XP04601(XP4601) [ETC]
複合デバイス － 複合トランジスタ ;
| 型号： | XP04601(XP4601) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 複合デバイス － 複合トランジスタ |
| 文件： | 总6页 (文件大小：245K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
複合トランジスタ
XP04601 (XP4601)
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr1部)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形(Tr2部)
Unit : mm
+0.05
一般増幅用
0.12
–0.02
0.2 0.05
5
6
4
■ 特ꢀ長
•
•
1パッケージに2素子内蔵
実装面積とアセンブリコストの半減が可能
1
2
3
(0.65) (0.65)
■ 基
本品種
1.3 0.1
2.0 0.1
•
2SD0601A (2SD601A) + 2SB0709A (2SB709A)
10˚
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
記号
定格
単位
Tr1
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
60
V
1 : Emitter (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Collector (Tr2)
EIAJ : SC-88
4 : Emitter (Tr2)
5 : Base (Tr2)
6 : Collector (Tr1)
SMini6-G1 Package
(E 開放時)
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
VCEO
VEBO
50
7
V
V
エミッタ・ベース間電圧
(C 開放時)
形名表示記号 : 5C
コレクタ電流
IC
ICP
100
200
−60
mA
mA
V
内部接続図
尖頭コレクタ電流
6
5
2
4
Tr2
コレクタ・ベース間電圧
VCBO
(E 開放時)
Tr1
1
Tr2
3
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
VCEO
VEBO
−50
−7
V
V
エミッタ・ベース間電圧
(C 開放時)
コレクタ電流
尖頭コレクタ電流
全許容損失
合温度
IC
ICP
PT
−100
−200
150
mA
mA
mW
°C
総合
接
Tj
150
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
注) 形名の( )内は，従来品
番です
発行年月 : 2004年2月
SJJ00187BJD
1
XP04601
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C
•
Tr1部
項目
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
記号
条件
IC = 10 µA, IE = 0
最小 標準 最大
単位
V
VCBO
60
50
7
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
IC = 2 mA, IB = 0
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)
流電流増幅率
VEBO
ICBO
ICEO
hFE
IE = 10 µA, IC = 0
VCB = 20 V, IE = 0
VCE = 10 V, IB = 0
VCE = 10 V, IC = 2 mA
V
0.1
100
µA
µA
直
160
460
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
トランジション周 波数
VCE(sat) IC = 100 mA, IB = 10 mA
0.1
150
3.5
0.3
V
fT
VCB = 10 V, IE = −2 mA, f = 200 MHz
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
MHz
pF
コレクタ出力容量(入力開放時)
Cob
注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
•
Tr2部
項目
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
記号
条件
IC = −10 µA, IE = 0
最小 標準 最大
単位
V
VCBO
−60
−50
−7
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時) VEBO
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) ICBO
IC = −2 mA, IB = 0
V
IE = −10 µA, IC = 0
VCB = −20 V, IE = 0
VCE = −10 V, IB = 0
VCE = −10 V, IC = −2 mA
V
− 0.1
−100
µA
µA
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)
流電流増幅率
ICEO
hFE
直
160
460
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
トランジション周 波数
VCE(sat) IC = −100 mA, IB = −10 mA
− 0.3 − 0.5
V
fT
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
VCB = −10 V, IE = 0, f = 1 MHz
80
MHz
pF
コレクタ出力容量(入力開放時)
Cob
2.7
注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
共通特性図
PT Ta
250
200
150
100
50
0
0
40
80
120
160
(
)
周
囲温度 Ta °C
SJJ00187BJD
2
XP04601
Tr1部特性図
IC VCE
IC IB
IB VBE
60
50
40
30
20
10
0
1200
1000
800
600
400
200
0
240
200
160
120
80
Ta = 25°C
IB = 160 µA
VCE = 10 V
Ta = 25°C
VCE = 10 V
Ta = 25°C
140 µA
120 µA
100 µA
80 µA
60 µA
40 µA
40
20 µA
0
0
2
4
6
8
10
0
200
400
600
800
1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
(
)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
V
(
)
( )
ベース・エミッタ間電圧 VBE V
ベース電流 IB µA
IC VBE
VCE(sat) IC
hFE IC
102
10
600
500
400
300
200
100
0
240
200
160
120
80
IC / IB = 10
VCE = 10 V
VCE = 10 V
Ta = 75°C
25°C
25°C
1
−25°C
Ta = 75°C
−25°C
25°C
10−1
Ta = 75°C
−25°C
40
10−2
10−1
0
10−1
1
10
102
1
10
102
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
(
)
(
)
(
)
V
コレクタ電流 IC mA
コレクタ電流 IC mA
ベース・エミッタ間電圧 VBE
fT IE
NV IC
240
200
160
120
80
300
240
180
120
60
VCB = 10 V
Ta = 25°C
VCE = 10 V
GV = 80 dB
Function = FLAT
Ta = 25°C
Rg = 100 kΩ
22 kΩ
4.7 kΩ
40
0
10
0
102
103
−10−1
−1
−10
−102
(
)
コレクタ電流 IC µA
(
)
エミッタ電流 IE mA
SJJ00187BJD
3
XP04601
Tr2部特性図
IC VCE
IC IB
IB VBE
−60
−50
−40
−30
−20
−10
0
−60
−50
−40
−30
−20
−10
0
−400
−350
−300
−250
−200
−150
−100
−50
VCE = –5 V
Ta = 25°C
Ta = 25°C
VCE = −5 V
Ta = 25°C
IB = −300 µA
−250 µA
−200 µA
−150 µA
−100 µA
−50 µA
0
0
−100
−200
−300
−400
0
−0.4
−0.8
−1.2
−1.6
0
−4
−8
−12
−16
(
)
(
)
(
)
V
ベース・エミッタ間電圧 VBE
V
ベース電流 IB µA
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
IC VBE
VCE(sat) IC
hFE IC
600
500
400
300
200
100
0
−240
−200
−160
−120
−80
−40
0
−10
−1
IC / IB = 10
VCE = −10 V
VCE = −5 V
25°C
−25°C
Ta = 75°C
Ta = 75°C
25°C
Ta = 75°C
25°C
−25°C
−10−1
−10−2
−10−3
−25°C
−10
−102
−103
−1
−10
−102
−103
0
−0.4
−0.8
−1.2
−1.6
−2.0
−1
(
)
(
)
(
)
コレクタ電流 IC mA
ベース・エミッタ間電圧 VBE
V
コレクタ電流 IC mA
fT IE
Cob VCB
NF IE
160
140
120
100
80
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
5
4
3
2
1
VCB = −10 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
VCB = −5 V
f = 1 kHz
Rg = 2 kΩ
Ta = 25°C
Ta = 25°C
60
40
20
0
0
10−1
1
10
102
10−2
10−1
1
10
−1
−10
−102
(
)
エミッタ電流 IE mA
(
)
(
)
コレクタ・ベース間電圧 VCB
V
エミッタ電流 IE mA
SJJ00187BJD
4
XP04601
NF IE
h定数 IE
h定数 VCE
20
18
16
14
12
10
8
VCB = −5 V
Rg = 50 kΩ
Ta = 25°C
VCE = −5 V
f = 270 Hz
Ta = 25°C
IE = 2 mA
f = 270 Hz
Ta = 25°C
hfe
hfe
102
10
1
102
10
1
hoe (µS)
f = 100 Hz
hoe (µS)
1 kHz
10 kHz
6
hie (kΩ)
hre (× 10−4
)
4
hie (kΩ)
2
hre (× 10−4
)
0
10−1
1
10
10−1
1
10
−10−1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
−1
−10
( )
V
(
)
エミッタ電流 IE mA
(
)
エミッタ電流 IE mA
SJJ00187BJD
5
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資
料に記載の製品および技術情 報のうちで「、外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸
出する時、または、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2) 本資
しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ
りません。
料に記載の技術情 報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社も
(3) 上記技術情 報のご使用
に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はそ
の責を負うものではありません。
料に記載されている製品は、標準用途 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家
(4) 本資
電製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直 人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ
す恐れのある用 特定用途(航 空・宇 宙 用 、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)
にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事
に弊社営業窓口までご相談願 います。
接
途
前
(5) 本資
ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前
最新の製品規格書または仕様書をお求め願 い、ご確認ください。
料に記載しております製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合が
に
(6) 設計に際して、特に最大定格、動作電源
だきますようお願 い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥に
ついては弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー
ドをご考慮の上、弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた
生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
ようお願 い致します。
(7) 防湿包装を必要
とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保
存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8) 本資
料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP
相关型号：
XP0497A
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SMINI6-G1, 6 PIN
PANASONIC
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明