IPDC0515S [ETC]
Analog IC ; 模拟IC\n
| 型号： | IPDC0515S |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | Analog IC
|
| 文件： | 总2页 (文件大小：184K) |
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IPDD0512
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IPDD0515
Analog ICWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDD0524
Analog ICWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDD60R045CFD7
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDD60R050G7
600V CoolMOS⢠G7 Power TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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INFINEON
IPDD60R050G7XTMA1
Power Field-Effect Transistor,Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDD60R080G7
英飞凌现创新推出双 DPAK (DDPAK)，这是首款顶部冷却 SMD 封装，主要面向大功率 SMPS 应用，如 PC 电源、太阳能、服务器和电信设备等应用。现有高压技术的优点 600V CoolMOS™ G7 超级结 (SJ) MOSFET结合了顶部冷却的创新概念，为 PFC 等高电流硬开关拓扑提供了系统解决方案，为 LLC 拓扑提供了高端高效解决方案。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDD60R102G7
英飞凌现创新推出双 DPAK (DDPAK)，这是首款顶部冷却 SMD 封装，主要面向大功率 SMPS 应用，如 PC 电源、太阳能、服务器和电信设备等应用。现有高压技术的优点 600V CoolMOS™ G7 超级结 (SJ) MOSFET结合了顶部冷却的创新概念，为 PFC 等高电流硬开关拓扑提供了系统解决方案，为 LLC 拓扑提供了高端高效解决方案。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDD60R105CFD7
600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDD60R150G7
英飞凌现创新推出双 DPAK (DDPAK)，这是首款顶部冷却 SMD 封装，主要面向大功率 SMPS 应用，如 PC 电源、太阳能、服务器和电信设备等应用。现有高压技术的优点 600V CoolMOS™ G7 超级结 (SJ) MOSFET结合了顶部冷却的创新概念，为 PFC 等高电流硬开关拓扑提供了系统解决方案，为 LLC 拓扑提供了高端高效解决方案。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDE0512
Analog ICWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDE0515
Analog ICWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDE0524
Analog ICWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDH4N03LA
OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTORWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDH4N03LA-G
OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTORWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDH4N03LAG
OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTORWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDH5N03LA
OptiMOS㈢2 Power-TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDH5N03LAG
OptiMOS㈢2 Power-TransistorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDH5N03LAGBUMA1
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 25V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-252, 3 PINWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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IPDH6N03LA
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche ratedWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
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