SPLLG81 [OSRAM]
SIRILAS㈢ Laserdiodenarray 30 W cw bei 808nm SIRILAS㈢ Laser Diode Array 30 W cw at 808nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant; SIRILAS㈢ Laserdiodenarray 30瓦CW贝808nm的SIRILAS㈢激光二极管阵列30瓦CW为808nm的铅（Pb ）免费产品 - 符合RoHS
| 型号： | SPLLG81 |
| 厂家： | 
OSRAM GMBH |
| 描述： | SIRILAS㈢ Laserdiodenarray 30 W cw bei 808nm SIRILAS㈢ Laser Diode Array 30 W cw at 808nm Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
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SIRILAS® Laserdiodenarray 30 W cw bei 808nm
SIRILAS® Laser Diode Array 30 W cw at 808nm
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SPL LG81
Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Datasheet
Besondere Merkmale
Features
• Kostengünstige Strahlquelle für Dauerstrich-
und Pulsbetrieb
• Efficient radiation source for cw and pulsed
operation
• Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv
verspanntes Halbleiter-Material
• Reliable InGa(Al)As strained quantum-well
material
• Montage des Laserchips auf
• Mounting of laser bar on expansion matched
submount
• Compact package protecting the laser bar
• Integrated micro-cooler for efficient liquid
cooling
ausdehnungsangepasste Wärmesenke
• Kompaktes, den Laser schützendes Gehäuse
• Integrierter Mikrokühler für effiziente
Wasserkühlung
• Fenster mit einer emittierenden Fläche von 7,0
mm x 0,3 mm
• Verringerte vertikale Strahldivergenz durch
Verwendung einer internen Linse
• Window with emitting area of 7.0 mm x 0.3 mm
• Reduced fast axis divergence by use of internal
lens
Applications
Anwendungen
• Pumping solid state lasers (rod, fiber and disk
lasers)
• Direct material processing
• Medical applications
• Pumpen von Festkörperlasern
• Direkte Materialbearbeitung
• Medizinische Anwendungen
• Erwärmen, Beleuchten
• Heating, Illumination
• Druckanwendungen
• Printing applications
Sicherheitshinweise
Safety Advices
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile Depending on the mode of operation, these
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- devices emit highly concentrated non visible
Strahlung, die gefährlich für das menschliche infrared light which can be hazardous to the
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile human eye. Products which incorporate these
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits- devices have to follow the safety precautions
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
werden
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SPL LG81
Typ
Type
Wellenlänge1)
Wavelength1)
Bestellnummer
Ordering Code
SPL LG81
808 nm
Q65110A2008
1)
Andere Wellenlängen sind auf Anfrage erhältlich.
Other wavelengths are available on request.
Grenzwerte (20 °C coolant temperature)
Maximum Ratings
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
max.
Ausgangsleistung
Output power
Popt
–
35
W
W
Spitzen-Ausgangsleistung (quasi-continous
wave, tp ≤200 µs, duty cycle ≤20%)
Peak output power(quasi-continous wave,
tp ≤200 µs, duty cycle ≤20%)
Pqcw
–
50
Betriebstemperatur1)
Top
Tstg
Ts
+ 10
- 40
–
+ 30
+ 85
+ 260
° C
° C
° C
Operating temperature1)
Lagertemperatur1)
Storage temperature1)
Löttemperatur (tmax = 10 s)
Soldering temperature (tmax = 10 s)
1)
Betauung des Moduls muss ausgeschlossen werden.
Bedewing of the module has to be excluded.
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SPL LG81
Dioden Kennwerte (20 °C coolant temperature)
Diode Characteristics
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
805
typ.
max.
Zentrale Emissionswellenlänge1) 2)
Emission wavelength1) 2)
Spektrale Breite (Halbwertsbreite)1) 2)
Spectral width (FWHM)1) 2)
Ausgangsleistung im Betriebspunkt1)
Output power at operating point1)
λpeak
∆λ
808
811
nm
nm
W
–
–
3.0
30
–
Pop
–
Differentielle Effizienz
Differential efficiency
η
1.00
7
1.15
9
–
W/A
A
d
Schwellstrom
Threshold current
Ith
11
39
–
Betriebsstrom1)
Iop
Vop
Rs
–
34
A
Operating current1)
Betriebsspannung1) 3)
Operating voltage1) 3)
–
1.8
7
V
Differentieller Serienwiderstand
Differential series resistance
–
–
mΩ
Konversionseffizienz (elektrisch zu
optisch)1)
η
–
0.49
–
con
Conversion efficiency (electrical to optical)1)
Charakteristische Temperatur (Schwelle)4)
Characteristic temperature (threshold)4)
T0
–
–
–
–
150
0.5
0.3
0.6
–
–
–
–
K
Temperaturkoeffizient des Betriebsstroms
Temperature coefficient of operating current
∂Iop / Iop∂T
∂λ/∂T
Rth JA
%/K
nm/K
K/W
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
Temperature coefficient of wavelength
Thermischer Widerstand
(pn-Übergang →Kühlwasser)
Thermal resistance (junction →coolant)
Kühlwassertemperatur5) 6)
Tfluid
∂V / ∂t
∆P
+ 10
0.4
+ 20
0.6
+ 30 °C
Coolant temperature5) 6)
Kühlwasserfluss5) 6)
Coolant flow5) 6)
Druckabfall (am Bauteil)6)
Pressure drop (at device)6)
1.0
0.7
l/min
bar
0.12
0.25
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SPL LG81
Dioden Kennwerte (20 °C coolant temperature)
Diode Characteristics (cont’d)
Parameter
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
min.
typ.
max.
Strahldivergenz fast-axis (Vollwinkel 1/e2)
Beam divergence fast axis (full angle, 1/e2)
Strahldivergenz slow-axis (Vollwinkel 1/e2)
Beam divergence slow axis (full angle, 1/e2)
θ⊥
θ||
ϕ⊥
0.5
0.8
1.1
Grad
deg.
4
-0.3
-0.4
–
6
0
0
8
Grad
deg.
Schielwinkel fast-axis
Tilt angle fast axis
0.3
0.4
–
Grad
deg.
Schielwinkel slow-axis
Tilt angle slow-axis
ϕ
Grad
deg.
mm2
||
Strahlabmessungen am optischen Austritt
Beam dimensions at optical output
w × h
7.0 ×
0.4
TE Polarisation
TE Polarization
PTE
–
90
–
%
1)
Werte beziehen sich auf die Standardbetriebsbedingung 30 W Ausgangsleistung, 20 °C Kühlwassertemperatur und
0.6 l/min Kühlwasserfluss.
Values refer to standard operating conditions of 30 W output power, 20 °C coolant temperature and 0.6 l/min coolant
flow.
2)
Die zentrale Emissionswellenlänge muss beim spezifizierten Strom kontrolliert werden. Liegt die Wellenlänge höher
als im Testprotokoll spezifiziert, so weist dies auf einen schlechten thermischen Kontakt und eine thermische
Überbelastung der Laserdiode hin. Bevor der Laserbetrieb weitergeführt wird, muss der thermische Kontakt
verbessert werden. Die zentrale Emissionswellenlänge schiebt mit 0,3 nm/K.
Check the emission wavelength at the specified current. A much longer wavelength than specified in the test protocol
indicates bad thermal contact and thermal overload of the diode laser. Then the thermal contact has to be improved
before continuing laser operation. The emission wavelength shifts with 0.3 nm/K.
3)
4)
Das Anlegen einer Spannung in Sperrrichtung muss ausgeschlossen werden.
Reverse voltage has to be excluded.
Modell zur Bestimmung des thermischen Verhaltens bzgl. des Schwellstroms:
Model for the thermal behavior of threshold current:
Ith(T2) = Ith(T1) × exp (T2 – T1)/T0
5)
6)
Temperatur und Fluss des Kühlwassers beeinflussen die Ausgangsleistung, die zentrale Emissionswellenlänge und
die Lebensdauer. Betauung muss ausgeschlossen werden.
Coolant temperature and flow influences output power, emission wavelength and lifetime. Condensation has to be
excluded.
Als Kühlwasser muss vollständig entionisiertes (VE-) Wasser verwendet werden mit einer maximalen Partikelgröße
von 5 µm und einem maximalen Leitwert von 4 µS/cm.
As coolant de-ionized (DI-) water has to be used with a maximum particle size of 5 µm and a maximum conductivity
of 4 µS/cm.
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4
SPL LG81
Ligth-current and voltage-current curves (cw,
Optical spectrum, relative intensity Irel vs.
20 °C, 0.6 l/min)
wavelength λ (30 W cw, 20 °C, 0.6 l/min)
OHW02503
OHW02504
100
2.0
V
40
W
%
POUT
Irel
V
Voltage
80
60
40
20
0
1.5
1.0
0.5
0
30
20
10
0
Output
Power
0
10
20
30
A 40
800
805
810
nm 815
I
λ
Pressure drop at device vs. coolant flow (30 W
cw, 20°C)
Emission wavelength vs. coolant flow (30 W
cw, 20 °C)
OHW02500
OHW02501
0.7
812
bar
0.6
nm
λ
811
810
809
808
807
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
0.4
0.6
l/min 1
0
0.2
0.4
0.6
l/min 1
Coolant Flow
Coolant Flow
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5
SPL LG81
Laser current vs. coolant flow (30 W cw, 20 °C)
OHW02502
34.6
A
I
@ 30 W
33.8
33.4
33.0
0
0.2
0.4
0.6
l/min 1
Coolant Flow
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6
SPL LG81
Maßzeichnung
Package Outlines
+0.10 (0.003)
-0.25 (0.009)
5.3 (0.209)
8.5 (0.335)
10 (0.394)
4.45 (0.175)
0.75 (0.030)
1.05 (0.041)
2.54 (0.100)
0.5 (0.020)
2.4 (0.094)
2.54 (0.100)
Optical
Output
Port
7.7 (0.303)
GTOY6607
Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch).
Allgemeine Toleranz: +/- 0.15 mm (0.006 inch) / General Tolerance: +/- 0.15 mm (0.006 inch)
Notes:
Der optische Strahlaustritt liegt 1.5 mm über der Unterseite der Gehäusegrundplatte.
Exit height of optical output beam is 1.5 mm referring to bottom side of package base plate.
Gehäusegrundplatte ist auf Anodenpotential.
Package base plate is on anode potential.
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SPL LG81
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
www.osram-os.com
© All Rights Reserved.
The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office.
By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components 1 , may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS.
1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected
to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system.
2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain
and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered.
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相关型号：
SPLLG81-P
Passiv gekuhlter SIRILAS Diodenlaser 15 W cw bei 808nm Conductively cooled SIRILAS㈢ Laser Diode Array 15 W cw at 808nm
OSRAM
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