ETC]

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