FF650R17IE4DP_B2 [INFINEON]
TIM;型号: | FF650R17IE4DP_B2 |
厂家: | Infineon |
描述: | TIM |
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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF650R17IE4DP_B2
PrimePACK™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀDiode
PrimePACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀdiode
VCES = 1700V
IC nom = 650A / ICRM = 1300A
TypischeꢀAnwendungen
• Traktionsumrichter
• Windgeneratoren
TypicalꢀApplications
• Tractionꢀdrives
• Windꢀturbines
ElektrischeꢀEigenschaften
• HoheꢀKurzschlussrobustheit
• HoheꢀStoßstromfestigkeit
• HoheꢀStromdichte
ElectricalꢀFeatures
• Highꢀshort-circuitꢀcapability
• Highꢀsurgeꢀcurrentꢀcapability
• Highꢀcurrentꢀdensity
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten
• VerstärkteꢀDiodeꢀfürꢀRückspeisebetrieb
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient
• Enlargedꢀdiodeꢀforꢀregenerativeꢀoperation
MechanischeꢀEigenschaften
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400
MechanicalꢀFeatures
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀinsulation
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit
• RoHSꢀkonform
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances
• Highꢀpowerꢀandꢀthermalꢀcyclingꢀcapability
• RoHSꢀcompliant
• Thermisches Interface Material bereits
• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial
aufgetragen
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀSM
approvedꢀby:ꢀRN
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06
revision:ꢀV3.0
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF650R17IE4DP_B2
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
IC nom
ICRM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700
650
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
V
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 60°C, Tvj max = 175°C
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
1300
+/-20
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
VGES
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 650 A, VGE = 15 V
IC = 650 A, VGE = 15 V
IC = 650 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,00 2,45
2,35 2,80
2,45 3,00
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 24,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 V ... +15 V
VGEth
QG
5,20 5,80 6,40
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
7,00
2,3
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
Tvj = 25°C
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
54,0
1,70
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 650 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,58
0,645
0,655
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 650 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGon = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,105
0,11
0,11
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 650 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,00
1,25
1,30
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 650 A, VCE = 900 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,7 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,29
0,49
0,57
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 650 A, VCE = 900 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 5800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,0 Ω
Tvj = 25°C
180
260
280
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 650 A, VCE = 900 V, LS = 45 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 3200 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 2,7 Ω
Tvj = 25°C
140
205
230
mJ
mJ
mJ
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
2700
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
RthJH
Tvj op
56,0 K/kW
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀSM
approvedꢀby:ꢀRN
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06
revision:ꢀV3.0
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF650R17IE4DP_B2
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IF
IFRM
I²t
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700
650
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
1300
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
105
100
kA²s
kA²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 650 A, VGE = 0 V
IF = 650 A, VGE = 0 V
IF = 650 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,70 2,15
1,70 2,15
1,70 2,15
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 650 A, - diF/dt = 5800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
775
860
890
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 650 A, - diF/dt = 5800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
175
300
335
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 650 A, - diF/dt = 5800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
86,0
155
180
mJ
mJ
mJ
VR = 900 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial
RthJH
Tvj op
87,4 K/kW
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
preparedꢀby:ꢀSM
approvedꢀby:ꢀRN
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06
revision:ꢀV3.0
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF650R17IE4DP_B2
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
Cu
ꢀ kV
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
ꢀ
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
33,0
33,0
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
19,0
19,0
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 400
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
RCC'+EE'
Tstg
18
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
THꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
0,30
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
125
125
Höchstzulässige
Bodenplattenbetriebstemperatur
Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature
TBPmax
°C
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM5ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM5ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
3,00
6,00 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,8
8,0
-
-
M
G
10
Nm
g
Gewicht
Weight
825
Lagerung und Transport von Modulen mit TIM: siehe AN2012-07
Storage and shipment of modules with TIM: see AN2012-07
preparedꢀby:ꢀSM
approvedꢀby:ꢀRN
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06
revision:ꢀV3.0
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF650R17IE4DP_B2
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
1300
1200
1100
1000
900
Tvjꢀ=ꢀ150°C
1300
1200
1100
1000
900
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
800
800
700
700
600
600
500
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
1300
1200
1100
1000
900
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ2.7ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
550
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
500
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
450
400
350
300
250
200
150
100
50
800
700
600
500
400
300
200
100
0
5
0
6
7
8
9
10
11
12
0
200
400
600
IC [A]
800
1000
1200
VGE [V]
preparedꢀby:ꢀSM
approvedꢀby:ꢀRN
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06
revision:ꢀV3.0
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF650R17IE4DP_B2
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ650ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
1000
100
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJH : IGBT
900
Eoff, Tvj = 150°C
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
1
i:
ri[K/kW]: 4,37
τi[s]:
1
2
16,5
3
4
24,6 10,5
0,000956 0,0311 0,12 0,831
0,1
0,001
0
2
4
6
8
10
12
14
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ2.7ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
1400
1300
IC, Modul
IC, Chip
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1200
1000
800
600
400
200
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VCE [V]
VF [V]
preparedꢀby:ꢀSM
approvedꢀby:ꢀRN
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06
revision:ꢀV3.0
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF650R17IE4DP_B2
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ1ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
IFꢀ=ꢀ650ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
220
220
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 150°C
200
200
180
160
140
120
100
80
180
160
140
120
100
80
60
60
40
40
20
20
0
0
0
200
400
600
IF [A]
800
1000
1200
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
RG [Ω]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)
IRꢀ=ꢀf(VR)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
1000
1600
ZthJH : Diode
IR, Modul
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
100
10
i:
ri[K/kW]: 7,6
τi[s]:
1
2
28,7
3
4
37,8 13,3
0,000928 0,0295 0,121 0,919
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000
VR [V]
preparedꢀby:ꢀSM
approvedꢀby:ꢀRN
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06
revision:ꢀV3.0
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF650R17IE4DP_B2
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
100000
Rtyp
10000
1000
100
0
20
40
60
80
TNTC [°C]
100 120 140 160
preparedꢀby:ꢀSM
approvedꢀby:ꢀRN
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06
revision:ꢀV3.0
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF650R17IE4DP_B2
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
1
154
restricted area for Thermal Interface Material
screwing depth
max. 16 (4x)
36B0,2
18B0,2 (2x)
screwing depth
max. 8 (7x)
A
172B0,5
150
113
103
recommeded design height
lower side PCB to baseplate
92
76
+
-
0
5,5
0,1
58
P0,25ABC
(10x)
25,9B0,25
L
8B0,1 (7x)
0,4A
H
(7x)
1 MAX
M4
P0,6ABC
(7X)
L
45,5B0,5
25
14
M8
P0,6ABC
(4x)
L
28B0,1
5,5
17B0,1
C
37,7B0,25
B
recommeded design height
39
lower side bus bar to baseplate
64
78
117
156
preparedꢀby:ꢀSM
approvedꢀby:ꢀRN
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06
revision:ꢀV3.0
9
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF650R17IE4DP_B2
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ꢀ
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ꢀ
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dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
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ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
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ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
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ꢀ
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ꢀ
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applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
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Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
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inꢀcustomer’sꢀapplications.
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
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Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcan
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preparedꢀby:ꢀSM
approvedꢀby:ꢀRN
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2016-09-06
revision:ꢀV3.0
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