IMBD4448/E8 [VISHAY]
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, TO-236AB;
| 型号： | IMBD4448/E8 |
| 厂家： | 
VISHAY |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon, TO-236AB 开关 光电二极管 |
| 文件： | 总4页 (文件大小：166K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
相关型号：
IMBD4448_18
Small Signal Switching DiodeWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
VISHAY
IMBF170R1K0M1
CoolSiC™ 1700 V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBF170R450M1
CoolSiC™ 1700 V, 450 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBF170R650M1
CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬电距离，针对反激式拓扑结构进行了优化，适用于众多电力应用场合下接入直流母线电压600 V至1000 V的辅助电源。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG120R030M1H
是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 30 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG120R045M1H
是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 45 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG120R090M1H
是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 90 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG120R140M1H
是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG120R220M1H
是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 220 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG120R350M1H
是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 350 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG65R022M1H
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性能、稳健性和易用性等独特优势。IMBG65R022M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG65R030M1H
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性能、稳健性和易用性等独特优势。IMBG65R030M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG65R057M1H
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性能、稳健性和易用性等独特优势。IMBG65R057M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG65R083M1H
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性能、稳健性和易用性等独特优势。IMBG65R083M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBG65R163M1H
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了器件性能、稳健性和易用性等独特优势。IMBG65R163M1H CoolSiC™ MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用紧凑型 7 引脚 SMD 封装，基于先进的英飞凌碳化硅沟槽技术，适于大功率应用。 该器件旨在提高系统性能，缩减尺寸，增强可靠性。Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
INFINEON
IMBM-700
VIA C7â¢/ Eden⢠Processor, Up To 2.0 GHzWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
AAEON
IMBM-B75A
Intel® 2nd/3rd Generation Core⢠i7/ i5/ i3/ ProcessorsWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
AAEON
IMBM-H110A
Two Independent Display: HDMI x 2, VGA x 1, DVI-D x 1Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
AAEON
IMBM-H110A-A10
Two Independent Display: HDMI x 2, VGA x 1, DVI-D x 1Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
AAEON
IMBM-H61B
Micro-ATX Board with Intel 3rd/2nd Generation Core i7/ i5/ i3 CPU, 13 Serial Ports & 8 USBWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 174
-
AAEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明