DBFS30R06XL420_技术文档

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS30R06XL4

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

collector emitter voltage

T_vj= 25 °C

V_CES

600

V

I_C,nom.

I_C

30

35

A

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_C= 60 °C

T_C=

25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_C=

I_CRM

60 °C

60

119

+20

30

A

W

V

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

T_c= 25°C, Transistor

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

A

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

t_p= 1ms

I_FRM

60

A

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min

I²t

110

2,5

A²s

kV

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

-

typ.

1,95

2,20

max.

2,55

-

V_GE= 15V, T_vj= 25°C, I_C= I_C,nom

V

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter saturation voltage

V

_GE= 15V, T_vj= 125°C, I_C= I_C,nom

-

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

V

_CE= V_GE, T_vj= 25°C, I_C=

0,7 mA

4,5

5,5

0,16

1,35

0,12

-

6,5

V

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

µC

nF

mA

nA

-

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

-

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

V_CE

=

V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

I_CES

600

-

5

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

V

_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

-

400

prepared by: P. Kanschat

approved: M. Hierholzer

date of publication:

revision: 2.0

2002-12-17

1 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS30R06XL4

vorläufige Daten

preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

max.

A, V_CC

=

I_C=

300 V

30

Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn on delay time (inductive load)

V_GE= ±15V, R_G=

t_d,on

Ω, T_vj= 25°C

8,2

-

20

21

-

ns

V

_GE= ±15V, R_G=

Ω, T_vj= 125°C

A, V_CC

I_C=

300 V

30

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

V_GE= ±15V, R_G=

t_r

Ω, T_vj= 25°C

8,2

-

7

8

-

ns

Ω, T_vj= 125°C

A, V_CC

I_C=

300 V

30

Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)

turn off delay time (inductive load)

V

_GE= ±15V, R_G=

t_d,off

Ω, T_vj= 25°C

8,2

-

80

-

ns

V

Ω, T_vj= 125°C

110

A, V_CC

I_C=

300 V

30

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

V_GE= ±15V, R_G=

t_f

Ω, T_vj= 25°C

8,2

-

18

25

-

ns

V

_GE= ±15V, R_G=

Ω, T_vj= 125°C

A, V_CC

I_C=

R_G=

I_C=

R_G=

300 V

30

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn on energy loss per pulse

E_on

E_off

-

0,95

0,65

135

25

-

mJ

A

Ω, T_vj= 125°C, L_σ=

8,2

30

15 nH

A, V_CC

=

300 V

Ausschaltverlustenergie pro Puls

turn off energy loss per pulse

Ω, T_vj= 125°C, L_σ=

8,2

t

_P≤ 10µsec, V_GE≤ 15V, T_vj= 125°C,

Kurzschlussverhalten

SC data

I_SC

V, V_CEmax=V_CES-L_σCE·|di/dt|

=

360

V_CC

Modulinduktivität

stray inductance module

L_σCE

nH

mΩ

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip

lead resistance, terminal-chip

T_c= 25°C

R_CC´/EE´

8

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter

A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F=

30

-

1,4

2

-

V

Durchlassspannung

forward voltage

V_F

1,35

A, -di_F/dt =

4000

A/µs

Rückstromspitze

V, V_GE= -10V, T_vj= 25°C

V, V_GE= -10V, T_vj= 125°C

I_RM

V_R= 300

-

72

74

-

A

peak reverse recovery current

A, -di_F/dt =

I_F=

4000

A/µs

30

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

V, V_GE= -10V, T_vj= 25°C

V, V_GE= -10V, T_vj= 125°C

Q_r

V_R= 300

-

1,7

2,8

-

µC

A, -di_F/dt =

I_F=

4000

A/µs

30

Ausschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

V, V_GE= -10V, T_vj= 25°C

V, V_GE= -10V, T_vj= 125°C

E_rec

V_R= 300

-

0,55

0,75

-

mJ

2 (8)

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IGBT-Module

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FS30R06XL4

vorläufige Daten

preliminary data

Charakteristische Werte / characteristic values

NTC-Widerstand / NTC-thermistor

min.

typ.

max.

Nennwiderstand

T_c= 25°C

R₂₅

-

5

-

kΩ

%

rated resistance

Abweichung von R₁₀₀

deviation of R₁₀₀

T_c= 100°C, R₁₀₀= 493Ω

T_c= 25°C

-5

-

5

20

-

∆R/R

P₂₅

Verlustleistung

power dissipation

mW

K

B-Wert

B-value

R₂= R₁exp[B(1/T₂- 1/T₁)]

B_25/50

-

3375

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Transistor Wechselr. / transistor inverter

Innerer Wärmewiderstand; DC

-

1,05

2,00

-

K/W

R_thJC

thermal resistance, junction to case; DC

Diode Wechselrichter / diode inverter

Transistor Wechselr. / transistor inverter

1,35

Wärmewiderstand; DC

thermal resistance, junction to heatsink; DC

R_thJH

Diode Wechselrichter / diode inverter

-

2,35

-

K/W

λ

_Paste= 1 W/m*K / λ _grease= 1 W/m*K

Transistor Wechselr. / transistor inverter

-

0,40

0,60

-

K/W

Übergangs-Wärmewiderstand, DC

thermal resistance, case to heatsink, DC

R_thCH

Diode Wechselrichter / diode inverter

λ

_Paste= 1 W/m*K / λ _grease= 1 W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemp.

maximum junction temperature

T_vjmax

-

150

125

°C

Betriebstemperatur

operation temperature

T_op

-40

Lagertemperatur

storage temperature

T_stg

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Innere Isolation

Al₂O₃

225

20..50

25

internal insulation

CTI

comperative tracking index

Anpresskraft pro Feder

mounting force per clamp

F

N

Gewicht

weight

G

g

Anschluss - Kühlkörper

terminal to heatsink

Anschluss - Anschluss

terminal to terminal

Kriechstrecke

10,5

5

mm

creepage distance

Anschluss - Kühlkörper

terminal to heatsink

Anschluss - Anschluss

terminal to terminal

Luftstrecke

clearance distance

9

5

3 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS30R06XL4

vorläufige Daten

preliminary data

Ausgangskennlinie (typisch)

output characteristic (typical)

I_C= f(V_CE)

V_GE= 15V

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

60

50

40

30

20

10

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

V_CE[V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch)

output characteristic (typical)

I_C= f(V_CE)

T_vj= 125°C

VGE = 20V

VGE = 15V

VGE = 12V

60

50

40

30

20

10

0

VGE = 10V

VGE = 9V

VGE = 8V

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

V_CE[V]

4 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

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FS30R06XL4

vorläufige Daten

preliminary data

Übertragungscharakteristik (typisch)

transfer characteristic (typical)

I_C= f(V_GE)

V_CE= 20V

60

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

50

40

30

20

10

0

5

6

7

8

9

10

11

12

13

V_GE[V]

I_F= f(V_F)

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)

forward characteristic of inverse diode (typical)

60

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

50

40

30

20

10

0

0,0

0,2

0,4

0,6

0,8

V_F[V]

1,0

1,2

1,4

1,6

1,8

5 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS30R06XL4

vorläufige Daten

preliminary data

E_on= f(I_C), E_off= f(I_C), E_rec= f(I_C)

V_GE= ±15V, R_Gon=R_Goff= 8,2Ω, V_CE= 300V, T_vj= 125°C

Schaltverluste (typisch)

switching losses (typical)

Eon

Eoff

Erec

4

3

2

1

0

10

20

30

40

50

60

I_C[A]

E_on= f (R_G) , E_off= f (R_G) , E_rec= f (R_G)

_GE= ±15V, I_C= 30A, V_CE= 300V, T_vj= 125°C

Schaltverluste (typisch)

switching losses (typical)

V

Eon

Eoff

Erec

2,5

2

1,5

1

0,5

0

20

40

R_G[Ω]

60

80

6 (8)

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS30R06XL4

vorläufige Daten

preliminary data

Transienter Wärmewiderstand

transient thermal impedance

Z_thJH= f (t)

10,00

1,00

Zth:IGBT

Zth:Diode

0,10

0,001

0,01

0,1

1

10

t (s)

i

1

2

3

4

r

_i[K/kW]: IGBT

τ_i[s]: IGBT

81,0

0,000529

141,0

270,0

756,0

243,0

0,19842

423,0

0,01290

470,0

0,00532

0,12731

1316,0

0,10769

r

_i[K/kW]: Diode

τ_i[s]: Diode

0,00032

0,14540

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

reverse bias safe operation area (RBSOA)

V_GE=15V, T_j=125°C, R_G= 8,2 Ω

80

IC, Chip

IC, Modul

60

40

20

0

200

400

_CE[V]

600

V

7 (8)

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IGBT-Module

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FS30R06XL4

vorläufige Daten

preliminary data

Schaltbild

circuit diagram

ϑ

Gehäusemaße

package outline

Bohrplan

drilling layout

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften

zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with

the belonging technical notes.

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型号：	DBFS30R06XL420
厂家：	ETC
描述：	IGBT Module IGBT模块\n 双极性晶体管
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DBFS30R06XL420 [ETC]

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