BSS123
2025-09-12 09:52:51
摘要：BSS123 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），常用于低电压、小电流的开关电路和电平转换电路。它体积小，导通电阻低，适合高密度 PCB 设计，被广泛应用于消费电子、通信设备、工控系统和嵌入式产品。
描述
BSS123 由 Fairchild Semiconductor（现属 onsemi） 首次推出，目前由多家厂商生产。它采用 SOT-23 表贴封装，具有较高的开关速度和可靠性。由于其 低门极驱动电压 特性，可以直接与单片机、逻辑电路相连，常用于电源开关、负载驱动及电平移位。
产品概述
| 产品型号 | BSS123 |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 100 V 170mA 350mW（Ta） SOT-23-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 基本产品编号 | BSS123 |
产品图片
BSS123产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 170mA |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 14 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
环境与出口分类
| 属性 | 描述 |
| RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| REACH 状态 | 不受 REACH影响 |
主要特点
N 沟道增强型 MOSFET
低门极驱动电压，适合与 TTL/CMOS 电路直接接口
开关速度快，导通损耗小
SOT-23 小封装，适合高密度电路
Rds(on) 较低，效率较高
可靠性高，支持长时间运行
成本低，应用广泛
典型应用
电平转换（如 5V ↔ 3.3V 系统接口）
单片机/微控制器 I/O 口负载驱动
小功率直流电机驱动
LED 驱动电路
电源管理与负载开关
通信设备与消费类电子产品
电池供电的便携式产品
引脚图及功能
工作原理
关断状态：当栅极电压低于阈值时，MOSFET 截止，电路断开；
导通状态：当栅极电压高于阈值时，MOSFET 导通，电流从漏极流向源极；
由于其逻辑电平特性，单片机 I/O 口即可直接驱动。
替代型号
IRLML6344（逻辑电平 N 沟道 MOSFET）
2N7002（常见小信号 MOSFET，可替代多数场合）
AO3400（导通电阻更低，性能更优）
Si2302（SOT-23 N 沟道 MOSFET，常见替代型号）
FDN306P（若需 P 沟道互补型号）