Q62702-P859 [INFINEON]
NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor; NPN - Silizium - Fototransistor NPN硅光电晶体管
| 型号： | Q62702-P859 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor |
| 文件： | 总6页 (文件大小：285K) |
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NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 309
SFH 309 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1180 nm
(SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)
● Hohe Linearität
● Especially suitable for applications from
380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of
880 nm (SFH 309 FA)
● High linearity
● 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Gruppiert lieferbar
● 3 mm LED plastic package
● Available in groups
Anwendungen
Applications
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
● “Messen/Steuern/Regeln”
01.97
Semiconductor Group
1
SFH 309
SFH 309 FA
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Codes
SFH 309
SFH 309-3
SFH 309-4
SFH 309-5
SFH 309-61)
1)
Q62702-P859
Q62702-P997
Q62702-P998
Q62702-P999
Q62702-P1000
SFH 309 FA
(*SFH 309 F)
Q62702-P941
SFH 309 FA-2
(*SFH 309 F-2)
Q62702-P174
Q62702-P176
Q62702-P178
Q62702-P180
SFH 309 FA-3
(*SFH 309 F-3)
SFH 309 FA-4
(*SFH 309 F-4)
SFH 309 FA-5
(*SFH 309 F-51))
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 55 ... + 100
260
°C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
TS
°C
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
TS
300
°C
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
VCE
IC
35
15
75
V
Kollektorstrom
Collector current
mA
mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
ICS
Collector surge current
Semiconductor Group
2
SFH 309
SFH 309 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
Ptot
165
450
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
RthJA
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 309
SFH 309 FA
900 nm
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
λ
860
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
380 ... 1150 730 ... 1120 nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche ( 240 µm) A
0.2
0.2
mm
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
L × B
L × W
0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
2.4 ... 2.8
2.4 ... 2.8
mm
H
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 12
± 12
Grad
deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
CCE
ICEO
5.0
5.0
pF
Dunkelstrom
1 (≤ 200)
1 (≤ 200)
nA
Dark current
VCE = 25 V, E = 0
Semiconductor Group
3
SFH 309
SFH 309 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm , VCE = 5 V IPCE
2
0.4 ... 0.8 0.63 ... 1. 1.0 ... 2.0 1.6 ... 3.2 mA
25
SFH 309:
Ev = 1000 Ix, Normlicht/
IPCE
1.5
4.5
7.2
mA
standard light A, VCE = 5 V
2.8
6
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ
tr, tf
5
7
8
µs
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
VCEsat
200
200
200
200
mV
1)
IC = IPCEmin × 0.3,
2
Ee = 0.5 mW/cm
1)
IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
1)
Directional characteristics S = f (ϕ)
rel
Semiconductor Group
4
SFH 309
SFH 309 FA
Semiconductor Group
5
SFH 309
SFH 309 FA
Relative spectral sensitivity,
SFH 309 = f (λ)
Relative spectral sensitivity,
Photocurrent
I = f (E ), V = 5 V
PCE
S
SFH 309 FA S = f (λ)
rel
rel
e
CE
Total power dissipation
= f (T )
Photocurrent
Dark current
I = f (V ), E = 0
CEO
P
I
= f (V ), E = Parameter
tot
A
PCE
CE
e
CE
Dark current
= f (T ), V = 25 V, E = 0
Capacitance
Photocurrent
I /I
o = f (T ), V = 5 V
PCE PCE25
I
C
= f (V ), f = 1 MHz, E = 0
CEO
A
CE
CE
CE
A
CE
Semiconductor Group
6
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