DBFS225R17KE320_技术文档

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS 225 R17 KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1700

V

T_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

225

340

A

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T

_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collctor current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

T_C=25°C, Transistor

I_CRM

P_tot

V_GES

I_F

450

1380

+/- 20V

225

A

W

V

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom

DC forward current

A

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

I_FRM

tp = 1 ms

450

A

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

k A²s

kV

V

_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

t.b.d.

3,4

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 225A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

-

2,0

2,45

V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 225A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

-

2,4

t.b.d.

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I

_C= 9mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

5,2

5,8

2,55

19

6,4

V

Gateladung

gate charge

V

_GE= -15V ... +15V

Q_G

-

µC

nF

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

C_res

-

0,7

-

5

-

nF

reverse transfer capacitance

-

mA

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

I_CES

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

-

400

nA

prepared by: Alfons Wiesenthal

approved by: Christoph Lübke

date of publication: 2002-07-25

revision: 2.0

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS 225 R17 KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 225A, V_CE= 900V

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn on delay time (inductive load)

t_d,on

V

_GE= ±15V, R_G= 6,2ꢀ, T_vj= 25°C

_GE= ±15V, R_G= 6,2ꢀ, T_vj= 125°C

I_C= 225A, V_CE= 900V

_GE= ±15V, R_G= 6,2ꢀ, T_vj= 25°C

_GE= ±15V, R_G= 6,2ꢀ, T_vj= 125°C

-

0,23

0,25

-

µs

V

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

t_r

V

-

0,10

-

µs

V

I_C= 225A, V_CE= 900V

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn off delay time (inductive load)

t_d,off

V_GE= ±15V, R_G= 6,2ꢀ, T_vj= 25°C

-

0,80

0,95

-

µs

V_GE= ±15V, R_G= 6,2ꢀ, T_vj= 125°C

I_C= 225A, V_CE= 900V

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

t_f

V_GE= ±15V, R_G= 6,2ꢀ, T_vj= 25°C

-

0,10

0,20

-

µs

V_GE= ±15V, R_G= 6,2ꢀ, T_vj= 125°C

I_C= 225A, V_CE= 900V, V_GE= ±15V

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

E_on

E_off

I_SC

R_G= 6,2ꢀ, T_vj= 125°C, L = 80nH

ꢀ

-

90

75

-

mJ

I

_C= 225A, V_CE= 900V, V_GE= ±15V

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

R_G= 6,2ꢀ, T_vj= 125°C, L = 80nH

ꢀ

t_P? 10µsec, V_GE? 15V

Kurzschlußverhalten

SC Data

T_Vj?125°C, V_CC=1000V, V_CEmax=V_CES-L_ꢀCE·dI/dt

-

830

20

-

A

Modulinduktivität

stray inductance module

L

nH

ꢀCE

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

module lead resistance, terminals - chip

pro Zweig / per arm, T_C= 25°C

R_CC´+EE´

-

1,1

-

mꢀ

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

-

typ. max.

Diode / Diode

Durchlaßspannung

forward voltage

I_F= 225A, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_F

I_RM

Q_r

1,8

2,2

V

I_F= 225A, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_F= 225A, - di_F/dt = 2750A/µs

V_R= 900V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 900V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F= 225A, - di_F/dt = 2750A/µs

V_R= 900V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

-

1,9

t.b.d.

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

-

280

300

-

A

Sperrverzögerungsladung

recovered charge

-

60

95

-

µC

V_R= 900V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

I_F= 225A, - di_F/dt = 2750A/µs

Abschaltenergie pro Puls

reverse recovery energy

V_R= 900V, V_GE= -15V, T_vj= 25°C

V_R= 900V, V_GE= -15V, T_vj= 125°C

E_rec

-

30

55

-

mJ

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IGBT-Module

IGBT-Modules

FS 225 R17 KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Charakteristische Werte / Characteristic values

NTC - Widerstand / NTC - thermistor

min.

typ. max.

Nennwiderstand

rated resistance

T

_C= 25°C

R₂₅

ꢁR/R

P₂₅

-

5

-

kꢀ

%

Abweichung von R₁₀₀

devitation of R₁₀₀

T_C= 100°C; R₁₀₀= 493ꢀ

-5

-

5

-

Verlustleistung

Power dissipation

T

_C= 25°C

20

-

mW

K

B - Wert

B - value

B_25/50

R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)]

-

3375

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min.

typ. max.

R_thJC

Transistor / transistor, DC

Diode/Diode, DC

-

0,090

K/W

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

-

0,160

pro Modul / per module

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCK

T_{vj max}

T_vjop

-

0,005

-

K/W

°C

ꢂ

_Paste= 1 W/m*K

/

ꢂ

_grease= 1 W/m*K

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

-

150

125

Betriebstemperatur

operation temperature

-40

°C

Lagertemperatur

storage temperature

T_stg

°C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation

Al₂O₃

14

internal insulation

Kriechstrecke

creepage distance

mm

Luftstrecke

clearance

10

CTI

225

-

comperative tracking index

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

Schraube / screw M5

M

G

3

6

Nm

g

mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse

Anschlüsse / terminals M6

-

terminal connection torque

Gewicht

weight

916

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.

Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is

valid in combination with the belonging technical notes.

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IGBT-Module

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vorläufige Daten

preliminary data

Ausgangskennlinie (typisch)

Output characteristic (typical)

I_C= f (V_CE)

V_GE= 15V

450

400

350

300

250

200

150

100

50

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

V_CE[V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch)

Output characteristic (typical)

I_C= f (V_CE)

T_vj= 125°C

450

400

350

300

250

200

150

100

50

VGE=9V

VGE=11V

VGE=13V

VGE=15V

VGE=19V

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

V_CE[V]

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vorläufige Daten

preliminary data

Übertragungscharakteristik (typisch)

Transfer characteristic (typical)

I_C= f (V_GE)

V_CE= 20V

450

400

350

300

250

200

150

100

50

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

0

5

6

7

8

9

10

11

V_GE[V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)

Forward characteristic of inverse diode (typical)

I_F= f (V_F)

450

400

350

300

250

200

150

100

50

Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

0

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3,0

V_F[V]

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IGBT-Module

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vorläufige Daten

preliminary data

Schaltverluste (typisch)

E_on= f (I_C) , E_off= f (I_C) , E_rec= f (I_C)

Switching losses (typical) V_GE= ±15V, R_Gon= R_Goff= 6,2 Ohm, V_CE= 900V, T_vj= 125°C

6 2

V

900V T

125°C

400

350

300

250

200

150

100

50

Eon

Eoff

Erec

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

I_C[A]

Schaltverluste (typisch)

Switching losses (typical)

E_on= f (R_G) , E_off= f (R_G) , E_rec= f (R_G)

V_GE= ±15V, I_C= 225A , V_CE= 900V , T_vj= 125°C

450

400

350

300

250

200

150

100

50

Eon

Eoff

Erec

0

10

20

30

40

50

60

70

R_G[ꢀ]

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IGBT-Module

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IGBT-Modules

vorläufige Daten

preliminary data

Transienter Wärmewiderstand

Transient thermal impedance

Z_thJC= f (t)

1

0,1

0,01

0,001

Zth:Diode

Zth:IGBT

0,001

0,01

0,1

1

10

t [s]

1

2

3

4

i

r_i[K/kW]

22,91

0,01565

33,85

0,03977

26,14

0,07521

7,109

1,443

: IGBT

ꢀ [s]

i

: Diode

r_i[K/kW]

54,22

60,17

38,1

7,51

ꢀ [s]

i

0,02103

0,03011

0,08672

1,1583

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) V_GE= ±15V, R_G= 6,2 Ohm, T_vj= 125°C

500

450

400

350

300

250

200

150

100

50

IC,Chip

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

V_CE[V]

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型号：	DBFS225R17KE320
厂家：	ETC
描述：	IGBT Module IGBT模块\n 双极性晶体管
文件：	总8页 (文件大小：192K)
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DBFS225R17KE320 [ETC]

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